本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質(zhì)。

在制造半導(dǎo)體設(shè)備方面， 一種方法，用于在硅晶片上執(zhí)行的“RCA-清洗”清洗順序期間減少硅晶片表面上的金屬雜質(zhì)； 提供一種改性的“SC 1”清洗溶液，以保持溶液中結(jié)合的金屬絡(luò)合物，以防止金屬在上述硅晶片表面上的保留； 在提供的（NH4OH+H2O2+H2O）化學(xué)品溶液中加入預(yù)定數(shù)量的絡(luò)合物形成劑的步驟，用于上述“RCA-清洗”的“SC1”清洗步驟； 將上述改性的“SC 1”清洗溶液保留在儲(chǔ)罐工具中的步驟； 以及在所述改進(jìn)的“RCA-清洗”的“SC1”步驟期間的預(yù)定時(shí)間內(nèi)在所述改性的“SC1”清洗溶液中浸漬所述硅晶片的改進(jìn)方法。

?一種方法，用于在硅晶片上執(zhí)行的“RCA-清洗”清洗順序期間減少硅晶片表面上的金屬雜質(zhì)； 提供一種改性的“SC 1”清洗溶液，以保持溶液中結(jié)合的金屬絡(luò)合物，以防止金屬在上述硅晶片表面上的保留。

圖1 為一般被通知為“RCA-清洗”的半導(dǎo)體制造清洗順序的流程圖。

圖2為對(duì)第一圖中的“RCA-清洗”加以改進(jìn)的、本發(fā)明的一個(gè)球體例子的半導(dǎo)體制造清洗順序的流程圖

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