ASEMI三相整流模塊MDST200-16的優(yōu)勢(shì)在哪里?
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近二十年來,隨著專業(yè)生產(chǎn)各類電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù)、設(shè)計(jì)能力、工藝和測(cè)試設(shè)備,以及制造經(jīng)驗(yàn)的提升。2005年開發(fā)出滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機(jī)、大功率開關(guān)電源、不間斷電源、高頻感應(yīng)加熱電源和伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)放大器所需的“三相整流二極管整流橋開關(guān)模塊MDST200-16”,由于MDST200-16這種模塊具有較短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)和反向恢復(fù)峰值電流(IRM)以及具有低反向恢復(fù)電荷(Qrr)的FRED,因此變頻大幅度降低噪音,使變頻器EMI濾波電路中的電感和電容尺寸減小,價(jià)格降低,變頻器更容易兼容國(guó)內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)標(biāo)準(zhǔn)。
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MDST200-16參數(shù)描述
型號(hào):MDST200-16
封裝:MDST模塊
特性:三相整流模塊
電性參數(shù):200A1600V
芯片材質(zhì):GPP
正向電流(Io):200A
芯片個(gè)數(shù):6
正向電壓(VF):1.3V
芯片尺寸:500
浪涌電流Ifsm:1850A
漏電流(Ir):15mA
工作溫度:-55~+150℃
引線數(shù)量:7
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MDST200-16模塊化結(jié)構(gòu)提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性,同時(shí)降低了設(shè)備的生產(chǎn)成本,縮短了新產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的周期,提高了企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。由于MDST200-16在模塊內(nèi)部已經(jīng)完成了電路的布線,縮短了元器件之間的布線,可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)化布線和對(duì)稱結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),從而大大降低了器件線的寄生電感和電容參數(shù),有利于器件實(shí)現(xiàn)高頻化。此外,與相同容量的分立式設(shè)備結(jié)構(gòu)相比,模塊化結(jié)構(gòu)還具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外部接線簡(jiǎn)單、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn),從而大大減少了設(shè)備的種類并減輕設(shè)備的重量和成本,且模塊的主電極端子、控制端子和輔助端子與銅基板之間的絕緣耐壓有效值為2.5kV以上,可與各種模塊一起安裝在接地的散熱器上,有利于進(jìn)一步減小裝置的體積,簡(jiǎn)化裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
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以上就是關(guān)于ASEMI三相整流模塊MDST200-16的優(yōu)勢(shì)在哪里的詳細(xì)介紹。ASEMI品牌在整流橋和二極管領(lǐng)域已有12年的專業(yè)經(jīng)驗(yàn),供應(yīng)全系列高品質(zhì),高性能的整流橋和二極管產(chǎn)品。