1. 晶體結(jié)構(gòu)

1.1 硅屬于立方晶體結(jié)構(gòu)，硅單晶在晶面上的原子密度是以111＞110＞100的次序遞減，因此腐蝕速度則是111＜110＜100遞增;1.2 制絨則是利用低濃度堿對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕反應(yīng)，因?yàn)榫w各個(gè)晶面腐蝕速率不同，<111>最慢，110以及100面會(huì)被腐蝕掉，最終形成以<111>面的金字塔結(jié)構(gòu)。1.3 反應(yīng)式為：Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑

2. 制絨作用

2.1?去除硅片表面的機(jī)械損傷層?→ 通過(guò)SDR粗拋槽進(jìn)行反應(yīng)；

拓展：原始硅片如上圖所示結(jié)構(gòu)（亞表面損傷層在3-5um），在硅片切割完成后，會(huì)形成多晶域、斷裂域、過(guò)渡域、彈性畸變域、基體硅幾個(gè)區(qū)域。其中粗拋和制絨分別會(huì)去除掉多晶域、斷裂域、過(guò)渡域、彈性畸變域，剩下的硅基體通過(guò)混合添加劑的堿溶液進(jìn)一步腐蝕形成絨面。粗拋減重一般為0.3g，腐蝕深度為0.3g*8.98um/g=2.7um，因?qū)儆陔p面粗拋，則每個(gè)面腐蝕深度為1.38um。2.2?清除硅片表面油污和金屬雜質(zhì)?→ 油污可通過(guò)堿溶液進(jìn)行去除，金屬雜質(zhì)以及臟污可通過(guò)HCL進(jìn)行去除，防止漏電，低效；2.3?形成起伏不平的絨面，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收?→ 通過(guò)制絨槽形成金字塔絨面；

2.4?減少光的反射率，提高短路電流（Isc），最終提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

3. 工藝流程圖

3.1 SDR(預(yù)清洗)去除損傷層、去除表面主要臟污；拓展：根據(jù)目前行業(yè)內(nèi)的消息，部分公司已實(shí)行無(wú)粗拋工藝，配合相關(guān)的添加劑，可在反射率以及相關(guān)效率方面進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)減少了堿的使用量，降低了公司的運(yùn)營(yíng)成本。3.2 O3+HCL

清洗硅片表面，去除硅片表面有機(jī)物（添加劑中的）污染，形成氧化層，屏蔽不同取向的表面晶格差異，導(dǎo)致各向同性腐蝕，達(dá)到降低表面微粗糙度（H2O2工藝）；

拓展：臭氧工藝及H2O2工藝均能進(jìn)一步清潔硅片表面，去污，但臭氧處理表面微粗糙度能力小于H2O2，制絨前的表面平整度稍差，導(dǎo)致絨面的平整度較差。3.3 Textur

控制硅片表面金字塔的成型及形貌；3.4 HF+HCL

中和硅片表面的堿液，HF去除表面氧化層，形成H-Si鍵使硅片具有脫水性，HCL除去硅片金屬雜質(zhì)，防止漏電、低效；SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O3.5 HWD利用熱水表面張力大，針對(duì)硅片進(jìn)行熱脫水（純水電阻率須大于18兆歐），慢提拉前加一個(gè)水洗槽，更有利于清洗硅片表面的藥液殘留，并且可減少對(duì)烘干槽的腐蝕；3.6 Drying烘干硅片表面水分；拓展：行業(yè)內(nèi)目前臟污EL黑斑黑點(diǎn)較多，與烘干槽內(nèi)存在的生銹、金屬離子以及相關(guān)的臟污有關(guān)，部分公司已開(kāi)始更換槽體材質(zhì)，去除相應(yīng)的生銹部件等措施。

4. 制絨影響因素