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Process Corner

• 晶體管模型要保證有足夠高的良率但又不能過于悲觀。

• 對(duì)晶體管建模的目的是使得晶體管的表現(xiàn)接近于真實(shí)情況，剔除悲觀。

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什么是SSG/FFG corner？

• 在非先進(jìn)工藝中，local variation對(duì)器件的影響比global variation的影響小很多，而在先進(jìn)工藝下，local variation變得越來越重要。

• 在非先進(jìn)工藝下，k-lib時(shí)一般會(huì)將local variatin和global variation同時(shí)考慮，STA分析時(shí)使用warst-case模型：ss和ff corner，ss corner中只包含early derate，ff corner只包含late derate。

• 在先進(jìn)工藝下，local variation占比越來越大，如果使用warst-case模型則過于悲觀，所以在k-lib時(shí)，只考慮global variation，local variation用統(tǒng)計(jì)學(xué)方法(OCV)進(jìn)行補(bǔ)償，這種方法對(duì)應(yīng)的corner即為ssg corner和ffg corner。

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什么是GNP Corner?

• 當(dāng)NMOS與PMOS的global variation關(guān)系很弱時(shí)(R^2<0.3)，與單個(gè)NMOS或者PMOS的3 sigma variation相比(下圖中黑色虛線)，NMOS-PMOS Pair有效3 sigma variation(下圖中粉色虛線)可以看到有明顯的降低。但需要注意的是，不能將R^2增加的太大，這會(huì)超過silicon數(shù)據(jù)范圍。

04

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Monte Carlo?仿真

• Monte-Carlo仿真：在隨機(jī)采樣基礎(chǔ)上計(jì)算得到近似結(jié)果，隨機(jī)采樣越多，得到正確結(jié)果的概率越大，但在獲得真正結(jié)果之前無法得知目前的結(jié)果是不是真實(shí)結(jié)果。其核心思路是：盡量找最好的，但不能保證是最好的。例如從100個(gè)蘋果中依次取出一個(gè)，得到最大的那個(gè)蘋果。

• Las-Vegas仿真：隨著采樣次數(shù)增加，得到正確概率增加，如果隨機(jī)采樣過程中已經(jīng)找到正確結(jié)果，則返回正確結(jié)果。其核心思路是：盡量找正確結(jié)果，但不能保證找到。例如從100把鑰匙中找到可以打開鎖的那一把。

• Monte-Carlo仿真通過高斯分布來模擬global variation和local variation。

• Total Monte-Carlo:?TT with global?gaussian and local?gaussian.

• Local Monte-Carlo: SSG/FFG with local?gaussian as signoff golden.

• Local Monte-Carlo?only:?no global variation