這種單橋臂載波的管子，哪個管子發(fā)熱會大呢？

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MOS管的四大損耗：開通損耗，關(guān)斷損耗，導(dǎo)通損耗，續(xù)流損耗

上橋臂載波情況下：

假設(shè)I = 1A，Rdson = 3mΩ。所以，

導(dǎo)通損耗：P = I^2*Rdson = 3mW

續(xù)流損耗：P = U*I = 0.7V*1A = 0.7W

四大損耗各有占比，隨著電流的變化而變化的。可以通過理論去計算，但是不準(zhǔn)，實(shí)際情況需要通過波形測試進(jìn)行計算。我們這里先定性，不定量。

定性：

假設(shè)電流很小時，開關(guān)損耗比重大，哪個管子載波哪個管子熱；續(xù)流損耗大于導(dǎo)通損耗；

假設(shè)電流很大時，續(xù)流損耗大，哪個管子載波它的對應(yīng)同一個橋臂的另外一個管子就熱；開關(guān)損耗占比相對較小；哪個管子恒通，則相應(yīng)的導(dǎo)通損耗最小。

一個周期內(nèi)，載波的管子，在ON期間有損耗，OFF期間可以休息；恒通的管子在全周期內(nèi)都有損耗；續(xù)流的管子在ON期間休息，OFF期間有損耗。

如果負(fù)載電流實(shí)在是太大，比如100A，那么管子的續(xù)流相當(dāng)大，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗也大。那就要加散熱片，即使加散熱片，也要看管子的制作工藝，是塑封還是金封。發(fā)熱源是晶圓，傳到散熱片上面肯定是有熱阻的，那么如果電流太大，發(fā)熱很大，溫度就來不及傳到散熱片上，那么MOS管依舊會壞掉。這個時候，我們要盡快把熱源全部傳出來，可以分散熱源。比如采用并聯(lián)MOSFET的方式，那么這種方式有兩個好處，首先管子價格便宜了，熱阻也沒那么大了。其實(shí)由于MOSFET是壓控型的，所以可以并聯(lián)，只要控制GS電壓接到同一個驅(qū)動極，所以電壓是一致的。

怎么解決續(xù)流損耗的問題呢？即使2個并聯(lián)，承擔(dān)的續(xù)流損耗也是很大的。

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當(dāng)M1載波，M2恒通，M4續(xù)流時，它們的發(fā)熱是不一樣的。可能M4發(fā)熱最大，M1次之，M2發(fā)熱最小。能不能在同一個周期內(nèi)，讓它們之間的熱源再重新分配呢？

思路：讓熱源進(jìn)行分配，大家一起來承擔(dān)。

分時載波，一會兒上管載波，一會兒下管載波，這樣就把熱源分散了。

總結(jié)：

1、并聯(lián)MOS管。——增加硬件成本，軟件不需要改動。

2、分時載波。??——硬件不變，軟件改動，降低硬件成本。

在大電流情況下，二極管發(fā)熱是最嚴(yán)重的。而且它的散熱只能通過MOSFET內(nèi)部散熱，那么能不能把體二極管拿到外面來呢？

對于一個器件而言，它的功率受內(nèi)部晶圓影響，也受封裝影響，體積越大，散熱越好。封裝對應(yīng)著一個溫升的參數(shù)：器件每增加一瓦，對應(yīng)的溫升。相同的功率損耗，體積越小，則溫升越大。

如何把體二極管拿到外面來呢？讓MOSFET體二極管失效，在外面增加一個大封裝的二極管，這樣就分散了發(fā)熱源。

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對于上面這幅圖，怎么解決M4的續(xù)流問題呢？如何讓M4的體二極管不通。

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如上圖所示，是不是可以把MOSFET的體二極管失效了呢。但是會增加2個器件，而且體積也大。

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那么左邊的二極管放在上邊好，還是放在下邊好呢？肯定是放在上邊好，如果放在下邊，會影響GS電壓，同時，二極管的結(jié)電容效應(yīng)會引起GS之間的震蕩。畢竟下面是控制極，還是希望控制極相對干凈一點(diǎn)。一旦控制極受到干擾，就會影響漏極。

根據(jù)之前的分析，當(dāng)上管載波時，下管才會有續(xù)流，所以，只要在三個下管各加2個二極管即可，這樣就解決了下管發(fā)熱的問題。那么有時候大家看到有個電機(jī)控制有9個管子，這是因?yàn)橄旅娴娜齻€MOSFET又各自并聯(lián)了一個管子。

總結(jié)：

1、上橋載波，在三個下管分別各并聯(lián)一個MOSFET，功率降額使用

2、上橋載波，在三個下管采用兩個三極管方案失效體二極管，續(xù)流損耗拿到外面來，給MOSFET降低損耗負(fù)擔(dān)。

3、通過軟件的辦法，實(shí)現(xiàn)上下橋分時載波。

在單橋臂載波的時候，更多的時候采用上橋載波。主要考慮的是上管自舉電容充電的問題。