一、使用電離釋放型動態(tài)水處理系統(tǒng)的幾個理由

傳統(tǒng)處理循環(huán)冷卻水的方法主要是加入化學(xué)藥品來抑制微生物生長和結(jié)垢，但因水中藥品和無機鹽隨水的蒸發(fā)而濃度增加，這樣須排放部分含藥和無機鹽的冷卻水，同時及時補充清潔水。傳統(tǒng)處理方法帶來的問題：系統(tǒng)用水量增加和大量排水，間接導(dǎo)致水費增加；微生物的抗藥性，要求及時地、適時地改變藥品；盡管如此，結(jié)垢問題、生物膜，軍團(tuán)菌三大問題還是不能解決。

由冷卻塔等設(shè)備形成的循環(huán)冷卻水系統(tǒng)是軍團(tuán)菌容易生存、繁殖的場所之一，同時可借助冷卻風(fēng)機，將軍團(tuán)菌散布至都市各個角落，對人體產(chǎn)生ji大的危害之隱患。

二、循環(huán)冷卻水質(zhì)穩(wěn)定性判斷

1、 ?飽和指數(shù)法：IL=Phe-PHs 式中IL-飽和指數(shù)（朗格利爾指數(shù)） 熱組為傳熱系數(shù)的倒數(shù) PHe-水的實例PH值 PHs-水的碳酸鈣飽和平衡時的PH值： （1） ? ? ? 當(dāng)IL＝PHe-PHs＞0時，水中的碳酸鈣處于飽和狀態(tài)，有結(jié)構(gòu)傾向。 （2） ? ? ? 當(dāng)IL＝PHe-PHs＝0時，水中的碳酸鈣剛好處于平衡狀態(tài)，不腐蝕、不結(jié)垢。 （3） ? ? ? 當(dāng)IL＝PHe-PHs＜0時，水中CO2過飽和，有腐蝕傾向。

2、 ?穩(wěn)當(dāng)指數(shù)法：IL＝2PHs-PHe

3、 ?臨界PH值法

4、 ?用試驗方法測得剛剛出現(xiàn)結(jié)垢時的水的PH值，稱為臨界PH值，用PHc表示。 動態(tài)離子群控制：PH值 ? ?電導(dǎo)率 ? ?濁度 ? ?鈣離子 ? ?鎂離子 ? ?軍團(tuán)菌 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 微生物 ? 總硬度 ? ?鋅離子 ?總鐵離子 ?正磷 ? ? ? 總磷 離子群的簡寫：Cooperate

三、動態(tài)；離子群的控制原理

在噴淋式冷卻塔中，軍團(tuán)菌易繁殖。軍團(tuán)菌也是一種非典型肺炎病菌，能在25-42℃水溫下迅速繁殖，這種病菌通常存在于空調(diào)冷卻塔，加濕器和冷熱水管道中，由飛灑的水滴和灰塵攜帶，通過建筑物的通風(fēng)系統(tǒng)和空調(diào)的新風(fēng)系統(tǒng)進(jìn)入室內(nèi)。

磷酸鹽和聚合物類阻垢劑冷卻水系統(tǒng)在水高濃縮倍數(shù)下進(jìn)行，由于磷酸鹽會大量的附著在金屬的表面上，反而引起結(jié)垢的危害，并且，聚磷酸鹽會水解生成正磷酸鹽，生成磷酸鹽垢。后有磷酸鹽和聚合物類阻垢劑的復(fù)合藥劑，即使冷卻水被高度濃縮，仍能充分發(fā)揮緩蝕和阻垢效果。

1、沉淀形成過程 構(gòu)晶離子（飽和溶液）成核作用 ? ? ? ?成長 ? ? ? ? ? ? ?｛聚集→無定開沉淀｝ ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?→ ? ? 晶核 ? → ? ?沉淀微粒｛定向排列→晶形沉淀｝2、成核作用（晶核的形成）
（1）均相成核作用（自發(fā)成核）
? ? ? ? 構(gòu)晶離子在過飽和溶液中由于靜電作用先形成離子對→離子群→晶核。
（2）異相成核作用（誘導(dǎo)成核）
? ? ? ? 溶液中某些固體微粒、容器壁上的毛刺等起晶種作用，形成晶核（晶核數(shù)不變）。 ?表面吸附
? ? ?吸附層：優(yōu)先吸附構(gòu)晶離子 。
? ? ? 擴(kuò)散層：優(yōu)先吸附與構(gòu)晶離子能形成溶解度小，離解度小的物質(zhì)的抗衡離子。當(dāng)C相近時，
? ? ?Z愈大，變形性愈大，越易被吸附；
? ? ? 當(dāng)Z相同時，C愈大，越易被吸附。
? ? ?一般，某些陰陽離子被吸附的強度順序 1/2SO2-4＜CI-＜Br-＜I-＜SCN-＜OH- Li+＜Na+＜K+＜Rb+＜Cs+＜NH+4＜Mg2+＜Ca2+＜Ba2+＜AI3+＜Fe3+···＜H+ ?參數(shù)與功能要求
? ? ? 過濾精度：1.0～8.0mm ? ? ? ? ? ? ? ? ? 管道連接：GB法蘭
? ? ? 離子置換率>90% ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 濁度<21 ? ? PH ? 7~8
? ? ? 總硬度<800mg/L ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 設(shè)備承壓≤1.6mpa
? ? ? ?電流：Ac220v ?50Hz ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?溶縮倍數(shù)：6～8倍
? ? ? ?除垢：>99% ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?防垢：>99%
? ? ? ?除銹：>98% ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?水溫：0~80℃
? ? ? ?殺軍團(tuán)菌率>99% ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 滅藻率>99%
? ? ? ?殺滅細(xì)菌率>99% ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 壓損<0.016Mpa
? ? ? ?流速1～25m/s ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?水頭損失：0.15～1.0m
? ? ? ?壓差范圍：28～310KPa ? ? ? ? ? ? ? ? ?電異率≤200us/cm
? ? ? ?防腐蝕率：<0.005毫米/年 ? ? ? ? ? ? ? ?腐蝕速度≤0.125mm／a(5mpy)
? ? ? ?色度≤80~100 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?陰離子N03

四、電離釋放型動態(tài)水處理器技術(shù)參數(shù)

型號進(jìn)出水口徑 （mm）較大處理
流量(T/H)主機尺寸副機尺寸電源離子群釋
放時間參數(shù)重量LHBLh1d主機副機LJDL-2S5035600120050068025161220220V1503045LJDL-3S8055600120050071027861225220V1503048LJDL-4S10090600120050071031861225220V1503056LJDL-5S125130600120050073032764525220V1503072LJDL-6S150190600120050073038269540220V1503080LJDL-8S200320600120050078041082540220V1503095LJDL-10S250500600120050080549085050220V15030126LJDL-12S300760600120050093552091050220V15030175LJDL-14S35011006001200500108055493080220V15030216LJDL-16S40013506001200500118057298580220V15030265LJDL-18S450160060012005001260600102580220V15030358LJDL-20S5002200600120050013457181070100220V15030475LJDL-24S6002900600120050014908411140100220V15030740LJDL-28S7003450600120050016209921186100220V15030999LJDL-32S80041506001200500170011901245100220V150301350