編輯-Z

英飛凌的IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDA都是汽車級MOS管，他們的封裝都是TO-247的，本體長度都是21.1mm，加引腳長度為41.42mm，寬度為16.13mm，高度為5.21mm，腳間距為5.44mm。下面是IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDA的詳細(xì)參數(shù)對比：

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型號：IPW65R150CFDA

連續(xù)漏極電流（ID）：72A

功耗（Ptot）：195.3W

貯存溫度和工作結(jié)溫（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：650V

柵極閾值電壓V(GS)th：4V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：1uA

柵源漏電流（IGSS）：100nA

漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)：0.135Ω

輸入電容（Ciss）：2340pF

輸出電容（Coss）：110pF

二極管正向電壓（VSD）：0.9V

反向恢復(fù)時間（trr）：140ns

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型號：IPW65R110CFDA

連續(xù)漏極電流（ID）：99.6A

功耗（Ptot）：277.8W

貯存溫度和工作結(jié)溫（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：650V

柵極閾值電壓V(GS)th：4V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：1.5uA

柵源漏電流（IGSS）：100nA

漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)：0.099Ω

輸入電容（Ciss）：2340pF

輸出電容（Coss）：160pF

二極管正向電壓（VSD）：0.9V

反向恢復(fù)時間（trr）：150ns

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強(qiáng)元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。