【科普】“芯球大戰(zhàn)”下的中國光刻機發(fā)展真相!
這是最好的時代,也是最壞的時代。
中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在不斷蘇醒,但有些地方卻仍掣肘于他國。

別的不說,先來談?wù)劰饪虣C吧。在芯片制造漫長的產(chǎn)業(yè)鏈中,光刻機是最為耀眼的明珠,它代表了人類科技發(fā)展的頂級水平(另一個是航空發(fā)動機),它是芯片制造中必不可少的精密設(shè)備。
簡單來說,做芯片缺了光刻機就相當(dāng)于被人掐住了脖子,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸抬頭的這一年,光刻機卻并沒有多大起色。很遺憾的說,在高端光刻機領(lǐng)域,中國沒有發(fā)言權(quán)。
難道光刻機從發(fā)明之初,中國就一直落于人后?不好下定論。文學(xué)史上有一句話:“脫離時代背景去分析人物事件都是耍流氓?!?/span>
因此,小編盡可能將自己投身于時代的洪流,站在幾十年后的今天,用淺薄的歷史觀去揭開沉重的枷鎖。走進(jìn)最初的光刻機時代,順著時間脈絡(luò),找出中國光刻機發(fā)展的歷程。此文僅為拋磚引玉,各位看官若有更獨到的見解也不妨指點一二。
緣起70年代
1952年,二戰(zhàn)的硝煙剛剛散去,中國開啟了計算機事業(yè),國家成立電子計算機科研小組,由數(shù)學(xué)研究所所長華羅庚負(fù)責(zé)。從這一年開始中國第一次有了經(jīng)濟數(shù)據(jù),GDP總量是日本的1.76倍,卻僅僅達(dá)到美國的8.3%。總量大于日本,但人均比日本少,發(fā)展水平與日本有一定差距,但差距并不算大。也就是說1950年代的中國和日本基本處在同一水平線上,但跟美國比根本不夠看。
1952-1959中美兩國GDP對比(美元)

1952-1959中日兩國GDP對比(美元)

1956年,我國第一只晶體三極管誕生,自此與發(fā)達(dá)國家一樣,中國也進(jìn)入半導(dǎo)體新紀(jì)元。此時距離貝爾實驗室研發(fā)的世界上第一只點接觸三極管已經(jīng)過去了9年。
世界上第一個晶體管
1958年我國第一枚鍺晶體管試制成功。
1961年我國第一個集成電路研制課題組成立。
1962年我國第一代硅平面晶體管問世。
1965年,我國第一塊集成電路在北京、石家莊和上海等地相繼問世。其中包括中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、河北半導(dǎo)體研究所(簡稱13所)、北京市無線電技術(shù)研究所(簡稱沙河器件所)等。
劃重點,在1962年,我國出現(xiàn)了硅平面晶體管。何為平面晶體管?
據(jù)百度百科資料:“采用平面工藝制作的晶體管,就叫做平面晶體管?!倍@所謂的平面工藝,主要就是利用光刻技術(shù)和二氧化硅膜的掩蔽作用來進(jìn)行選擇擴散和電極的蒸發(fā)。而對比上文可知,我國1965年第一塊集成電路誕生,可以大膽推測,我國利用光刻技術(shù)制造集成電路芯片的時間,差不多處于1965年前后。
1977年,中國恢復(fù)高考制度,中國年輕人被壓抑10年的悸動與渴望得到釋放,而正是在這一年,我國最早的光刻機-GK-3型半自動光刻機誕生,這是一臺接觸式光刻機(就目前所能得到的資料而言)。資料如圖所示:


GK-3光刻機
當(dāng)時的美國在20世紀(jì)50年代就已經(jīng)擁有了接觸式光刻機,期間相差了二十幾年,并且在一年之后,GCA又推出真正現(xiàn)代意義的自動化步進(jìn)式光刻機(Stepper),分辨率比投影式高5倍達(dá)到1微米。
此時的光刻機巨頭ASML還沒有出現(xiàn),日本的尼康和佳能已于60年代末開始進(jìn)入這個領(lǐng)域。
之后一年,改革開放,也就是1978年,1445所在GK-3的基礎(chǔ)上開發(fā)了GK-4,把加工圓片直徑從50毫米提高到75毫米,自動化程度有所提高,但還是沒有擺脫接觸式光刻機。

通過查閱《光電工程》1981年第05期期刊得知,同一年,中國科學(xué)院半導(dǎo)體所開始研制JK-1型半自動接近式光刻機,并在1981年研制成功兩臺樣機。

文中同時也提到了:
這兩段文字很明顯可以看出,當(dāng)時中國已經(jīng)知道分步投影光刻技術(shù)的顯著優(yōu)點,但是苦于國內(nèi)生產(chǎn)工藝尚不成熟,所以很難實現(xiàn)。
1982年科學(xué)院109廠的KHA-75-1光刻機,這些光刻機在當(dāng)時的水平均不低,最保守估計跟當(dāng)時最先進(jìn)的canon相比最多也就不到4年,而且從jkg系列至今仍再銷售的情況來看,都具有不錯的使用價值。
1985年,機電部45所研制出了分步光刻機樣機,通過電子部技術(shù)鑒定,認(rèn)為達(dá)到美國4800DSW的水平。如果資料沒有錯誤,這應(yīng)當(dāng)是中國第一臺分步投影式光刻機,采用的是436納米G線光源。按照這個時間節(jié)點算,中國在分步光刻機上與國外的差距不超過7年(美國是1978年)。
時間捋到這里,我們再來回顧一下五十年代-八十年代整個中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。五十年代開了個好頭,到六七十年代的時候,中國大陸的電子工業(yè)、半導(dǎo)體工業(yè)僅次于美國,領(lǐng)先于韓、臺、日。1979年上海元件五廠和無線電十四廠甚至成功仿制英特爾公司1974年推出的8080CPU,比德國仿制成功還早一年。


國產(chǎn)仿制CPU
一切都向著美好的方向發(fā)展,老一輩革命者和建造者奉獻(xiàn)自己的青春,造就了中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),很多資料顯示,當(dāng)時中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖然沒有超越當(dāng)時世界最先水平,但是差距并不大。更重要的是,打造了從單晶制備、設(shè)備制造、集成電路制造的全產(chǎn)業(yè)鏈,基本不依賴國外進(jìn)口,也就是說,中國以一國的供應(yīng)鏈去追趕整個西方發(fā)達(dá)國家聯(lián)盟的供應(yīng)鏈。要知道,當(dāng)時英特爾也是用的日本的光刻機。
被丟失的80年代
然而80年代來了。
1984年,實屬平常也不平常的一年,有一些東西開始悄然發(fā)生改變。脫下樸素的衣著,年輕人開始穿喇叭褲跳霹靂舞,理發(fā)店永遠(yuǎn)排滿人,那是個以夢為馬的年代。
同年,蘋果發(fā)布了營銷史上最偉大的電視廣告《1984》
還是這一年尼康已經(jīng)和GCA平起平坐,各享三成市占率。Ultratech占約一成,Eaton、P&E、佳能、日立等剩下幾家每家都不到5%。
就是這一年,日后的光刻機市場的絕對霸主ASML誕生了。
80年代底,中國開始奉行的“造不如買”的政策,一大批企業(yè)紛紛以“貿(mào)工技”為指導(dǎo)思想。產(chǎn)業(yè)拋卻獨立自主,自力更生的指導(dǎo)方針,盲目對外開放。
沒有頂層設(shè)計,中國的集成電路在科研,教育以及產(chǎn)業(yè)方面出現(xiàn)了脫節(jié),中國獨立的科研和產(chǎn)業(yè)體系被摧毀,研發(fā)方面是單打獨斗,科研成果轉(zhuǎn)化成產(chǎn)品的微乎其微。
產(chǎn)業(yè)在硬件上淪為組裝廠,為外資企業(yè)提供廉價勞動力;在軟件上圍繞國外制定的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)體系馬首是瞻,軟件工程師轉(zhuǎn)變?yōu)榱畠r的碼農(nóng)。
極其少數(shù)堅持獨立自主路線的企業(yè),在買辦和外資的夾縫中求生存。
眼看他起朱樓,眼看他樓塌了,中國半導(dǎo)體在五十年代到七十年代創(chuàng)造的盛景成了泡沫。
覆巢之下無完卵,此時的光刻機產(chǎn)業(yè)又能好到哪里去?
雖然后續(xù)一直在跟進(jìn)研發(fā),但大環(huán)境的落后加上本來就與世界先進(jìn)企業(yè)有差距,縱使中國在各個時間點上都有代表性成果,卻終究沒有在高端光刻機領(lǐng)域留下痕跡。
千禧年的醒悟
九十年代,光刻光源已被卡在193納米無法進(jìn)步長達(dá)20年,科學(xué)家和產(chǎn)業(yè)界一直在探討超越193納米的方案,當(dāng)然這個難點最后在2002年被臺積電的林本堅博士所攻破,他在一次研討會上提出了浸入式193nm的方案,最終通過獲得成功。
此時的中國才剛剛開始啟動193納米ArF光刻機項目,足足落后ASML20多年,這時候ASML已經(jīng)開始EUV光刻機的研發(fā)工作,并于2010年研發(fā)出第一臺EUV原型機,由三星、臺積電、英特爾共同入股推動研發(fā)。
這時候的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突然活了過來,2000年之后,中國芯片進(jìn)入了海歸創(chuàng)業(yè)和民企崛起的時代。中星微的鄧中翰于1999年回國,中芯的張汝京于2000年回國,展訊的武平和陳大同于2001年回國,芯原的戴偉民于2002年回國,兆易的朱一明于2004年回國,他們帶著豐富的經(jīng)驗和珍貴的火種,跳進(jìn)了中國半導(dǎo)體行業(yè)的歷史進(jìn)程之中。
2002年,上海微電子裝備有限公司承擔(dān)了“十五”光刻機攻關(guān)項目,中電科45所把此前從事分步投影光刻機的團隊遷到了上海,參與這個項目。至2016年,上海微電子已經(jīng)量產(chǎn)90納米、110納米和280納米三種光刻機,其中性能最好的是90nm光刻機。目前,我國從事集成電路前道制造用光刻機的生產(chǎn)廠商只有上海微電子(SMEE)和中國電科(CETC)旗下的電科裝備。
到這個節(jié)點,國際上已經(jīng)放棄了157納米的光源,除ASML掌握了EUV光源技術(shù)之外,其他各家使用的都是193納米ArF光源,中國在這點上與除ASML之外的“外國”是同步的。
總結(jié)來說,中國光刻機研制起于70年代后期,初期型號為接觸式或接近式光刻機,85年完成第一臺分步光刻機,此后技術(shù)一直在推進(jìn),各個時間點均有代表性成果,并未出現(xiàn)所謂完全放棄研發(fā)的情況,但也并沒有多大的起色。
不知有多少人會可惜曾經(jīng)失去的80年代。
星星之火
40年過去了,中國仍舊沒有走出困境,但細(xì)枝末節(jié)處已見微光。
2015年4月,北京華卓精科科技股份有限公司“65nmArF干式光刻機雙工件臺”通過整機詳細(xì)設(shè)計評審,具備投產(chǎn)條件。目前,65nm光刻機雙工件臺已獲得多臺訂單。接下來公司要完成28nm及以下節(jié)點浸沒式光刻機雙工件臺產(chǎn)品化開發(fā)并具備小批量供貨能力,為國產(chǎn)浸沒光刻機產(chǎn)品化奠定堅實基礎(chǔ)。作為世界上第二家掌握雙工件臺核心技術(shù)的公司,華卓精科成功打破了ASML公司在工件臺上的技術(shù)壟斷。
2017年6月21日,中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所牽頭研發(fā)的“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)”通過驗收。
2018年11月29日,中科院研制的“超分辨光刻裝備”通過驗收。光刻分辨力達(dá)到22納米,結(jié)合雙重曝光技術(shù)后,未來還可用于制造10納米級別的芯片。
曝光系統(tǒng)和雙工件臺系統(tǒng)的成功,成為了燎原的點點星火,為我國高端光刻機的研發(fā)生產(chǎn)提供了奠定堅實基礎(chǔ)。
更好還是更壞?沒有人可以預(yù)測,正如華為創(chuàng)始人兼總裁任正非在最近的一次訪談中說道:“自研芯片光砸錢不行,企業(yè)更需要物理學(xué)家、數(shù)學(xué)家等?!?/span>
光刻機想要進(jìn)入高端領(lǐng)域不光要砸錢還要人才。
不破,則不立。
附:光刻機簡介
光刻機簡單來說就是放大的單反,將光罩上的設(shè)計好集成電路圖形通過光線的曝光印到光感材料上,形成圖形。最核心的就是鏡頭,這個不是一般的鏡頭,可以達(dá)到高2米直徑1米,甚至更大。

到今天,根據(jù)使用光源的改進(jìn),光刻機已經(jīng)經(jīng)歷了五代產(chǎn)品的發(fā)展:
1.436nm g-line
可以滿足0.8-0.35 微米制程芯片的生產(chǎn),對應(yīng)設(shè)備有接觸式和接近式光刻機。
2.365nm i-line
同樣可以滿足0.8-0.35 微米制程芯片的生產(chǎn)。設(shè)備于上相同。
最早的光刻機采用接觸式光刻,即掩模貼在硅片上進(jìn)行光刻,容易產(chǎn)生污染,且掩模壽命較短。此后的接近式光刻機對接觸式光刻機進(jìn)行了改良, 通過氣墊在掩模和硅片間產(chǎn)生細(xì)小空隙,掩模與硅片不再直接接觸,但受氣墊影響,成像的精度不高。
3.248nm KrF
最小工藝節(jié)點提升至350-180nm 水平,在光刻工藝上也采用了掃描投影式光刻,即現(xiàn)在光刻機通用的,光源通過掩模, 經(jīng)光學(xué)鏡頭調(diào)整和補償后, 以掃描的方式在硅片上實現(xiàn)曝光。
4.193nm ArF
最小制程提升至 65nm 的水平。第四代光刻機是目前使用最廣的光刻機,也是最具有代表性的一代光刻機。
5.13.5nm EUV
1-4 代光刻機使用的光源都屬于深紫外光, 第五代 EUV光刻機使用的則是波長 13.5nm 的極紫外光。目前只有ASML有能力生產(chǎn)。
目前光刻機市場主要的光刻機供應(yīng)商有荷蘭的ASML、日本的NIKON和CANON,以及中國大陸的上海微電子裝備(SMEE)。但高端光刻機市場是由ASML一家,ASML公司掌握80%的國際市場份額,2018年營收109億歐元(折合人民幣825億)。
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看完文章的可以再看我昨天分享的華為芯片研發(fā)歷史,你才能真正感受到國家和民營企業(yè)一直在追逐芯片自研的道路上到底付出了什么。