1、目前電力電子器件中容量最大的是SCR。全控型器件中容量最大的是GTO。開關(guān)速度最快的是MOSFET。IGBT結(jié)合了GTR和MOSFET，但開關(guān)速度不如MOSFET，容量不如GTR，存在擎住效應(yīng)。

2、GTR在截止區(qū)和飽和區(qū)之間轉(zhuǎn)換。MOSFET在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間轉(zhuǎn)換。IGBT在正向阻斷區(qū)和飽和區(qū)之間轉(zhuǎn)換。

3、MOSFET開通的驅(qū)動電壓取10~15V，IGBT開通的驅(qū)動電壓為15~20V。

4、過電壓保護(hù)

外因過電壓：操作、雷擊。內(nèi)因過電壓：換相、關(guān)斷。

RC和RCD作為常見的抑制內(nèi)因過電壓的措施。

5、過電流保護(hù)

過電流分為短路和過載兩種情況。電子電路作為第一保護(hù)措施，快速熔斷器作為短路時部分區(qū)段的保護(hù)，直流快速斷路器整定在電子電路動作后實現(xiàn)保護(hù)，過電流繼電器整定在過載時動作。

6、電流驅(qū)動和電壓驅(qū)動電力電子器件

電壓驅(qū)動器件的特點：輸入阻抗高、驅(qū)動功率小、驅(qū)動電路工作頻率高。

電流驅(qū)動器件的特點：具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。通態(tài)壓降低，導(dǎo)通損耗小，工作頻率低，所需驅(qū)動功率大。

7、維持晶閘管導(dǎo)通的條件？

使流過晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流。

8、晶閘管的串并聯(lián)問題（先串后并）

串聯(lián)均壓

靜態(tài)不均壓問題的解決：選用參數(shù)和特性盡量一致的元件、采用電阻均壓

動態(tài)不均壓問題的解決：選用參數(shù)和特性盡量一致的元件、采用RC并聯(lián)支路、門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)

并聯(lián)均流

問題解決：選用參數(shù)和特性盡量一致的元件、采用均流電抗器、門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)