IS200TTURH1CFD 具有八個堆疊管芯的存儲器芯片

芯片堆疊的存儲器最初是在20世紀30年代商業(yè)化的閃存行業(yè)。東芝介紹了一個資料儲存型閃存具有八個堆疊管芯的存儲器芯片在2007年4月，[38]然后海力士半導(dǎo)體公司2007年9月推出具有24個堆疊芯片的NAND閃存芯片。[39]

三維堆疊隨機存取存儲器(內(nèi)存)使用硅通孔(TSV)技術(shù)被商業(yè)化爾必達記憶，開發(fā)了第一個8?千兆字節(jié)?動態(tài)隨機存取存儲器芯片(堆疊有四個DDR3?同步動態(tài)隨機存取記憶體(Synchronous Dynamic random access memory)dies)于2009年9月發(fā)布，并于2011年6月發(fā)布。在2011年，SK海力士介紹16?GB DDR3內(nèi)存(40?納米class)采用TSV技術(shù)，[2]?三星電子引入3D堆疊32?GB DDR3(30?納米class)9月基于TSV，然后三星和微米技術(shù)宣布總部位于TSV混合存儲立方體(HMC)十月科技。[40]

JEDEC首次發(fā)布了針對寬IO內(nèi)存的JESD229標準，[41]經(jīng)過幾年的努力，HBM的前身于2011年12月推出，具有四個128位通道和單數(shù)據(jù)速率時鐘。第一個HBM標準JESD235于2013年10月發(fā)布。

AMD于2008年開始開發(fā)高帶寬內(nèi)存，以解決計算機內(nèi)存不斷增長的功耗和外形問題。在接下來的幾年里，AMD開發(fā)了解決芯片堆疊問題的程序，由AMD資深研究員Bryan Black領(lǐng)導(dǎo)一個團隊。[42]為了幫助AMD實現(xiàn)他們對HBM的愿景，他們從內(nèi)存行業(yè)，尤其是韓國公司那里招募了合作伙伴SK海力士,[42]之前有3D堆疊存儲器的經(jīng)驗，[2][39]以及來自插入式選樣行業(yè)(臺灣公司UMC)和包裝行業(yè)(阿姆科爾科技公司和美國證券交易所(American Stock Exchange)).[42]

3BSE042238R1 - ABB ADVANT AC800M - PP846 Process Panel 800-PP846
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PNI800 - ABB ADVANT AC800M - PN800 Plant Network Interface Module
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PU410K01 - ABB ADVANT AC800M - RTA Communications Kit for MB300 3BSE051826R1
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TB811 - ABB ADVANT AC800M - Optical ModuleBus Port 3BSE008568R1
TB842 - ABB ADVANT AC800M - Optical ModuleBus Port 3BSE022464R1