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半導(dǎo)體工藝與工廠 – 晶圓代工廠篇

2023-11-12 13:08 作者:失傳技術(shù)  | 我要投稿


半導(dǎo)體工藝與工廠 – 晶圓代工廠篇


趙明


專注芯片產(chǎn)品和市場+個人修行

  1. FAB廠在全球半導(dǎo)體地位和格局
    表1 2021年 全球 FAB代工廠業(yè)績

  • 全球晶圓代工廠占據(jù)集成電路銷售20%,基本上算是集成電路中成本部分。TSMC做為晶圓代工廠的龍頭,一騎絕塵,營收增長快,毛利率高,已然成為晶圓代工業(yè)絕對霸主。SMIC作為大陸本土代工廠業(yè)奮起直追,伴隨中國大陸本土半導(dǎo)體的快速發(fā)展。本文根據(jù)的2021年財報對典型的五家代工廠,TSMC, UMC, GlobalFoundries, SMIC和華虹展開分析。

2. 主要晶圓代工廠介紹

2.1 臺積電(TSMC)

首先分一下龍頭TSMC年報,按照不同維度如:不同地域,不同終端應(yīng)用,不同工藝節(jié)點(diǎn)占比與變化,以及總體的經(jīng)營情況進(jìn)行全面分析。

表2 TSMC 2019到2021年的 不同地域收入占比

2021年,來自大陸銷售收入比例急速下降。

北美是TSMC主要收入來源,并且保持高位上增長。

表 3 TSMC 2019到2021年的 不同市場領(lǐng)域收入占比

手機(jī)和計算帶來營收超過 80%,成為TSMC最大收來源。

表4 2019到2021年 TSMC不同工藝節(jié)點(diǎn)收入占比

5nm, 7nm和16nm先進(jìn)工藝收入占比很高,最先進(jìn)的工藝增長迅速

表5 TSMC 2019到2021年 整體運(yùn)營和財務(wù)概況

毛利率2021年高達(dá) 51%,研發(fā)費(fèi)用8%左右

針對TSMC一個簡單總結(jié),

  • 美國客戶帶來的收入比例很高而且還有持續(xù)的增長,當(dāng)然這里面存在大陸公司被制裁造成不能生產(chǎn)帶來的減少有相關(guān)性,所以經(jīng)濟(jì)角度來看,TSMC鐵定要要咬定美國,作為美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界和拜登政府,從供應(yīng)安全角度出發(fā),讓TSMC站隊也是自然的現(xiàn)象,在美國建廠雖然會使得成本上升,但是這也可以避免地區(qū)危機(jī)時候,造成美國自己被卡脖子。

  • TSMC如果真要站邊,肯定要丟車保帥,放棄大陸市場來迎合美國市場。

  • TSMC主要收入還是先進(jìn)工藝,而且占比持續(xù)上升。5nm,16nm,28nm和40nm占比越來越高。21年總比例超過了80%,兩三年后,肯定要超過90%。這樣和大陸廠商也可以錯位競爭。與工藝直接相關(guān)的就是產(chǎn)業(yè),手機(jī)和高性能計算等嚴(yán)重依賴于先進(jìn)工藝的產(chǎn)業(yè),整體占據(jù)TSMC的營收超過80%。

  • 毛利率超過50%,在制造業(yè)毛利率超過50%,這個在全球大規(guī)模的制造業(yè)中,確實(shí)算是非常高的比例。

所以我個人的一個觀點(diǎn)是,如果在有條件的情況下,短期內(nèi)盡量采用非TSMC的工藝,可能從長期看對于國產(chǎn)半導(dǎo)體是十分重要,特別是TSMC非大陸工廠的產(chǎn)線,需要盡量避免使用。但是有些工藝節(jié)點(diǎn)只有它有,也是涉及到金字塔塔尖的高性能計算與手機(jī)。

2.2 聯(lián)電(UMC)

UMC作為臺灣代工廠第二把交椅,其工藝上緊隨TSMC之后,在銷售額上與Global Foundries接近,算作是晶圓代工廠里面第二梯隊。按照不同維度如:不同地域,不同終端應(yīng)用,不同工藝節(jié)點(diǎn)占比與變化,以及總體的經(jīng)營情況進(jìn)行全面分析。


表6 UMC 2019到2021年的 不同地域收入占比

與TSMC不同,因為UMC涉及到先進(jìn)工藝不多,2021年,來自大陸銷售收入比例有多上升,這與UMC對于HEJIAN技術(shù)授權(quán)與對于UMC 廈門FAB 12X授權(quán)應(yīng)該會有相關(guān)性。

表 7 UMC 2019到2021年的 不同市場領(lǐng)域收入占比

通信產(chǎn)品如wifi,藍(lán)牙,無線通信,IOT和消費(fèi)電子帶來營收接近 80%,成為UMC最大收來源。

表8 2019到2021年 TSMC不同工藝節(jié)點(diǎn)收入占比

雖然UMC的年報中針對14nm和22nm花了很多篇幅描述領(lǐng)先性,但是從銷售額上看,主要收入來自于28nm以及以上的節(jié)點(diǎn),28,40,65和90nm占據(jù)65%。

表9 UMC 2019到2021年 整體運(yùn)營和財務(wù)概況

毛利率在過去三年快速上升,與28nm等先進(jìn)工藝占比變高,以及21年快速增長市場有很大相關(guān)性。


表10 UMC主要工業(yè)節(jié)點(diǎn)介紹

表11 UMC的12寸廠信息

針對UMC一個簡單總結(jié),

第一, UMC主要客戶來自臺灣本地,如MediaTek,Realtek和Novatek應(yīng)該UMC的TOP10的客戶。這些客戶在無線通信WIFI, 4/5G,藍(lán)牙IOT以及Driver市場份額很高,UMC很多工藝應(yīng)該也是和這些客戶一些打磨完善的。

第二, 面對大陸的市場,UMC通過對于HEJIAN以及廈門UMC的投資,來滿足大陸客戶需求,通過技術(shù)授權(quán),UMC廈門工廠已經(jīng)可以生產(chǎn)28,40nm,55nm和65nm的工藝。

第三, UMC通過與IBM合作不斷優(yōu)化14nm的FINFET工藝,在2021年已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了小批量出貨。22nm的ULP和ULL工藝應(yīng)該是另外一個重要節(jié)點(diǎn),未來會在一些對于功耗和速度要求高場景替換28nm,并針對14nm形成一些成本優(yōu)勢。22nm應(yīng)該會是后來者如UMC,Global Foundries與TSMC叫板的工業(yè)節(jié)點(diǎn)。

從財務(wù)數(shù)據(jù)上看,TSMC是一個Located在臺灣美國代工廠,因為服務(wù)大部分客戶都是美國大公司。而UMC更像是一個服務(wù)臺灣本地設(shè)計公司代工廠,主要服務(wù)于臺灣本地芯片設(shè)計公司,再通過HEJIAN在服務(wù)中國大陸公司。從工藝節(jié)點(diǎn)收入以及毛利水平等諸多因素上看,UMC的水平上與SMIC相當(dāng),但是隨著大陸本土設(shè)計公司快速發(fā)展,SMIC在2022年超越UMC應(yīng)該是確定性的事件。

2.3 格芯(Global Foundries)
Global Foundries 作為晶圓代工中唯一總部在美國晶圓代工廠,脫胎于處理器廠商AMD,至今AMD也是它的第一大客戶。過去在先進(jìn)工業(yè)的投資不及TSMC,長期一直虧損。于是公司轉(zhuǎn)型更多經(jīng)歷放在特殊工藝上,經(jīng)營狀況轉(zhuǎn)好。21年已經(jīng)接近盈利的邊緣。
表 12 Global Foundries經(jīng)營狀況

經(jīng)營狀況2019 M$2020 M$2021 M$Revenue583148516585Gross Profit5327131013GP Rate9.1%14.7%15.4%R&D583476478R&D rate10.0%9.8%7.3%凈利潤-1371-1351-256


表 13 Global Foundries主要工業(yè)節(jié)點(diǎn)概況

地點(diǎn)工藝技術(shù)Wafer大小21年產(chǎn)能 KWPAMalta, New YorkFinFET, RF SOI, SiPh300mm357Burlington, VermontRF SOI, SiGe200mm263Dresden, Germany22nm FDX, 40nmNVM, 28nm HV, 55nm BCDL300mm500East Fishkill, New YorkHP CMOS, RF SOI, SiPh(從IBM收購)300mm138SingaporeBCD/BCDL, HV, NVM, DDI, RF SOI, LP SiGe300,200mm1075


表14 Global Foundries主要工藝特性介紹

工藝應(yīng)用特點(diǎn)RF SOIWireless, WIFILow power, high frequencyFINFETRF, AI, AutomotiveULP, 12-16nmFeature-Rich CMOSPower Management, display Driver, ENVM for MCUBCDFDX數(shù)?;旌?,5G, Radar,衛(wèi)星ULP, RF&MM, MRAMSiGeRF&MM, 光與無線通信,衛(wèi)星通信BICMOSSiPhOptical, LIDARCMOS, RF


表15 Global Foundires TOP客戶

前十客戶猜測對應(yīng)工藝節(jié)點(diǎn)1AMDFiNFET2Cirrrus Logic3InfineonBCD4MTKFINFET5NXPRFSOI, SIGe,SiPh6PsemiRFSOI7QorvoRFSOI,SiGe, FDX8QualcommFINFET, RFSOI,9SamsungFDX10SkyworksRFSOI, FDX, SiGe

2.4 中芯國際(SMIC)

接下來再研究一下的SMIC的財報,分析一下經(jīng)營的變化,工藝節(jié)點(diǎn)收入信息與應(yīng)用市場趨勢。

表16 SMIC 19到22年上半年經(jīng)營狀況

2022年上半年202120202019營業(yè)收入24,592,245,00035,630,634,00027,470,709,00022,017,883,000歸母凈利潤6,251,770,00010,733,098,0004,332,270,0001,793,764,000扣非凈利潤5,171,434,0005,325,423,0001,696,902,000-522,095,000毛利率40.3%29.3%23.8%20.8%

從SMIC經(jīng)營看,毛利率進(jìn)一步提升,與TSMC毛利率差距縮小,財報沒有說明具體毛利率增長的原因,但是從過去一段時間缺貨造成大規(guī)模漲價有關(guān)系。 另一方面,部分先進(jìn)工藝的量產(chǎn)應(yīng)該也會對于毛利率提高產(chǎn)生了影響。

表17 SMIC 2021年年報 不同工藝節(jié)點(diǎn)收入占比

以技術(shù)節(jié)點(diǎn)分類本報告期上年同期FinFET/28 納米15.10%9.20%40/45 納米15%15.60%55/65 納米29.20%30.50%90 納米3.20%2.80%0.11/0.13 微米5.60%5.30%0.15/0.18 微米28.70%32.60%0.25/0.35 微米3.20%4%

從圖7 和 表 17 對比看,SMIC工業(yè)節(jié)點(diǎn)與TSMC約有9年差,如果考慮SMIC作為追趕者,可以少走彎路,伙伴上助力,可能會加速,那么也得有5年差距。從增長率上出,55/65nm工藝增長最高,可以看出工藝逐漸成熟帶來市場放量。0.18um工業(yè)也得到了快速增長,大概率來自于一些特殊高壓工藝的穩(wěn)定帶來營收的放量。

表18 SMIC 2021年不同應(yīng)用領(lǐng)域收入占比

應(yīng)用分類本報告期上年同期智能手機(jī)32.20%44.40%智能家居12.80%17.10%消費(fèi)電子23.50%18.20%其他31.50%20.30%

從SMIC收入來看,大消費(fèi)占據(jù)整體營收的70%,這個主要得益于本土半導(dǎo)體廠商在消費(fèi)市場份額已經(jīng)占比很高,消費(fèi)市場上,除了手機(jī)類核心處理器之外,大陸本土的自給率已經(jīng)很高。我個人估測在其他市場還有一定比例是通信產(chǎn)品,那么真正在工業(yè)和汽車領(lǐng)域占比也就15%不到。側(cè)面反映了了大陸的半導(dǎo)體公司在工業(yè)和汽車市場份額也是極低的。

2021 年,在先進(jìn)工藝方面,多個衍生平臺開發(fā)按計劃進(jìn)行,穩(wěn)步導(dǎo)入客戶,正在實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的 多樣化目標(biāo)。

同時,特色工藝技術(shù)研發(fā)成績斐然。55 納米 BCD 平臺進(jìn)入產(chǎn)品導(dǎo)入,55 納米及 40 納米高壓 顯示驅(qū)動平臺進(jìn)入風(fēng)險量產(chǎn),0.15 微米高壓顯示驅(qū)動進(jìn)入批量生產(chǎn)。多種特色工藝平臺研發(fā)也在 穩(wěn)步進(jìn)行中,將按照既定研發(fā)節(jié)奏陸續(xù)交付。

表19 SMIC主要工藝平臺現(xiàn)狀與進(jìn)展

數(shù)據(jù)來源項目名稱進(jìn)展或階段性成果擬達(dá)到目標(biāo)具體應(yīng)用前景21年財報FinFET衍生技術(shù)平臺開發(fā)多個衍生平臺開發(fā)按計劃進(jìn)行,穩(wěn)步導(dǎo)入客戶,正在實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的多樣化目標(biāo)在通用工藝平臺基礎(chǔ)上,開發(fā)系列衍生應(yīng)用平臺,進(jìn)一步優(yōu)化器件性能、提高集成度、滿足多種應(yīng)用需求。主要應(yīng)用于智能家居和消費(fèi)電子等。21年財報22納米低功耗工藝平臺器件電性基本匹配目標(biāo)值,器件設(shè)計完成,開始工藝驗證,并完成初版工藝凍結(jié)。完成平臺開發(fā),導(dǎo)入客戶,并實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。主要應(yīng)用于各類物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品,以滿足智能手機(jī)、數(shù)字電視、機(jī)頂盒、圖像處理器、可穿戴設(shè)備以及消費(fèi)性電子產(chǎn)品等需求。21年財報28納米射頻工藝平臺基于28HKC+平臺,優(yōu)化器件射頻性能,提供各類射頻器件,完成工藝凍結(jié),并開始客戶驗證。完成平臺開發(fā),導(dǎo)入客戶,并實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。主要應(yīng)用于家用網(wǎng)絡(luò)、路由器、WIFI、移動端設(shè)備通信等。21年財報28納米高壓顯示驅(qū)動工藝平臺基于28HKC+平臺,已完成中壓和高壓器件開發(fā)。與40 納米高壓顯示驅(qū)動工藝平臺相比SRAM面積縮小,容量增大,為高端顯示提供技術(shù)解決方案。完成平臺包括全套低、中、高壓器件,提供高容量SRAM,降低功耗,適應(yīng)各種高端顯示技術(shù)需求。主要應(yīng)用于高端智能手機(jī)AMOLED 屏幕驅(qū)動22年半年報40納米嵌入式存儲工藝平臺工藝平臺可靠性通過汽車電子標(biāo)準(zhǔn),并引入客戶進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計。完成平臺開發(fā),工藝及IP可靠性達(dá)到車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn),滿足汽車電子產(chǎn)品需求主要應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)汽車電子智能化需求。22年半年報40 XNOR Flash 工藝平臺試驗產(chǎn)品良率達(dá)標(biāo),開始工藝驗證,完成初版工藝凍結(jié),并引入客戶進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計。完成平臺開發(fā),為客戶提供技術(shù)更先進(jìn),存儲單元尺寸更小,更具有競爭力的NOR Flash工藝平臺,并實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)主要應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車等領(lǐng)域21年財報55納米BCD工藝平臺 (22年量產(chǎn))完成55納米BCD平臺第一階段中低壓器件的性能開發(fā)和可靠性驗證,器件性能達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平,引入首批客戶進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計,預(yù)計2022年開始小批量試產(chǎn)完整平臺包括中高壓應(yīng)用,同步電源管理芯片智能化的發(fā)展趨勢,并逐步拓展到其它各種模擬類應(yīng)用主要應(yīng)用于高端智能手機(jī)音頻芯片。22年半年報90納米BCD工藝平臺完成90納米BCD平臺第一階段中低壓器件的性能開發(fā)和可靠性驗證,發(fā)布V1.0 版本工藝設(shè)計工具包,引入首批客戶進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計,預(yù)計2022年開始小批量試產(chǎn)。完整平臺包括中高壓應(yīng)用,同步電源管理芯片智能化的發(fā)展趨勢,并逐步拓展到其它各種模擬類應(yīng)用。應(yīng)用于智能化電源管理高端領(lǐng)域、音頻放大器、智能電機(jī)驅(qū)動等。22年半年報0.11微米高壓顯示驅(qū)動工藝平臺發(fā)布V1.0版本工藝設(shè)計工具包,引入首批客戶進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計,預(yù)計2022年開始小批量試產(chǎn)。完成平臺包括全套低、中壓器件,以適應(yīng)相機(jī)取景器、虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)需求,實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。主要應(yīng)用于相機(jī)取景器和虛擬現(xiàn)實(shí)顯示IC。

針對SMIC一個簡單總結(jié),

  • SMIC正在追趕TSMC的路上,但是路漫漫其修遠(yuǎn),至少與SMIC還有5年以上差距。

  • SMIC突破28nm FINFET工藝,未來這部分營收應(yīng)該會更快速的增長,22nm等先進(jìn)工藝也在突破中。55/65nm是最主要出貨的工藝節(jié)點(diǎn),40nm占比不高,正在進(jìn)一步突破嵌入式存儲技術(shù)。同時高壓特殊工業(yè)全面開花,為中國模擬半導(dǎo)體對于世界先進(jìn)的IDM廠商追趕提供了保障,這個地方看點(diǎn)很多。

  • 大消費(fèi)仍然是主力軍,在工業(yè)和汽車市場非先進(jìn)工業(yè)市場,看是否可以借助高壓特殊工藝形成突破。

2.4 華虹宏力(Huahong)

根據(jù)華虹宏力21年財報,針對總體經(jīng)營狀況,按照不同產(chǎn)品,應(yīng)用,工藝節(jié)點(diǎn),在研和量產(chǎn)工藝的分析。

表20 華虹宏力2021年運(yùn)營情況

20212020增長率Revenue1,630,754,000961,279,00070%Gross Profit451,598,000234,793,00092%GP Rate28%24%13%Profit Before Tax296,320,00046,077,000543%R&D Cost86,068,000108,042,000-20%Total1,630,754,000961,279,00070%

表21 2021年華虹宏力 按照產(chǎn)品營收分析

20212020增長率增長驅(qū)動因素eNVM459,104,000334,663,00037%MCU產(chǎn)品Standalone NVM88,796,00011,711,000658%Discrete557,893,000353,019,00058%最大業(yè)務(wù)Logic&RF272,053,000124,952,000118%12寸CMOS CIS傳感器產(chǎn)品Analog & Power250,466,000135,581,00085%12寸平臺的量產(chǎn)Others2,442,0001,353,00080%Total1,630,754,000961,279,00070%

表22 2021年華虹宏力 按照工藝節(jié)點(diǎn)營收分析

20212020增長率增長驅(qū)動因素55nm&65nm157,854,0006,692,0002259%Standalone-NVM,CIS, 邏輯和RF產(chǎn)品90nm&95nm280,235,000100,315,000179%圖像傳感器,智能卡,MCU和電源管理產(chǎn)品0.11um&0.13um302,920,000229,965,00032%0.15um&0.18um164,260,000141,317,00016%0.25um22,926,00016,536,00039%>=0.35um702,559,000466,454,00051%最大的業(yè)務(wù),主要是分立器件Total1,630,754,000961,279,00070%

表23 2021年華虹宏力 按照終端應(yīng)用市場營收分析

20212020增長率增長驅(qū)動因素Consumer1,039,325,000594,087,00075%Standalone-NVM,CIS, 邏輯和RF產(chǎn)品Industrial & Automotive316,194,000203,890,00055%圖像傳感器,智能卡,MCU和電源管理產(chǎn)品Communication218,946,000127,413,00072%Computing56,289,00035,889,00057%Total1,630,754,000961,279,00070%

表24 華虹宏力2021年主要工藝節(jié)點(diǎn)信息

工藝節(jié)點(diǎn)地點(diǎn)主要特點(diǎn)終端市場40nm-elash-12寸(在研)低功耗,高性能MCU40nm RF (在研)無錫射頻55nm-eflash-12寸MCU90nm-eflash-12寸智能卡,MCU90nm-BCD -12寸數(shù)字電源,數(shù)字功放90nm/110nm-CMOS 12寸低功耗,低漏電MCU, TYPE-C, 觸摸屏控制器,智能表,汽車電子180nm- BCD – 8寸高壓模擬電源IC, 電機(jī)控制180nm-BCD 600-700v 8寸超高壓照明,工業(yè),家電驅(qū)動器DMOS/SGT/SJ/IGBT 8寸到12寸升級大功率新能源,家電,通信,工業(yè)市場, USB-PD, OBC, 數(shù)據(jù)中心電源,OBC, 主逆變,太陽能和風(fēng)能

主要工藝節(jié)點(diǎn),12寸 90nm CMOS with E-FLASH 主要被用在智能卡和MCU的市場。MCU達(dá)到二位數(shù)增長。0.11um 和 90nm的低功耗超低漏電的CMOS工藝被廣泛使用在MCU,TYPE-C和觸摸屏控制器,智能表,汽車電子中。于此同時,55nm的E-FLASH的CMOS工藝開始量產(chǎn)。

2021年公司分立器件, IGBT被用在新能源,基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),家電,通信和工業(yè)市場。

DMOS/SGT小尺寸特性被用在快充手機(jī),筆記本的USB-PD設(shè)備中。 新一代DTI的公司被用在數(shù)據(jù)中心電源和OBC設(shè)備中。新一代的IGBT工藝的被用在新能源汽車主逆變器,太陽能和風(fēng)能設(shè)備中。公司DMOS/SGT/SJ/IGBT工藝開始從8寸升級到12寸線。

2021年,隨著電源需求增加,華虹BCD工藝產(chǎn)品達(dá)到3位數(shù)增長,廣泛使用中低壓,高壓和超高壓產(chǎn)品中。在模擬電源IC,電機(jī)控制領(lǐng)域,8寸的0.18um的BCD工藝快速上量。 12寸的90nm的BCD工藝,被用在數(shù)字電源,數(shù)字功放產(chǎn)品上。600-700V的BCD工藝被用在照明,工業(yè)和家電驅(qū)動設(shè)備中。

2022年,華虹的將繼續(xù)在擴(kuò)展12寸無錫工廠。進(jìn)一步研發(fā)用于RF的40nm的工藝,根據(jù)55nm的EFLASH量產(chǎn)經(jīng)驗,進(jìn)一步研發(fā)40nm的E-FLASH工藝。40nm的eflash的性能和功耗特性將有利于為MCU市場提供競爭力。在PMIC領(lǐng)域上,90nm的12寸BCD工藝良率改善,隨著越來越多的客戶需求,PMIC將占據(jù)越來越高的比例。

針對華虹宏力一個簡單總結(jié),

  • 在CMOS工藝上,從工藝節(jié)點(diǎn)收入數(shù)據(jù)看,華虹宏力與SMIC至少還得有3年差距。

  • 華虹宏力在功率器件和模擬特殊工藝上,應(yīng)該算是一個特色。

  • 與SMIC類似,配合大陸本土半導(dǎo)體需求,大消費(fèi)占據(jù)非常高的比例。

  • CMOS工藝上,90nm和110/130nm是主要出量的工藝節(jié)點(diǎn)。

3. 總結(jié)與展望
2021年全球芯片銷售5559億美金,這些營收主要有Fabless和IDM銷售收入構(gòu)成,F(xiàn)abless公司銷售收入中,成本部分就是晶圓代工廠和封測廠的收入,晶圓代工廠總共營收占1106億美金,也就是整個半導(dǎo)體收入中,晶圓代工廠占據(jù)20%。其它80%則是fabless公司的毛利潤,IDM銷售額以及封測廠的銷售額。
作為最賺錢的制造業(yè),TSMC的毛利率超過50%。晶圓制造工廠大部分分布中國臺灣,中國大陸,韓國。Global Foundries算是碩果僅存的總部和主要晶圓廠在歐美的大廠。這也反映了晶圓制造實(shí)際上也是一個苦差,需要將運(yùn)營做好才能產(chǎn)生效益,而Global Foundries也是持續(xù)虧損。但是也不能說在歐沒有晶圓工廠,大量IDM廠商,如TI, ST, ADI, Infineon和NXP的工廠廣泛分布在歐美。所以中美博弈中,美國要TSMC,三星去美國建廠,還是在先進(jìn)工藝方面,因為大部分IDM基本已經(jīng)不再投28nm的先進(jìn)工藝了,都是老老實(shí)實(shí)的選擇代工,因為投入實(shí)在太大了。
中國大陸的代工也逐漸在全球半導(dǎo)體代工市場占據(jù)一席之地,與國產(chǎn)半導(dǎo)體可以做到相互加持。但是國產(chǎn)半導(dǎo)體和國內(nèi)FAB也不能把自己圈到一個小圈子,還是要保持一定比例對外合作,合作和競爭才能夠形成良性的競爭力。
寫在最后:作為半導(dǎo)體從業(yè)者,對于半導(dǎo)體工藝,晶圓廠,封測廠,半導(dǎo)體加工設(shè)備都星星點(diǎn)點(diǎn)的有些了解,但是始終沒有完整做分析。作為半導(dǎo)體老人,產(chǎn)品Marketing的新人,經(jīng)過兩個周末的學(xué)習(xí),將五個典型的晶圓代工廠的財報信息進(jìn)行了解讀。后面希望能堅持將IDM篇,工藝篇,封測篇,設(shè)備篇堅持寫下來,補(bǔ)齊半導(dǎo)體知識。

4. 參考文獻(xiàn):

2021年 TSMC 財報 美股

2021年 UMC財報 美股

2021年和2022年 SMIC半年報 中國科創(chuàng)板

2021年 Global Foundries 財報 美股

2021年華虹宏力財報 中國港股

發(fā)布于 2022-09-17 19:59

代工廠


半導(dǎo)體未來


半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)



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