早前有消息指臺積電（TSMC）正在籌集更多資金，目的是向 ASML 購入更多更先進(jìn)制程的 EUV 光刻機(jī)，而這些都是為了新制程做好準(zhǔn)備。

在不久前歐洲微電子研究中心（IMEC）的CEO 在線上演講中表示，在與 ASML 的合作下，更先進(jìn)的光刻機(jī)已經(jīng)取得了重大進(jìn)展。同時透露 IMEC 的目標(biāo)是將下一代高解像度 EUV 光刻技術(shù)（High-NA EUV）商業(yè)化。由于此前的光刻機(jī)競爭對手早已陸續(xù)退出市場，目前 ASML 可以說是把握著全球主要的先進(jìn)光刻機(jī)產(chǎn)能。近年來，IMEC 一直與 ASML 研究新的 EUV 光刻機(jī)，目前目標(biāo)是將制程推進(jìn)到 1nm 及以下。

目前 ASML 已經(jīng)完成了 NXE: 5000 系列的 High-NA EUV 曝光系統(tǒng)基本設(shè)計，至于設(shè)備的商業(yè)化。最快要到 2022 年，而待臺積電與三星取到設(shè)備，大約要到 2023 年。與此同時，臺積電在材料上的研究，亦讓 1nm 成為可能。臺積電和交大聯(lián)手，開發(fā)出全球最薄，厚度僅有 0.7nm 的超薄2D 半導(dǎo)體材料絕緣體，可望借此進(jìn)一步開發(fā)出 2nm 甚至 1nm 的電晶體通道。

據(jù)悉，臺積電正為 2nm 后的先進(jìn)制程持續(xù)尋找設(shè)廠地域，包括橋頭科、路竹科，這些均在臺積電評估中長期投資設(shè)廠的考量之列。