強(qiáng)在哪？

早在21年7月的英特爾的“制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會(huì)”上，CEO帕特基辛格就展示了一系列光刻技術(shù)創(chuàng)新，包括RibbonFET和PowerVia兩種關(guān)鍵技術(shù)，這被英特爾視為對(duì)光刻行業(yè)的一記組合拳，也被英特爾認(rèn)為是幫助他們重回晶圓廠領(lǐng)導(dǎo)地位的關(guān)鍵技術(shù)。

在下周VLIS研討會(huì)上，英特爾將發(fā)表論文對(duì)技術(shù)進(jìn)行詳解。實(shí)際上我之前已經(jīng)有文章提到過(guò)PowerVia技術(shù)，這確實(shí)很可能將成為英特爾翻身之本。

PowerVia將在處理器的PCB背面封裝一片小芯片，這顆小芯片專門(mén)用于給正面的處理器芯片控制供電。

代號(hào)為Blue Sky Creek的測(cè)試芯片，幫助英特爾完善了PowerVia背面供電技術(shù)。PowerVia預(yù)計(jì)于2024年隨英特爾20A制程節(jié)點(diǎn)推出，是光刻行業(yè)首次實(shí)現(xiàn)芯片背面供電，解決了數(shù)十年以來(lái)的互連瓶頸問(wèn)題。

這項(xiàng)技術(shù)的背景，源自現(xiàn)在日益增長(zhǎng)的算力需求，特別是在現(xiàn)在AI和圖形計(jì)算，都需要尺寸更小、密度更高、性能更強(qiáng)的晶體管來(lái)達(dá)到高性能目標(biāo)。數(shù)十年前到現(xiàn)在，晶體管架構(gòu)中的電源線和信號(hào)線一直都在搶占指甲蓋大小的晶圓空間。通過(guò)在結(jié)構(gòu)上將兩者的布線分開(kāi)，可顯著提高芯片能效。英特爾表示，他們已將PowerVia的開(kāi)發(fā)與晶體管開(kāi)發(fā)分開(kāi)進(jìn)行，確保PowerVia能夠?yàn)橛⑻貭?0A和18A工藝而做好準(zhǔn)備。

英特爾提到，在自家測(cè)試產(chǎn)品上的結(jié)果很樂(lè)觀，其單元利用率超過(guò)了90%，同時(shí)有希望降低芯片的散熱成本，使芯片設(shè)計(jì)者能更加專注于產(chǎn)品的性能和效率提升。而在技術(shù)方面，測(cè)試結(jié)果顯示平臺(tái)電壓下降改善達(dá)30%以上，因此效率核心的頻率收益高達(dá)6%。

除了這項(xiàng)革命性的PowerVia技術(shù)，英特爾也將在VLSI會(huì)議上公布RibbonFET技術(shù)的論文，這一技術(shù)將進(jìn)一步提升晶體管密度，讓芯片性能更加增強(qiáng)。英特爾20A工藝以及PowerVia將在2024年上半年面向市場(chǎng)，希望消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品能率先見(jiàn)面。