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疊瓦式磁記錄(SMR)——硬盤基礎(chǔ)知識

2019-04-18 08:37 作者:ACFUN-AK  | 我要投稿


SMR(Shingled Magnetic Recording)疊瓦式磁記錄盤是一種采用新型磁存儲技術(shù)的高容量磁盤。SMR盤將盤片上的數(shù)據(jù)磁道部分重疊,就像屋頂上的瓦片一樣,這種技術(shù)被稱為疊瓦式磁記錄技術(shù)。該技術(shù)在制造工藝方面的變動非常微小,但卻可以大幅提高磁盤存儲密度。



在數(shù)據(jù)量飛速增長的當(dāng)今世界,SMR技術(shù)可以有效降低單位容量的磁盤存儲成本,是未來高密度磁盤存儲技術(shù)的發(fā)展潮流。


盡管SMR盤的讀行為和普通磁盤相同,但它的寫行為有了巨大的變化:不再支持隨機(jī)寫和原地更新寫。這是由于SMR盤上新寫入的磁道會覆蓋與之重疊的所有磁道,從而摧毀其上的數(shù)據(jù)。換言之,相較傳統(tǒng)磁盤而言,SMR盤不再支持隨機(jī)寫,只能進(jìn)行順序追加寫。寫入方式的限制給欲使用SMR盤的存儲系統(tǒng)帶來了巨大的挑戰(zhàn)。


SMR盤的技術(shù)原理


文章內(nèi)容

SMR盤的技術(shù)原理

SMR盤的分類

大數(shù)據(jù)時代的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長,預(yù)計(jì)每兩年就會翻一番。硬盤作為一種經(jīng)濟(jì)高效的存儲介質(zhì),在當(dāng)今的存儲數(shù)字世界中依然起著中流砥柱的作用。


硬盤驅(qū)動器的存儲面密度(每單位面積存儲的位數(shù))受到物理定律的限制,目前硬盤使用的PMR垂直磁記錄(Perpendicular Magnetic Recording)技術(shù)即將達(dá)到其存儲密度極限。業(yè)界迫切希望引入新的技術(shù)來克服限制,繼續(xù)穩(wěn)步提升容量。


SMR盤是領(lǐng)先的下一代磁盤技術(shù)。 SMR盤在制造工藝方面的變動非常微小,因?yàn)樗3脂F(xiàn)有磁頭和介質(zhì)技術(shù)不變,它通過將磁道像屋頂上的瓦片那樣重疊在一起來實(shí)現(xiàn)其存儲面密度的增長。


具體來說,硬盤盤片被劃分為同心圓狀的磁道,磁道與磁道之間具有一定間隔,起到保護(hù)作用。硬盤的磁頭位于盤片記錄介質(zhì)的上方,包含用于寫入的寫磁頭和用于讀取的讀磁頭,二者是獨(dú)立的部件。在磁盤上想要寫入數(shù)據(jù),需要寫磁頭施加較強(qiáng)的磁場來改變盤片上的記錄,這就進(jìn)一步要求寫磁頭足夠大以產(chǎn)生所需的寫入磁場強(qiáng)度。因此,如果磁道沒有任何重疊,磁盤上每英寸能容納的磁道數(shù)量由寫磁頭的寬度所決定。

疊瓦式寫入則利用了磁盤讀取所需要的磁場強(qiáng)度低于寫入所需要的磁場強(qiáng)度的事實(shí)。換言之,磁盤讀取所需的磁道寬度可以小于寫入所需的軌道寬度,讀磁頭的寬度可以小于寫磁頭寬度。SMR盤上數(shù)據(jù)的寫入是通過部分重疊前一條磁道寫入的,同時留出了足夠的空間給較窄的讀磁頭讀取前一條磁道的數(shù)據(jù)。疊瓦式寫入的結(jié)果就是留給讀用的窄磁道,以及最后用于寫入的較寬的寫磁道,寫入將會覆蓋若干個讀磁道的寬度。


和傳統(tǒng)磁盤相比,SMR盤通過疊瓦式寫入在相同的面積內(nèi)容納了更多的磁道,從而提高了存儲面密度,進(jìn)而降低了磁盤單位存儲容量的成本。


SMR磁盤將磁道劃分為若干個帶(Band),即由連續(xù)磁道所構(gòu)成的可連續(xù)寫入?yún)^(qū)域,每個區(qū)域構(gòu)成一個需要順序?qū)懭氲幕締卧?。Band是SMR盤上的物理概念,其對應(yīng)的邏輯概念是“區(qū)域”(zone),是上層軟件所能看到的SMR盤的順序?qū)憛^(qū)域。一個zone的大小通常在256 MB量級。由于SMR盤仍然確保可以從磁道的未重疊部分讀取數(shù)據(jù),zone內(nèi)的數(shù)據(jù)讀取依舊可以隨機(jī)進(jìn)行。


SMR盤在生產(chǎn)制造時就劃分好了分區(qū),通過在zone之間出留出較大的間隔來標(biāo)識zone的起始位置。此外,硬盤廠商在SMR盤上一小塊區(qū)域內(nèi),通過采用傳統(tǒng)硬盤非重疊的磁道組織方式,犧牲了部分存儲密度以換取在這些zone內(nèi)隨機(jī)寫入的能力。這部分zone被稱為“傳統(tǒng)區(qū)”(Conventional Zone),為上層應(yīng)用的隨機(jī)寫提供了一個落腳點(diǎn)。


在傳統(tǒng)硬盤上,存儲在磁盤上的用戶數(shù)據(jù)由文件系統(tǒng)來管理,文件系統(tǒng)假定磁盤提供的塊接口中,塊是獨(dú)立可更新的單元。但是,由于疊瓦式寫入導(dǎo)致隨機(jī)寫和原地更新寫不再受支持,SMR盤需要全新的數(shù)據(jù)管理解決方案。尋找一種方法來高效地存儲、檢索和管理SMR盤中這些大塊順序?qū)憛^(qū)域中的數(shù)據(jù),而不會導(dǎo)致太多空間浪費(fèi)是非常具有挑戰(zhàn)性的。


SMR盤的分類


SMR盤采用疊瓦式記錄通過將一個zone內(nèi)的磁道按序部分重疊,獲得了更高的存儲面密度、更大的磁盤容量、更低的單位容量價格。在獲得這一好處的同時,SMR盤也對上層應(yīng)用提出了一些限制,包括SMR盤在zone內(nèi)只能順序?qū)?,不支持隨機(jī)寫,SMR盤的空間回收以一個Zone的大小(例如256MB)為粒度。


SMR盤對寫入的約束可在硬件側(cè)由硬盤本身來管理,亦可在主機(jī)側(cè)由軟件來進(jìn)行。前者被稱為“驅(qū)動器自管理的SMR盤”(Drive Managed SMR disk),以下簡稱DM SMR盤。后者則將SMR內(nèi)部的組織結(jié)構(gòu)通過新增接口向上層軟件暴露。


制定SCSI協(xié)議的T10國際組織和制定ATA協(xié)議的T13國際組織都針對SMR盤對SCSI和ATA協(xié)議進(jìn)行了相應(yīng)的拓展。


T10組織引入了ZBC(Zoned Block Commands),定義了SMR盤相關(guān)的術(shù)語和行為,成為SAS接口SMR盤所必須遵守的規(guī)范。


T13組織引入了ZAC(Zoned-device ATA Commands),與ZBC類似,是SATA接口SMR盤所必須遵守的標(biāo)準(zhǔn)。


ZBC和ZAC標(biāo)準(zhǔn)將SMR盤抽象成為一組Zone的集合,其中的Zone由一段連續(xù)的LBA構(gòu)成。ZBC與ZAC標(biāo)準(zhǔn)中均定義了SMR盤中可以存在的三種類型的Zone:


傳統(tǒng)Zone(Conventional Zone簡寫為C-Zone)

首選順序?qū)懭隯one(Sequential-Preferred Zone簡寫為SP-Zone)

強(qiáng)制順序?qū)懭隯one(Sequential-Required Zone簡寫為SR-Zone)

對C-Zone而言,和傳統(tǒng)硬盤一樣,它具有完全的隨機(jī)寫能力,對其中寫入IO的邏輯塊地址(LBA)的順序不做任何限制。C-Zone所占的大小一般不超過SMR盤容量的1%。


SP-Zone也不對寫入順序做強(qiáng)制性限制,但是,和C-Zone不同的是,SP-Zone位于SMR盤的順序?qū)懭雲(yún)^(qū)域,最適合順序?qū)憽P-Zone引入了寫指針(Write Pointer,以下簡稱WP)的概念,該指針等于該Zone內(nèi)的最大LBA,應(yīng)用程序應(yīng)該首選在SP-Zone內(nèi)的寫指針處寫入數(shù)據(jù)。盡管該硬盤本身在也能夠處理非寫指針處的寫入(隨機(jī)寫),但這是有代價的,會引起后續(xù)的數(shù)據(jù)遷移、垃圾回收等。


對于每個Zone,SR-Zone也暴露了寫指針WP的位置,但硬盤設(shè)備將拒絕寫入除寫指針指向的LBA以外的任何位置,也就是SR-Zone內(nèi)必須以寫指針當(dāng)前所在位置為起點(diǎn),進(jìn)行順序追加寫。


當(dāng)SR-Zone寫滿之后,則需通過Reset Write Pointer操作將該WP重置到該Zone開頭,即清空該Zone以回收空間,從頭開始寫入。SP-Zone和SR-Zone被統(tǒng)稱為寫指針區(qū)(Write Pointer Zone)。


如前所述,如果一塊硬盤采用了疊瓦式寫入技術(shù),但是對外不暴露Zone和WP,由硬盤固件本身來管理寫入的順序性約束,我們稱之為Drive Managed SMR。


如果一塊硬盤采用了疊瓦式寫入技術(shù),對外暴露了Zone和WP,并且所包含的Zone類型僅僅含有C-Zone和SR-Zone,那么我們稱之為Host Managed SMR(主機(jī)管理的SMR盤)。


如果一塊硬盤采用了疊瓦式寫入技術(shù),對外也暴露了Zone和WP,并且所包含的Zone類型由C-Zone和SP-Zone組成,那么我們稱之為Host Aware SMR(主機(jī)感知的SMR盤)。


HA SMR盤可以視為DM SMR盤和HM SMR盤的折中類型。


雖然DM SMR盤采用和傳統(tǒng)硬盤相同的接口,在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)一個疊瓦轉(zhuǎn)換層STL(Shingle Translation Layer)對外隱藏了順序?qū)懭氲南拗?,但它也有一個主要缺點(diǎn):


在某些帶有隨機(jī)寫的工作負(fù)載下,DM SMR盤內(nèi)順序?qū)懭雲(yún)^(qū)域需要進(jìn)行數(shù)據(jù)遷移、垃圾回收等背景操作,DM SMR盤的性能可能受到不可預(yù)測的影響,性能波動巨大。


相比之下,HM SMR盤不將自身偽裝為傳統(tǒng)磁盤,而是根據(jù)ZBC/ZAC標(biāo)準(zhǔn)對外暴露了zone和WP的抽象結(jié)構(gòu),允許上層軟件來完全管理SMR盤的順序?qū)懭爰s束,對不符合順序?qū)懸?guī)則的IO請求則直接返錯。通過向上暴露新接口,HM SMR盤的IO行為完全受軟件控制,因而其性能是可控的,能最大化發(fā)揮SMR盤的優(yōu)勢。


但劣勢是上層的軟件必須進(jìn)行修改才能使用HM SMR盤。HA SMR盤提供了和HM SMR盤一樣的新接口,但是當(dāng)其收到不符合順序?qū)懺瓌t的IO是,HA SMR盤將允許其寫入而非報(bào)錯,具有一定的靈活性。


無論采用哪一種類型的SMR盤,我們都需要將上層應(yīng)用的IO行為特點(diǎn)與SMR盤順序?qū)懙膬?nèi)在特點(diǎn)相匹配,否則就無法使SMR盤工作在最佳狀態(tài)。

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