書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：金屬和半導(dǎo)體納米材料的超臨界流體合成技術(shù)

編號(hào)：JFKJ-21-348

作者：炬豐科技

摘要

? 在不久的將來，物理和經(jīng)濟(jì)上的限制預(yù)計(jì)會(huì)限制使用電流的電子和光學(xué)設(shè)備的持續(xù)小型化。頂向下基于光刻的方法。因此，需要在納米尺度上合成和組織材料的非光刻方法。為了響應(yīng)這些技術(shù)需求，許多研究小組正在開發(fā)新的超臨界流體方法，以合成和自組裝納米材料的構(gòu)建塊 ，從 自下而上到結(jié)構(gòu)復(fù)雜的設(shè)備架構(gòu)。這篇概念論文重點(diǎn)介紹了使用超臨界流體合成金屬和半導(dǎo)體納米粒子和納米線的一些最新進(jìn)展。此外，我們描述了一種有效的超臨界流體方法，用于在介孔二氧化硅模板內(nèi)構(gòu)建金屬和半導(dǎo)體納米線的有序陣列。

簡介

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? 許多技術(shù)，包括電子學(xué)、分離科學(xué)和涂層，將通過控制納米級(jí)材料結(jié)構(gòu)的能力得到增強(qiáng)。將高密度的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)和處理電路封裝到特定的納米級(jí)陣列中，并利用與這些架構(gòu)相關(guān)的獨(dú)??特傳輸特性的能力，預(yù)計(jì)將導(dǎo)致未來幾代計(jì)算機(jī)處理器的設(shè)備尺寸比其他計(jì)算機(jī)處理器小很多倍，速度更快。當(dāng)前基于硅的處理器。然而，通過使用當(dāng)前的自頂向下基于光刻的方法，物理限制和經(jīng)濟(jì)因素預(yù)計(jì)會(huì)限制電子和光學(xué)設(shè)備的持續(xù)小型化。

概念

結(jié)論

? 當(dāng)前光刻技術(shù)的局限性促使人們尋求一種允許納米粒子和納米線合成的技術(shù)，具有高度控制，具有成本效益，可重復(fù)且易于與現(xiàn)有技術(shù)集成。迄今為止，尚未建立合成無缺陷納米顆?；蚣{米線的通用方法。由于 SCF 具有極大的化學(xué)靈活性和合成可調(diào)性。

圖 4. a) 在 SCW 中合成的 1-己硫醇穩(wěn)定的銅納米粒子的高分辨率和 b) 低分辨率 TEM 圖像。經(jīng) J. Am 許可轉(zhuǎn)載?；瘜W(xué) 社會(huì)。2001, 123, 7797。