據(jù)鈦信資本公眾號2月16日發(fā)布的文章，英諾賽科（蘇州）科技有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）近日完成近30億元D輪融資。本輪融資由鈦信資本領投，毅達資本、海通創(chuàng)新、中比基金、賽富高鵬、招證投資等機構跟投。

公開資料顯示，英諾賽科（Innoscience）成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)，旨在打造全球最大的采用全產業(yè)鏈模式，集設計、研發(fā)、生產和銷售為一體的氮化鎵（GaN）生產基地。公司采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產業(yè)鏈模式，建立了全球首條產能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產線。

據(jù)介紹，英諾賽科已成為全球第三代半導體硅基氮化鎵領域龍頭企業(yè)，也是全球唯一實現(xiàn)同時量產氮化鎵高、低壓芯片的IDM企業(yè)。

從核心技術的維度看，英諾賽科的核心技術集中于8英寸GaN-on-Si的外延、器件技術和工藝技術。以8英寸GaN-on-Si外延為例，英諾賽科正在使用最新一代的 Aixtron MOCVD reactor G5+C? 來生產8英寸GaN-on-Si晶圓。此外，英諾賽科開發(fā)了專為優(yōu)化高壓(HV)和低壓(LV)器件的8英寸GaN-on-Si外延緩沖技術。通過內部控制外延技術，可以快速調整外延制程，以適應特定的需求或應用。

從技術儲備的維度看，根據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科及其關聯(lián)公司，目前在全球126個國家/地區(qū)中，共有超過230件專利申請。值得注意的是，上述專利中近90%為發(fā)明專利。進一步分析來看，英諾賽科當前的專利布局，主要集中于氮化鎵、功率器件等相關技術領域。