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追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航怠?/span>

基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了第一代和第二代產(chǎn)品的優(yōu)點，采用JBS結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開關(guān)損耗。

第三代產(chǎn)品縮小了芯片面積，并沿用6英寸晶圓量產(chǎn)，產(chǎn)量將大大提高。

產(chǎn)品參數(shù)對比

01??正向?qū)▔航?

• 在常溫25°C和高溫120°C條件下，通過額定電流，測量二極管的VF值；

• 相比之下，Gen3產(chǎn)品不論是在常溫25℃還是在高溫120℃的條件下VF都比Gen1、Gen2更優(yōu)。

  VF?@25℃：Gen1> Gen2 > Gen3

  VF?@120℃ ：Gen1> Gen2 > Gen3

02??電源效率對比

碳化硅肖特基二極管應用在1500W電源的PFC電路中（位置如下圖）。

測試條件：

輸入電壓 100V、220V

輸出電壓 48V 輸出電流30A

• 二極管在1500W電源上工作1小時，待熱穩(wěn)定后的滿載效率對比；

• 在輸入電壓220V條件下，Gen3相比Gen1產(chǎn)品滿載效率提高0.1% 。

03??溫升測試

• 二極管在1500W電源上工作1小時，待熱穩(wěn)定后進行溫度對比；

• 從下圖可以看出，雖然第三代產(chǎn)品芯片面積減小了，但溫升效果并未因此變差，而是與前兩代產(chǎn)品基本持平。

04??通流測試

• 二極管固定在120°C的加熱平臺，通過額定電流（直流），溫度穩(wěn)定后測量VF和溫度；

• 相比之下，第三代產(chǎn)品的通流溫度和VF比Gen1、Gen2更優(yōu)：

  溫度：Gen1> Gen2 > Gen3

  VF：Gen1> Gen2 > Gen3

產(chǎn)品優(yōu)點

綜上所述，基本半導體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點：

• 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時VF隨溫度的增長率也更低，使應用導通損耗更低。

• 更低QC：第三代二極管具有更低QC，使應用開關(guān)損耗更低。

• 更高性價比：芯片面積減小后，第三代二極管具有更高性價比。

• 更高產(chǎn)量：使用6英寸晶圓平臺，單片晶圓產(chǎn)出提升至4英寸平臺的2倍以上。

（本文最早于2021年12月22日在基本半導體公眾號發(fā)布）