自從AMD 5000系列CPU發(fā)布之后其實(shí)大家就發(fā)現(xiàn)了一個(gè)比較有趣的現(xiàn)象，通過(guò)一定的系統(tǒng)設(shè)置，可以讓處理器的L3緩存速度翻倍。而到了AMD最近發(fā)布的5800H筆記本，目前看到的一些測(cè)試L3緩存的速度還是比較低的，所以相應(yīng)的就產(chǎn)生了諸多的討論。那么AMD的L3緩存到底發(fā)生甚么事了，今天就為大家?guī)?lái)AMD L3緩存的測(cè)試報(bào)告。

與平時(shí)的測(cè)試不同，這次的測(cè)試只有一個(gè)模糊的目標(biāo)這次測(cè)試的數(shù)據(jù)量十分龐大，大約有270種不同的設(shè)置組合。
整個(gè)文章的測(cè)試目的其實(shí)并非在挖掘我手上這幾顆CPU的極限體質(zhì)，而是希望可以更多的厘清這些選項(xiàng)互相之間的關(guān)系。為大家的超頻掃除一些障礙。
也是由于整個(gè)測(cè)試其實(shí)一直處在一邊找資料一邊與一些大佬交流討論的狀態(tài)，所以相比最終的結(jié)論過(guò)程會(huì)因?yàn)槊杜e式的測(cè)試有些冗余。
最后的結(jié)果我會(huì)提煉成折線圖，盡可能簡(jiǎn)練的呈現(xiàn)給大家。并提供一個(gè)簡(jiǎn)單易讀的總結(jié)。

本文目錄：
·??5000系列的四分之三——測(cè)試平臺(tái)介紹
·??從超頻到翻車——AMD PBO小百科
·??看表必讀——測(cè)試項(xiàng)目介紹
·??流言終結(jié)者——快速排查測(cè)試
·??枚舉式測(cè)試——PBO三選項(xiàng)測(cè)試
·??甜黨還是咸黨——AMD PBO組合對(duì)比測(cè)試
·??降壓超頻真香——CTR驗(yàn)證測(cè)試

測(cè)試平臺(tái)介紹：
本次的測(cè)試重點(diǎn)是在CPU上，這次分別測(cè)試了R9 5950X、R9 5900X、R7 5800X。R5 5600X實(shí)在借不到所以只測(cè)了這三款。

測(cè)試主板主要用的是ROG的C8DH。

內(nèi)存是金士頓的DDR4 8G*2。

顯卡用到的是AMD RX 6900XT。

SSD是三塊INTEL 535 240G用作系統(tǒng)盤，480G*2主要是拿來(lái)放測(cè)試游戲。

散熱器是 ROG STRIX LC 飛龍 II 280 ARGB。

CPU現(xiàn)在無(wú)論INTEL或AMD，超頻時(shí)都會(huì)在電壓電流過(guò)載前先遇到溫度問(wèn)題。所以散熱器成了比較關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。

ROG飛龍二代官方宣稱改進(jìn)了冷頭水道，希望是可以幫助本次測(cè)試挖掘出更多東西。

底座還是可以看到細(xì)密的紋路，貌似一體式水冷廠商都不太愛(ài)搞鏡面。

相對(duì)而言，AMD CPU其實(shí)絕對(duì)滿載功耗會(huì)明顯低于INTEL，所以冷排規(guī)模倒是沒(méi)必要強(qiáng)行追求極限。280冷排應(yīng)對(duì)我們這次的測(cè)試綽綽有余。

風(fēng)扇規(guī)格是12V 0.6A，也就是說(shuō)ROG給的這個(gè)風(fēng)扇理論上可以很暴力。

硅脂是喬思伯的CTG-2。

電源是ROG的STRIX 850W。

測(cè)試平臺(tái)是Streacom的BC1。

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測(cè)試項(xiàng)目介紹：
為了盡可能壓縮最終呈現(xiàn)的圖表數(shù)量，這邊先提供數(shù)據(jù)圖表具體項(xiàng)目的對(duì)照表格，便于后續(xù)閱讀。

AMD PBO小百科：
這邊針對(duì)還不是特別了解AMD超頻機(jī)制的小伙伴來(lái)做一下科普。PBO是Precision Boost Overdrive的簡(jiǎn)稱，中文翻譯為:精確增壓超頻。這是AMD為新手玩家而準(zhǔn)備的超頻功能,作用類似于NVIDIA的Boost 4.0。
·??PBO一般認(rèn)為是包含三個(gè)選項(xiàng)：PPT、TDC和EDC。但是PBO實(shí)際還會(huì)受到Tj MAX的限制也應(yīng)該一并納入考慮。
·??PPT：Package Power Tracing，追蹤CPU插座能給處理器提供的功率（W）。
·??TDC：Thermal Design Current，因溫度限制能由供電模塊提供的電流（A）。
·??EDC：Electrical Design Current，因電氣限制能由供電模塊提供的電流（A）。
·??Tj MAX：Platform Thermal Throttle Limit，過(guò)熱保護(hù)溫度，對(duì)CPU的運(yùn)行溫度做出限制。Tj MAX默認(rèn)下是設(shè)置為CPU Package 90度，只能向下調(diào)節(jié)不能向上調(diào)節(jié)，所以直接無(wú)視這個(gè)選項(xiàng)。以上四項(xiàng)其實(shí)也是AMD DPTC的核心內(nèi)容。

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快速排查測(cè)試：

測(cè)試按照主板BIOS內(nèi)的設(shè)置EDC分為EDC-默認(rèn)和EDC-400A兩組。每組分別測(cè)試目前主流的三種微碼和相應(yīng)的內(nèi)存組合，合計(jì)18種組合方式。
·??這個(gè)環(huán)節(jié)主要測(cè)試之前看到有很多關(guān)于L3緩存的各種說(shuō)法，快速驗(yàn)證各種流言的真實(shí)性。
·??主板BIOS升級(jí)微碼到1.2.0.0導(dǎo)致L3降速：從測(cè)試來(lái)看，三個(gè)版本微碼下L3的速度大致相仿。與主板微碼沒(méi)有明顯的關(guān)聯(lián)。
·??內(nèi)存頻率設(shè)置導(dǎo)致L3降速：從測(cè)試來(lái)看，內(nèi)存頻率設(shè)置為2133、3200、4266、4600，L3的速度大致相仿。內(nèi)存時(shí)序設(shè)置為C14、C15、C20、C22，L3的速度大致相仿。所以與內(nèi)存頻率或時(shí)序設(shè)置沒(méi)有明顯的關(guān)聯(lián)。
·??CPU FLCK分頻導(dǎo)致L3降速：從測(cè)試來(lái)看，CPU FLCK不分頻的內(nèi)存2133、3200與L3速度與FLCK分頻的內(nèi)存4266、4600CPU FLCK相比，L3的速度大致相仿。CPU FLCK分頻沒(méi)有明顯的關(guān)聯(lián)。
·??主板BIOS下調(diào)整EDC設(shè)置可提升L3速度：從測(cè)試來(lái)看，EDC在主板BIOS中固定為400確實(shí)大幅提升了L3的運(yùn)行速度。但是R20跑分顯示在這個(gè)設(shè)置下，CPU性能并沒(méi)有提升，反而還出現(xiàn)了下滑。

主板BIOS下手動(dòng)設(shè)置PPT-395W、TDC-200A、EDC-400A與PPT-600W、TDC-600A、EDC-600A來(lái)對(duì)比，無(wú)腦放大到最后L3速度和R20跑分都出現(xiàn)下滑。CPU功耗也從145W下滑到115W，還是比較奇怪的。
·??如果用主板自帶的PBO來(lái)測(cè)試，可以看到L3速度雖然不高，但是R20的跑分顯著提升。
·??如果按照PBO設(shè)置在BIOS下手動(dòng)固定設(shè)置，可以看到L3速度會(huì)大幅下降，但是R20的跑分與默認(rèn)大致接近。

在主板BIOS下手動(dòng)設(shè)置PBO，PPT、TDC、EDC是可以設(shè)置并顯示為任意值。

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而當(dāng)使用RYZEN MASTER一類的軟件在系統(tǒng)下進(jìn)行設(shè)置，最高只能設(shè)置到PPT-395W、TDC-255A、EDC-200A。

在測(cè)試過(guò)程中技嘉的1.2.0.0版本BIOS也更新了出來(lái)，這邊也做了一些驗(yàn)證測(cè)試?？梢钥吹?/span>RYZEN MASTER下的最大設(shè)置值為PPT-900W、TDC-480A、EDC-600A。但是PBO ENABLE參數(shù)為PPT-900W、TDC-480A、EDC-215A。用RYZEN MASTER這類軟件在WINDOWS下手動(dòng)固定PBO參數(shù)的情況則并不相同。相當(dāng)于華碩主板在BIOS中手動(dòng)固定PBO參數(shù)，實(shí)際跑分只是改善L3緩存速度，對(duì)R20跑分同樣起反效果。

按照之前微星林大視頻《板廠沒(méi)有說(shuō)的秘密~ZEN3上市後兩大謎團(tuán)之L3緩存減半上篇》來(lái)看，微星主板的情況應(yīng)該與華碩類似。也就是在WINDOWS下通過(guò)RYZEN MASTER一類的軟件調(diào)整時(shí)仍然會(huì)保留節(jié)能策略。

我們從另一個(gè)針對(duì)筆記本的軟件RYZEN Controller來(lái)觀察，可以看到在這個(gè)軟件中就能看到更多的選項(xiàng)。但是RYZEN Controller并不支持AMD 5000系列桌面級(jí)處理器，無(wú)法拿來(lái)測(cè)試使用。

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初步結(jié)論：

這里我們先有一些初步的結(jié)論。
·??L3的速度受到主板BIOS內(nèi)部的一些參數(shù)制約，但是目前來(lái)看大部分主板都選擇隱藏相關(guān)參數(shù)。根據(jù)現(xiàn)有的資料來(lái)看，主板上至少會(huì)有“L3 QoS”這個(gè)隱藏選項(xiàng)。
·??如果我們要簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)L3速度的調(diào)整，可以通過(guò)調(diào)整EDC的值來(lái)實(shí)現(xiàn)。
·??但是不同主板的策略會(huì)有明顯的不同，例如華碩在PBO AUTO或ENABLE時(shí)“L3 QoS”等節(jié)能設(shè)置依然會(huì)比較強(qiáng)力的實(shí)行限制，但是技嘉會(huì)選擇大幅放開(kāi)或關(guān)閉相關(guān)的限制。當(dāng)華碩主板在BIOS下手動(dòng)固定PBO參數(shù)時(shí)，“L3 QoS”等節(jié)能設(shè)置也會(huì)被大幅放開(kāi)或關(guān)閉。
·??在節(jié)能選項(xiàng)放開(kāi)的情況下，對(duì)PBO參數(shù)按照默認(rèn)去設(shè)置，L3的速度反而大幅下降。所以可以進(jìn)而猜測(cè)“L3 QoS”只是其中一個(gè)部分，實(shí)際的選項(xiàng)會(huì)更多更復(fù)雜。
·??當(dāng)CPU設(shè)置非常不合理時(shí)，CPU的頻率可能會(huì)被強(qiáng)制限制在0.5GHz。正常進(jìn)系統(tǒng)不會(huì)有問(wèn)題，但是性能極低。
·??RYZEN MASTER的調(diào)節(jié)幅度會(huì)受到很大的限制，且放開(kāi)幅度會(huì)取決于不同主板廠商的選擇。在C8DH主板下限制為PPT-395W、TDC-255A、EDC-200A。
·??根據(jù)這個(gè)環(huán)節(jié)的測(cè)試結(jié)論，C8DH在WINDOWS下進(jìn)行調(diào)節(jié)帶來(lái)的CPU性能、功耗和頻率變化幅度更大，也就讓測(cè)試結(jié)果更有可觀察性。接下來(lái)的測(cè)試項(xiàng)目會(huì)圍繞C8DH在WINDOWS下調(diào)節(jié)PBO參數(shù)來(lái)展開(kāi)。
·??為了能夠突破RYZEN MASTER的參數(shù)限制，這邊采用了相同軟件接口的其他軟件來(lái)設(shè)置參數(shù)。不過(guò)在RYZEN MASTER下顯示最大值依然是PPT-395W、TDC-255A、EDC-200A。這里還是會(huì)往上去設(shè)置，看會(huì)不會(huì)有額外的效果。
·??按照最開(kāi)始的初步測(cè)試，對(duì)比華碩的參數(shù)PPT-395W、TDC-255A、EDC-200A與微星的參數(shù)PPT-500W、TDC-130A、EDC-215A。微星的參數(shù)效果似乎更好一點(diǎn)，所以下面的測(cè)試先是采用了PPT-500W、TDC-130A、EDC-215A作為基準(zhǔn)之一。


PBO三選項(xiàng)單項(xiàng)測(cè)試：
接下來(lái)我們就以枚舉的方式來(lái)對(duì)PBO的三個(gè)選項(xiàng)進(jìn)行測(cè)試，并繪制出相應(yīng)的性能曲線。這個(gè)部分主要用到的測(cè)試CPU還是R9 5900X，依照PPT、TDC、EDC，每個(gè)參數(shù)各兩套設(shè)置。
第一套參數(shù)是依照主板默認(rèn)的設(shè)置PPT-142W、TDC-95A、EDC-200A，第二套設(shè)置PPT-500W、TDC-130A、EDC-215A（模仿微星的PBO）。測(cè)試時(shí)根據(jù)需要每次固定其中兩個(gè)，變化其中一個(gè)。由于要枚舉式的撒網(wǎng)覆蓋，這個(gè)環(huán)節(jié)的測(cè)試項(xiàng)目會(huì)相對(duì)簡(jiǎn)單，以AIDA64的L3速度和R20 xCPU兩個(gè)為主。
在這里要強(qiáng)調(diào)一個(gè)概念，就是以下的PBO參數(shù)設(shè)置均會(huì)被Tj MAX溫度墻所限制，且這個(gè)墻的限制是最高級(jí)的。只有在調(diào)整倍頻的手動(dòng)超頻模式下才能解開(kāi)。只調(diào)節(jié)PBO的話是無(wú)法逾越的。

PPT參數(shù)測(cè)試：
如前文所述，PPT為控制CPU整體的功耗水平，在PBO中的權(quán)限排名第一，但是會(huì)被溫度墻限制。也就是當(dāng)不觸及溫度墻時(shí)，CPU觸發(fā)到PPT的限制都會(huì)向下降低功耗。從目前測(cè)試的情況來(lái)看華碩主板的fPPT與sPPT選項(xiàng)似乎是不起作用的，頂?shù)?/span>PPT限制之后就會(huì)立即維持在相應(yīng)的設(shè)置上。

第一組測(cè)試變量為PPT 0.001W-500W，固定TDC與EDC為默認(rèn)值。
·??可以看到一個(gè)很有意思的現(xiàn)象L3速度的頂點(diǎn)并沒(méi)有如預(yù)想的一樣出現(xiàn)在PPT設(shè)置較高的位置，相反是出現(xiàn)在PPT-100W的時(shí)候。
·??超出默認(rèn)值之后，L3速度反而是一路下滑并在PPT-160W時(shí)進(jìn)入比較穩(wěn)定的狀態(tài)。
·??R20 xCPU的分?jǐn)?shù)在達(dá)到默認(rèn)的PPT-142W時(shí)也基本接近頂點(diǎn)，后續(xù)基本持平。

第二個(gè)測(cè)試變量為PPT 100W-600W，固定TDC-130A與EDC-215A。
·??整體上與上一個(gè)表格的情況接近，L3速度整體呈先下降后持平的狀態(tài)。穩(wěn)定后的速度與BIOS默認(rèn)設(shè)置較為接近。
·??R20 xCPU的分?jǐn)?shù)在PPT-200W時(shí)達(dá)到峰值，后續(xù)大致也是持平。但是PPT-550W開(kāi)始似乎又有一點(diǎn)提升，這個(gè)提升比較奇怪，但是限于測(cè)試龐大沒(méi)有更多驗(yàn)證，且CPU實(shí)際不可能跑到這個(gè)功耗，建議先忽略。前后對(duì)比分?jǐn)?shù)從80XX提升到83XX。

TDC參數(shù)測(cè)試：
TDC目前來(lái)看是最有意思的一個(gè)選項(xiàng)，雖然官方的說(shuō)法是“根據(jù)溫度設(shè)置的電流墻”。但實(shí)際上的作用反而在認(rèn)知上顯得很模糊，從測(cè)試結(jié)果上看TDC應(yīng)該跟CPU的核心供電有很強(qiáng)的關(guān)聯(lián)度。而且當(dāng)CPU真的撞到溫度墻時(shí)，TDC設(shè)置較高也不會(huì)幫助到突破溫度墻。所以TDC在整個(gè)測(cè)試中被認(rèn)為是CORE的電壓限制解釋起來(lái)顯得更為自恰。

第一組測(cè)試變量為TDC 0.001A-200A，固定PPT與EDC為默認(rèn)值。整體曲線與PPT有些類似，但是也有明顯的不同。
·??在圖表上L3速度上升十分迅速，在TDC大于20A之后L3速度幾乎就完全恢復(fù)，甚至很快達(dá)到了峰值。出現(xiàn)峰值的TDC 40A-50A位置速度甚至高于默認(rèn)TDC-95A下的速度。
·??R20 xCPU的分?jǐn)?shù)則是比較穩(wěn)步的上升，在默認(rèn)的TDC-95A達(dá)到拐點(diǎn)。但是當(dāng)TDC進(jìn)一步提升到150A時(shí)在真正達(dá)到峰值，之后就維持比較平穩(wěn)的水平。

第二組測(cè)試變量為TDC 90A-350A，固定PPT-500W與EDC-215A。整體曲線與PPT的曲線相當(dāng)類似。

·??L3速度也是呈先下降后穩(wěn)定。穩(wěn)定后的L3速度與BIOS默認(rèn)設(shè)置下較為接近。
·??R20 xCPU的分?jǐn)?shù)在TDC-120A時(shí)達(dá)到拐點(diǎn)，后續(xù)大致持平。前后對(duì)比，分?jǐn)?shù)從82XX提升到84XX。

EDC參數(shù)設(shè)置：

EDC是針對(duì)整個(gè)CPU打包的電流限制選項(xiàng)，也是這次被猜測(cè)可以解決L3速度的神奇選項(xiàng)。從測(cè)試結(jié)果來(lái)看EDC與UNCORE的關(guān)聯(lián)度更高，雖然不能簡(jiǎn)單粗暴的劃上等號(hào)，但是EDC電流是否充足會(huì)很大程度上影響到L3速度的發(fā)揮。同時(shí)還有一個(gè)很關(guān)鍵的結(jié)論當(dāng)EDC>TDC的前提下，即使EDC很接近TDC，對(duì)R20 CPU的分?jǐn)?shù)也不會(huì)有負(fù)面影響。甚至在低EDC壓制UNCORE功耗的情況下，R20 CPU的分?jǐn)?shù)還會(huì)更高。當(dāng)然此時(shí)L3速度就會(huì)顯得頗為難看。

第一組測(cè)試變量為EDC 0.001A-500A，固定PPT與TDC為默認(rèn)值。
·??EDC的曲線與PPT和TDC有很大的差異。L3速度會(huì)很明顯的受到EDC收緊的壓制，大致在默認(rèn)設(shè)置的EDC-140A接近峰值，之后基本持平。
·??R20 xCPU的分?jǐn)?shù)提升速度很快，在EDC-100A時(shí)就會(huì)達(dá)到峰值，EDC繼續(xù)增加反而會(huì)小幅降低跑分，但達(dá)到EDC-140A之后也大致持平。

第二組測(cè)試變量為EDC 100A-500A，固定PPT-500W與TDC-130A。曲線與上一個(gè)EDC曲線較為類似。

·??L3速度的提升速度稍慢于上一個(gè)測(cè)試，在EDC-150A達(dá)到比較么，明顯的拐點(diǎn)，之后基本持平。
·??R20 xCPU的分?jǐn)?shù)在EDC-125A就大致達(dá)到拐點(diǎn)，之后基本持平。分?jǐn)?shù)也可以維持在84XX。

做一下簡(jiǎn)單的小結(jié)：
·??AMD CPU受到最大的限制還是在核心溫度，當(dāng)核心溫度達(dá)到溫度墻時(shí)，無(wú)論PBO如何設(shè)置都要受到這條的限制。
·??PTT是PBO三個(gè)參數(shù)中權(quán)限最高的，當(dāng)CPU能跑到超過(guò)PPT預(yù)設(shè)的功耗就會(huì)自動(dòng)限制整體的功耗。
·??TDC主要會(huì)影響CPU CORE功耗，表征就是TDC的變化對(duì)R20 xCPU的影響是最明顯的。
·??EDC主要會(huì)影響CPU UNCORE功耗，表征就是會(huì)明顯改變L3速度的大小。


AMD PBO組合對(duì)比測(cè)試：
有了上述的測(cè)試，我們就可以進(jìn)行更復(fù)雜的組合和測(cè)試項(xiàng)目覆蓋面更復(fù)雜的測(cè)試。為了控制測(cè)試規(guī)模，我們就不再以線性的方式來(lái)枚舉，而是直接來(lái)抓一些典型的數(shù)據(jù)。
測(cè)試項(xiàng)目上會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大，除了包含之前的AIDA64 L3速度、R20 xCPU分?jǐn)?shù)外，還會(huì)增加CPU-Z 1CPU分?jǐn)?shù)、CPU-Z xCPU分?jǐn)?shù)、刺客信條：英靈殿 1080P極高 1% LOW FPS、R20 xCPU下的CPU 頻率、R20 xCPU下的CPU 功耗和R20 xCPU下的CPU 電壓。另外會(huì)用比較簡(jiǎn)單的方式來(lái)統(tǒng)計(jì)R20 xCPU分?jǐn)?shù)除以CPU Package功耗、CPU EDC設(shè)置值乘以CPU電壓、CPU功耗減去CPU EDC設(shè)置值乘以CPU電壓。需要注意的是由于CPU頻率的測(cè)定是基于包含AVX指令集使用的R20，主要是為了便于把CPU拉到較大的負(fù)載觀察極限差異，不能代表CPU在一般nonAVX下實(shí)際能達(dá)到的頻率值。

這個(gè)部分的測(cè)試主要分為四個(gè)部分：
·??驗(yàn)證上一環(huán)節(jié)測(cè)試，測(cè)試默認(rèn)狀態(tài)、對(duì)PBO三個(gè)參數(shù)只提升其中一個(gè)選項(xiàng)。合計(jì)4個(gè)測(cè)試組合。
·??提升PBO三個(gè)參數(shù)中的兩個(gè)，另一個(gè)保持默認(rèn)狀態(tài)。合計(jì)測(cè)試3個(gè)組合。
·??同時(shí)提升PBO三個(gè)參數(shù)，合計(jì)測(cè)試4個(gè)組合。
·??手動(dòng)定頻并調(diào)整PBO三個(gè)參數(shù)，合計(jì)測(cè)試3個(gè)組合。

按照測(cè)試的環(huán)節(jié)也分四個(gè)部分來(lái)分析：
·??從測(cè)試1來(lái)看，提高TDC很明顯的提升了一定的CPU性能。
·??從測(cè)試2來(lái)看，同時(shí)提高PPT和TDC可以顯著提高R20的分?jǐn)?shù)，甚至高于同時(shí)提升三個(gè)選項(xiàng)的情況，但是會(huì)明顯惡化L3速度。比較不能自恰的是此時(shí)CPU整體的功耗已經(jīng)明顯大于EDC乘以CPU電壓的值，這個(gè)后面會(huì)再來(lái)分析。當(dāng)同時(shí)提高TDC和EDC時(shí)，則CPU功耗會(huì)明顯受到PPT設(shè)置的限制固定在142W上。當(dāng)同時(shí)提升PPT和EDC時(shí)，可以發(fā)現(xiàn)CPU的功耗提升很有限，CPU-Z和R20的分?jǐn)?shù)還雙雙出現(xiàn)了下滑。此時(shí)的CPU功耗不過(guò)137W，溫度上也遠(yuǎn)沒(méi)有達(dá)到溫度墻，所以我認(rèn)為TDC看起來(lái)更像是在控制CPU核心部分的電流。
·??從測(cè)試3來(lái)看，開(kāi)啟PBO或手動(dòng)提高PBO三個(gè)參數(shù)都可以讓CPU的性能有比較明顯的提升，L3速度則沒(méi)有明顯的提升。
·??從測(cè)試4來(lái)看，當(dāng)手動(dòng)固定頻率后L3速度就可以被直接解鎖，同時(shí)PBO三個(gè)參數(shù)對(duì)CPU的影響就相對(duì)不明顯了。
·??R9 5900X默認(rèn)的能耗比指數(shù)大約是59，當(dāng)開(kāi)啟PBO后能耗比指數(shù)會(huì)下滑到48左右。
·??針對(duì)游戲的部分，英靈殿自動(dòng)記錄的1% LOW FPS大體上沒(méi)有明顯的差異。

接下來(lái)對(duì)R7 5800X與R9 5950X來(lái)進(jìn)行類似的組合測(cè)試，來(lái)對(duì)比不同CPU的狀況。

R7 5800X PBO組合測(cè)試：
·??我手上的這顆R7 5800X看起來(lái)表現(xiàn)并不好，在默認(rèn)環(huán)境下CPU功耗一直都在135W以下徘徊。各種組合對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響都不大。在手動(dòng)定頻之后可以看到功耗可以進(jìn)一步提升，L3速度也可以明顯提升。
·??R7 5800X 默認(rèn)的能耗比指數(shù)大約是48，當(dāng)開(kāi)啟PBO后能耗比指數(shù)會(huì)下滑到46。
·??針對(duì)游戲的部分，英靈殿自動(dòng)記錄的1% LOW FPS大體上沒(méi)有明顯的差異。

R7 5800X EDC測(cè)試：

這里將PPT和TDC設(shè)置為CPU的預(yù)設(shè)值，只變化EDC。
·??L3速度也是大致呈先增長(zhǎng)后持平的模式。
·??R20 xCPU的分?jǐn)?shù)則是較為平緩，也不存在一個(gè)提前出現(xiàn)的峰值。可見(jiàn)單CCD的R7 5800X與雙CCD的R9 5900X，策略上有明顯的差異性。
·??在R7 5800X EDC測(cè)試中加入了電壓測(cè)試，這樣就可以對(duì)比EDC設(shè)置的理論值與實(shí)際CPU功耗的關(guān)系。
·??在測(cè)試的前面一段當(dāng)EDC設(shè)置為0.001A~60A這段，EDC設(shè)置計(jì)算出的功耗（EDC*V）是會(huì)小于CPU實(shí)際看到的功耗，同時(shí)EDC*V-POWER的值是固定在45W不到。這個(gè)數(shù)字很有意思，后續(xù)我們還會(huì)分析?？雌饋?lái)AMD會(huì)為CPU的UNCORE部分預(yù)留一部分功耗。
·??EDC繼續(xù)提升的時(shí)候，EDC*V-POWER的值逐步降低。當(dāng)EDC-100A時(shí)EDC略大于TDC-95A，EDC*V-POWER的值就非常接近于0。
·??我手上這顆R7 5800X的體質(zhì)挺難看的，CPU電壓最高接近1.3V。同時(shí)可以看到CPU電壓大致會(huì)隨EDC的提升來(lái)提升。

R9 5950X PBO組合測(cè)試：
·??R9 5950X的調(diào)教非常的激進(jìn)，所以與我原來(lái)的估計(jì)相悖。原來(lái)認(rèn)為絕對(duì)功耗較低的R7 5800X比較容易觀察相關(guān)的變化，而規(guī)格最高的R9 5950X比較不容易跑出區(qū)別，但是實(shí)際測(cè)試結(jié)果恰恰相反。R9 5950X具有非常大的挖掘空間，也就更能在我們的測(cè)試中看出差異性。
·??總體的趨勢(shì)上R9 5950X與R7 5800X和R9 5900X是高度相似，最大的差異是在開(kāi)啟PBO后CPU對(duì)UNCORE部分的限制更深，以此來(lái)優(yōu)先保證核心部分。
·??R9 5950X 默認(rèn)的能耗比指數(shù)大約是77，當(dāng)開(kāi)啟PBO后能耗比指數(shù)會(huì)下滑到55。從能耗比看明顯是優(yōu)于R9 5900X和R7 5800X。
·??針對(duì)游戲的部分，英靈殿自動(dòng)記錄的1% LOW FPS大體上沒(méi)有明顯的差異。

R9 5950X EDC測(cè)試：
這里將PPT和TDC設(shè)置為CPU的預(yù)設(shè)值，只變化EDC。
·??L3速度也是大致呈先增長(zhǎng)后持平的模式。
·??與R9 5900X類似，R20 xCPU分?jǐn)?shù)也是提前到達(dá)峰值，大約也是在EDC-100A。
·??在EDC-0.001A~80A這個(gè)區(qū)間也可以發(fā)現(xiàn)CPU會(huì)預(yù)留45W左右的功耗給UNCORE部分，這個(gè)差值歸零的位置也被延后到EDC-120A的位置，相比R7 5800X也明顯延后。
·??大致可以推算在默認(rèn)狀態(tài)下，R9 5950X的電流會(huì)比R7 5800X大20A，與R9 5900X基本一致。這顯然是不夠的，所以我們?cè)谇懊嬉粋€(gè)表可以看到開(kāi)啟PBO之后會(huì)對(duì)UNCORE部分進(jìn)行更深的限制，來(lái)保證CPU性能的發(fā)揮。

測(cè)試小結(jié)：
測(cè)試進(jìn)行到這里其實(shí)已經(jīng)頗為清晰，PBO玩到最后給我一股白學(xué)的味道。
·??PPT就好比是最終裁判的男主，只要觸及PPT設(shè)定的底線就一定會(huì)出手控制，左右整個(gè)局面。不過(guò)在大部分時(shí)候PPT直接拉到頂，然后讓他沒(méi)存在感就好，相對(duì)來(lái)說(shuō)是PBO中存在感最為稀薄的。
·??Tj MAX就好比是番劇的作者，不管PPT放寬到多少依然要受制于CPU溫度墻的限制。眾所周知芯片的功耗都是以廢熱的方式轉(zhuǎn)化，所以CPU的導(dǎo)熱能力就直接制約了CPU的功耗上限。即使是強(qiáng)行解鎖溫度墻，在物理上依然會(huì)面臨過(guò)熱宕機(jī)的問(wèn)題。原則上也不建議解鎖溫度墻，畢竟那樣對(duì)CPU的傷害比較大。
·??TDC很意外的被證明在CPU性能中扮演了很關(guān)鍵的角色，可以大幅影響CPU CORE的性能。很顯然在調(diào)試中應(yīng)該要盡可能優(yōu)先保證TDC而不是EDC。
·??EDC本來(lái)在測(cè)試前是被寄予厚望，以為會(huì)類似顯卡的EDC那樣對(duì)高頻的穩(wěn)定性，L3的速度等等都有巨大的影響，可以通過(guò)正確調(diào)整EDC來(lái)實(shí)現(xiàn)CPU性能的優(yōu)化。結(jié)果卻主要體現(xiàn)在了UNCORE性能上，EDC-TDC的數(shù)值很大程度上會(huì)影響UNCORE性能，但是對(duì)整個(gè)CPU性能的影響并沒(méi)有預(yù)想的大。
·??另外一個(gè)比較重要的發(fā)現(xiàn)是隨著EDC的增長(zhǎng)會(huì)比較明顯的提高CPU電壓，對(duì)于比較精細(xì)的性能調(diào)教來(lái)說(shuō)，較高的電壓會(huì)大量擠占功耗，導(dǎo)致寶貴的功耗池被過(guò)高的電壓虛耗。
所以可能還是會(huì)有人更傾向于優(yōu)先保證EDC使L3速度來(lái)讓整個(gè)CPU跑分的效果更加好看，但是我個(gè)人會(huì)更重視TDC來(lái)讓CPU最終的性能表現(xiàn)更好。或許AMD在PBO上也會(huì)有EDC黨與TDC黨之爭(zhēng)了。

AMD PBO超頻建議：

根據(jù)上一節(jié)的測(cè)試，我們可以進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)一個(gè)現(xiàn)象，就是AMD的CPU在EDC電流不足的情況下會(huì)額外保留45W的功耗。
·??R9 5950X的電壓大致在1V上下，這里就按照EDC=TDC+45來(lái)設(shè)置。
·??相比主板默認(rèn)PBO R20 xCPU分?jǐn)?shù)10900左右，按照這個(gè)設(shè)置可以讓R20 xCPU分?jǐn)?shù)超過(guò)11000。相對(duì)來(lái)說(shuō)是會(huì)有進(jìn)一步的提升。
·??ROG的PBO設(shè)置是讓TDC-255A大于EDC-200A，會(huì)反而降低了一點(diǎn)CPU功耗并不能讓CPU完全拉滿了跑，基本就卡在這個(gè)水平。用了EDC=TDC+45之后如果解鎖溫度墻，或想辦法提升散熱的話理論上可以跑得更高。
·??TDC-5A~95A這個(gè)區(qū)間內(nèi)，可以計(jì)算出EDC*V-POWER的值一直都是-13。所以桌面上的EDC與TDC差在30A~45A是最合理的區(qū)間。

CTR驗(yàn)證測(cè)試：
上一個(gè)表格中已經(jīng)盡可能優(yōu)化了CPU內(nèi)部不同部分之間的功耗配比，那么主要矛盾自然是轉(zhuǎn)移到了如何在有限的功耗里塞進(jìn)更高的電流。
那就是通過(guò)降壓的方式人為改變CPU的電壓曲線，相當(dāng)于變相提升了CPU的體質(zhì)。這個(gè)對(duì)默認(rèn)電壓偏高的CPU會(huì)尤其有幫助。采用CTR一類的軟件是比較靠譜的幫手。

這邊沒(méi)有很仔細(xì)的去調(diào)試，只是按照默認(rèn)的設(shè)置隨便跑一下。手上這個(gè)R9 5900X被調(diào)試到4.6G 1.15V，R20 xCPU分?jǐn)?shù)被拉到8800多，相比PBO下最高能折騰到8500多又有了進(jìn)一步的提升。

最后總結(jié)：
·??針對(duì)桌面級(jí)CPU，L3緩存的速度對(duì)游戲和CPU性能都沒(méi)有明顯的影響，可以忽略。
·??在測(cè)試細(xì)節(jié)中可以發(fā)現(xiàn)R9 5950X相比R9 5900X對(duì)UNCORE的功耗限制更嚴(yán)格，UNCORE性能的釋放可能是R9 5900X可以在游戲性能上略好于R9 5950X的原因。但是差距其實(shí)很小，沒(méi)有糾結(jié)的必要。
·??考慮正常的使用，AMD的默認(rèn)設(shè)置是選在不錯(cuò)的平衡點(diǎn)上，其實(shí)已經(jīng)十分合理。對(duì)于絕大多數(shù)人來(lái)說(shuō)調(diào)整的意義不大。
·??要進(jìn)行PBO超頻，主板自帶的設(shè)置一般不會(huì)差到哪里去。
·??要進(jìn)行PBO手動(dòng)設(shè)置（針對(duì)華碩主板）不建議在主板BIOS內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)以保留節(jié)能設(shè)置。PPT建議直接拉滿，EDC與TDC保持30A~45A的差距。
·??想要挖掘極限建議嘗試降壓法來(lái)挖掘電流擴(kuò)大的潛力。但是會(huì)明顯增大CPU的電流可能會(huì)損傷CPU。

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