天元航材給大家介紹下關(guān)于氮化鋁陶瓷基板的相關(guān)知識(shí)，我們的六方氮化硼可用于制備氮化鋁陶瓷基板過(guò)程中嗎？那么氮化鋁陶瓷基板如何制備呢？一起來(lái)看看吧！

ps：天元航材不提供氮化鋁陶瓷基板，以下僅對(duì)氮化鋁陶瓷基板相關(guān)制作工藝進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹！

陶瓷基板產(chǎn)品問(wèn)世，打開散熱應(yīng)用領(lǐng)域行業(yè)發(fā)展，陶瓷基板指的是銅箔高溫下直接鍵合到氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al2O3)陶瓷基片表面(單層或雙層)上面的新工藝板。按材料來(lái)區(qū)分可以分為Al2O3、BeO、AlN等多種。具備可靠性高、結(jié)合力強(qiáng)、高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱率、高絕緣性等優(yōu)質(zhì)性能指標(biāo)。主要應(yīng)用于汽車電子、大功率電力半導(dǎo)體模塊、航天航空及軍工用其他電子元件、LED照明等領(lǐng)域中。

近年來(lái)，隨著大規(guī)模集成電路及其電子設(shè)備朝著高速化、多用途、微型化、大功率的方面發(fā)展，各種各樣應(yīng)用領(lǐng)域?qū)π阅茏吭?、高密度電路的需求將增長(zhǎng)。在其中A1N陶瓷的應(yīng)用領(lǐng)域尤為突出。

A1N是III-V族半導(dǎo)體化合物，其晶體是以[A1N4]四面體為結(jié)構(gòu)單位的共價(jià)鍵化合物，25℃時(shí)晶格常數(shù)a0=3.1172，c0=4.9816，屬六方晶系。A1N陶瓷是新型無(wú)機(jī)非金屬材料，最高可穩(wěn)定到2473K，具備可靠的電絕緣性能、相對(duì)較低的介電損耗、低介電常數(shù)、出色的熱導(dǎo)率等出色的性能指標(biāo)，并且具有與Si相近的熱膨脹系數(shù)等等一些列出色的特性，被視作高集成度半導(dǎo)體基片和電子器件封裝的理想材料。因而有關(guān)于A1N功能陶瓷材料的研究受到了廣泛關(guān)注。

然而，電路密度和功能的不斷提升造成電路工作溫度不斷攀升，為了避免元件因熱聚集和熱循環(huán)的作用造成損壞，對(duì)基板材料的低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率等方面提出的問(wèn)題更加嚴(yán)格的。

為了解決以上出現(xiàn)的難題，下面給大家介紹一種氮化鋁陶瓷基板的制備工藝方法

1、將比例為(1~5)：1的六方氮化硼粉體和氨硼烷改性劑分散在第一溶劑（丁醇、乙酸乙酯、丙醇或乙醇）中，獲得氮化硼混合溶液，再將混合溶液倒進(jìn)砂磨機(jī)中，在轉(zhuǎn)速為700~1200rpm下，快速加工處理30~60min后，空氣干燥粉碎碾磨后獲得改性氮化硼;
2、將改性氮化硼、小于3μm的氮化鋁超細(xì)粉、多元燒結(jié)助劑（YF3-CaF2、Y203-Ca0、Y203-Ca0-Li20、Y203-CaF2或Y203-Ca0-Li203）、粘接劑（聚乙醇縮丁醛、聚乙二醇或聚氨酯）及其第二溶劑利用高分子混料設(shè)備攪拌均勻后獲得燒結(jié)漿料；
3、將流程二的燒結(jié)漿料通過(guò)真空脫泡機(jī)脫泡處理之后，利用流延機(jī)，獲得一定的厚度的流延帶；
4、將流程三的流延帶經(jīng)沖切、層壓、排膠和燒結(jié)后獲得細(xì)密的氮化鋁陶瓷基板。
5、將氮化鋁陶瓷基板用等離子體處理表面，然后再把銅箔貼到上述氮化鋁陶瓷基板上，基通過(guò)1000~1100℃處理之后獲得所需要封裝材料。