濃度單位ppm、ppb和ppt詳解
ppm,全稱為"parts per million",中文指百萬分之一。表示在總量為一百萬份的混合物中，有多少份是我們需要關(guān)注的物質(zhì)。換句話說，1ppm等于1/1,000,000。
1ppm=1mg/kg 1ppm=1mg/L 1ppm= 0.0001%1 ppb = 1 μg/kg 1ppb=1ug/L1 ppt = 1 ng/kg 1 ppt =1ng/L 1ppm=1000ppb=1000000ppt極微量雜質(zhì)對芯片制造的影響
比如說，在硅晶體中，即使是ppb級別的微量雜質(zhì)也可能顯著改變硅的電性能。這是因為這些雜質(zhì)原子可能會成為電荷載流子，改變硅的導(dǎo)電性。因此，在半導(dǎo)體制造過程中，必須要嚴(yán)格控制雜質(zhì)的濃度，通常要求在ppb級別甚至更低。砷是一種常用的摻雜材料，用來改變硅的電性能。在這種情況下，砷的濃度可能會被控制在幾十ppb到幾百ppb的范圍內(nèi)，這取決于制造的半導(dǎo)體設(shè)備的具體要求。
1ppm=1mg/kg 1ppm=1mg/L 1ppm= 0.0001%1 ppb = 1 μg/kg 1ppb=1ug/L1 ppt = 1 ng/kg 1 ppt =1ng/L 1ppm=1000ppb=1000000ppt極微量雜質(zhì)對芯片制造的影響
比如說，在硅晶體中，即使是ppb級別的微量雜質(zhì)也可能顯著改變硅的電性能。這是因為這些雜質(zhì)原子可能會成為電荷載流子，改變硅的導(dǎo)電性。因此，在半導(dǎo)體制造過程中，必須要嚴(yán)格控制雜質(zhì)的濃度，通常要求在ppb級別甚至更低。砷是一種常用的摻雜材料，用來改變硅的電性能。在這種情況下，砷的濃度可能會被控制在幾十ppb到幾百ppb的范圍內(nèi)，這取決于制造的半導(dǎo)體設(shè)備的具體要求。
轉(zhuǎn)載需注明出自本處。
我建了一個知識分享的社區(qū)，陸續(xù)上傳一些芯片制造各工序，封裝與測試各工序，建廠方面的知識，供應(yīng)商信息等半導(dǎo)體資料，目前已上各類半導(dǎo)體文檔400余個，解答問題50余條，并在不斷更新中。內(nèi)容遠(yuǎn)遠(yuǎn)豐富于日常發(fā)的文章，幫助各位抓住目前半導(dǎo)體的風(fēng)口。當(dāng)然也可僅關(guān)注本號，我定期都有發(fā)文章在上面，可以滿足小需求的讀者。
