ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基準(zhǔn)電壓源，具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正技術(shù)和外加離子注入場(chǎng)效應(yīng)管(XFET)技術(shù)，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435電壓隨溫度變化的非線性度降至低點(diǎn)。

與嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源相比，XFET基準(zhǔn)電壓源能以更低的電流(800 μA)和更小的電源電壓裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基準(zhǔn)電壓源是唯一適合5 V系統(tǒng)的低噪聲解決方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源電流輸出高達(dá)30 mA，最大吸電流能力為-20 mA。它還具有調(diào)整引腳，可以在±0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓，而性能則不受影響。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引腳MSOP和8引腳窄體SOIC兩種封裝。所有型號(hào)產(chǎn)品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍。

應(yīng)用

• 精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

• 高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器

• 醫(yī)療儀器

• 工業(yè)過程控制系統(tǒng)

• 光學(xué)控制電路

• 精密儀器

• 低噪聲（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 μV p-p（2.5 V輸出）

• 無需外部電容

• 低溫度系數(shù)

• A級(jí)：10 ppm/°C（最大值）

• B級(jí)：3 ppm/°C（最大值）

• 負(fù)載調(diào)整率：15 ppm/mA

• 電壓調(diào)整率：20 ppm/V

• 寬工作溫度范圍：7.0 V至18 V

MAX6226

LT6658AH-1.2

LT6658AH-1.8

LT6658AH-2.5

LT6658AH-3

LT6658AH-3.3

LT6658AH-5

LT6658AI-1.2

LT6658AI-1.8

LT6658AI-2.5

LT6658AI-3

LT6658AI-3.3

LT6658AI-5

LT6658BH-1.2

LT6658BH-1.8

LT6658BH-2.5

LT6658BH-3

LT6658BH-3.3

LT6658BH-5

LT6658BI-1.2

LT6658BI-1.8

LT6658BI-2.5

LT6658BI-3

LT6658BI-3.3