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ASE35P03-ASEMI替換CJAB35P03平替長(zhǎng)電、長(zhǎng)晶

型號(hào)：ASE35P03

品牌：ASEMI

封裝：TO-252

正向電流：35A

反向耐壓：30V

浪涌電流：

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：

芯片尺寸：

漏電流：

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：mos管、場(chǎng)效應(yīng)管

工作溫度：-55℃~+150℃

ASE35P03場(chǎng)效應(yīng)管

ASE35P03的電性參數(shù)：最大正向平均電流35A；最大反向峰值電壓30V

場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

ASEMI全系列封裝圖