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《華林科納-半導體工藝》硅片刻蝕過程中化學反應流動的數(shù)值分析

2022-09-05 10:52 作者:華林科納  | 我要投稿

引言

硅晶圓作為硅半導體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層,進行化學蝕刻,在硅晶片的制造工序中,使共有旋轉(zhuǎn)軸的多片晶片在蝕刻溶液中旋轉(zhuǎn),通過化學反應進行蝕刻的表面處理。在化學處理之后,晶片的平坦度,因此為了控制作為旋轉(zhuǎn)圓板的晶圓周邊的蝕刻溶液的流動,實際上進行了各種改進。例如圖1所示的同軸旋轉(zhuǎn)的多個圓板的配置為基礎(chǔ),旋轉(zhuǎn)圓板和靜止圓板交替配置等。

圖1 晶片蝕刻工藝概念圖


作為分析對象的流場,設(shè)想了實際的蝕刻工程。如圖2所示,蝕刻溶液從水槽的下部供給,從水槽的上部溢出流出,由于旋轉(zhuǎn)圓板和靜止圓板配置了極多張,因此圓板間的流動在圓板的旋轉(zhuǎn)軸(Z軸)方向上是周期性的,如圖2左側(cè)所示,將1張旋轉(zhuǎn)圓板夾在2張靜止圓板之間的區(qū)域作為數(shù)值分析的對象。

圖2


對于旋轉(zhuǎn)圓板,假設(shè)為8英寸晶圓,半徑R=0.1m(直徑D=0.2m),該旋轉(zhuǎn)圓板的旋轉(zhuǎn)角速度為O=4.21 rad/s(=0.670 rps)。圖3中顯示了XY平面的代表性網(wǎng)格分割的例子。另一方面,圓板軸方向的網(wǎng)格分割,在預備計算的結(jié)果的基礎(chǔ)上,將圓板間隔進行20分割,由此可以充分評價圓板上形成的邊界層。

圖3


圖中在旋轉(zhuǎn)圓板和靜止圓板的半徑相同的情況下(R=0.1m),旋轉(zhuǎn)圓板和靜止圓板之間的配置間隔S中,從旋轉(zhuǎn)圓板到距離Z/S―1/4以及3/4的XY平面內(nèi)的流動速度矢量。在旋轉(zhuǎn)圓板附近,由于圓板的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力,流體畫出螺旋流出。另一方面,靠近靜止圓板的流場,靜止圓板周圍的流體畫出緩慢的螺旋流入圓板間的領(lǐng)域。

在實際的晶圓制造中,使用半徑稍小的圓板,其大小約為旋轉(zhuǎn)圓板的95%左右,為了定量地把握這種影響,通過改變靜止圓板的半徑Rs,明確了旋轉(zhuǎn)圓板周圍的流場的影響。結(jié)果, 圓板間的周方向的一次流以及子午面內(nèi)二次流的基本構(gòu)造是,不受靜止圓板大小的影響。

對于圓板的旋轉(zhuǎn)來說很重要的旋轉(zhuǎn)圓板表面上的全剪切應力T、γ的半徑方向分布。橫軸與圓板的直徑相對應,在圓板的中心部分,圓板間的流動為剛體旋轉(zhuǎn),因此,總剪切應力與X一起幾乎呈直線增加。另外,靜止圓板的半徑Rs的變化的影響很小,但是在旋轉(zhuǎn)圓板端的附近,圓板間流動的二次流動增強,從剛體旋轉(zhuǎn)開始不同。因此,總剪切應力急劇增大。

從蝕刻水槽下部流入的流體要素在平面內(nèi)的流跡線(因為是固定流,所以成為流線)。這些流入邊界中的流體的流入速度Vy=0·00146m/S,與旋轉(zhuǎn)圓板端的周速度V―0·421 m/S相比,極其緩慢。流體要素在圓板間的區(qū)域中螺旋流動,因此,在該范圍內(nèi)的蝕刻溶液不會從圓板的附近區(qū)域向外流出。

圖12

等值線的間隔是10―7kgmoum2·S.等值線是和圖12同樣的同心圓狀的分布,在圓板中心部變小,在圓板端變大,其變化與Ro的分布相比不太顯著。但是,靜止圓板的半徑對RF的分布產(chǎn)生了極大的影響,靜止圓板的半徑如果變小,RF就會大幅降低。因此,靜態(tài)圓板的半徑的影響在氟化反應中顯著地表現(xiàn)出來,并且通過數(shù)值模擬定量地揭示了該效果。特別是在晶圓生產(chǎn)現(xiàn)場,靜態(tài)圓板的半徑根據(jù)經(jīng)驗被設(shè)定為旋轉(zhuǎn)圓板半徑的約95%。因此,本研究的結(jié)果表明,在晶圓生產(chǎn)現(xiàn)場,靜態(tài)圓板的半徑被設(shè)定為旋轉(zhuǎn)圓板半徑的約95%。


討論和結(jié)果

在本研究中,通過使用熱流體分析軟件FLUENT,分析了實驗困難的硅晶圓的蝕刻過程中的流程和化學反應。其主要結(jié)果如下所示。這些結(jié)論與現(xiàn)實的蝕刻過程中晶圓的完成情況也是一致的:(1)晶圓的氧化反應在旋轉(zhuǎn)圓板(晶圓)的圓板端附近,反應急劇推進;(2)通過縮小靜止圓板的半徑L,氟化反應速度提高;(3)從蝕刻水槽下部流入的流體,由于旋轉(zhuǎn)圓板的旋轉(zhuǎn)較強,通過圓板間的區(qū)域,不經(jīng)過從水槽上部流出;(4)旋轉(zhuǎn)圓板上的Si和Si02的被覆率的半徑方向分布,成為在中央有峰的形狀。


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