CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊，富士膠片株式會社（FUJIFILM）計劃在2023年末，將一種專用于半導(dǎo)體后段工序的CMP漿料（Chemical Mechanical Polishing Slurry，化學(xué)機(jī)械拋光漿料，以下簡稱為：“CMP漿料”）投放市場。隨著半導(dǎo)體后段工序?qū)訑?shù)越來越多，排線間距（Pitch）越來越窄等技術(shù)的發(fā)展，使重布線層（Re-distributed Layer，簡稱為:“RDL”）的平坦化加工成為必要。富士膠片把握上述市場需求，力爭在2023年末實現(xiàn)CMP漿料的量產(chǎn)。昭和電工Materials也在推進(jìn)研發(fā)用于半導(dǎo)體后段工序的CMP漿料，因此，新一代技術(shù)的普及有望帶動半導(dǎo)體材料的市場需求，尤其是日本企業(yè)市占率較高的材料。

CMP漿料是將半導(dǎo)體表面硬度不同的排線和絕緣膜實現(xiàn)表面平坦化的研磨劑。半導(dǎo)體芯片（Chip）的重布線（Re-distributed）主要通過鍍銅來實現(xiàn)，而用于半導(dǎo)體后段工序的CMP漿料的研磨對象不是金屬，而是絕緣材料，如聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂等。為了獲得更多客戶，如今，富士膠片正在向處于半導(dǎo)體后段工序的OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Testing，簡稱為：“OSAT”，半導(dǎo)體外包封裝測試工廠）等企業(yè)提案CMP漿料。

與半導(dǎo)體前道工序一樣，后段工序中也以膠體硅（Colloidal Silicon）作為研磨粒子。但是，由于后段工序中研磨對象的性質(zhì)不同，因此，需要調(diào)整研磨劑的配比（如加入添加劑等），以提高研磨精度。富士膠片不僅籌備了多種材質(zhì)的產(chǎn)品，還可依據(jù)客戶要求的精度進(jìn)行配比。此外，富士膠片還計劃提前研發(fā)一些可用于某些材料的清洗劑、以及拋光后使用的清洗劑。

目前，半導(dǎo)體后段工序的多項技術(shù)頗受關(guān)注，如新一代2.X D封裝、3D封裝等。由于越來越細(xì)的重布線（Re-distributed）間距（Pitch）（目的是為了提高半導(dǎo)體的性能）、芯片（Chip）堆疊時的平坦化需求等因素的影響，未來，預(yù)計CMP工序的數(shù)量還會繼續(xù)增加。但是，CMP工序技術(shù)極其復(fù)雜，目前所需的新材料大都用于研發(fā)目的。

富士膠片的用于銅排線的CMP漿料市占率為全球Top Share。據(jù)市調(diào)公司富士經(jīng)濟(jì)（日本東京都中央?yún)^(qū)）預(yù)測，到2026年，CMP漿料的市場規(guī)模將達(dá)到18億美元（約人民幣120.6億元），較2021年增長28.6%。據(jù)預(yù)測，從半導(dǎo)體后段工序技術(shù)的研發(fā)動向和普及程度來看，未來半導(dǎo)體材料市場有望繼續(xù)加速增長。

近年來，半導(dǎo)體前段工藝的線路微縮化和后段工藝中封裝（Packaging）的高密度化備受人們關(guān)注。另外，日本企業(yè)也在其擅長的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域不斷推陳出新，為促進(jìn)半導(dǎo)體元件的3D技術(shù)發(fā)展，佳能已經(jīng)將用于后段工序的i線半導(dǎo)體曝光設(shè)備投放市場。

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