自2022年2月下旬以來(lái)，存儲(chǔ)行業(yè)已經(jīng)歷超13個(gè)月的下行期；需求端，盡管PC、手機(jī)等出貨量仍處于低迷狀態(tài)，但隨著數(shù)據(jù)量的爆發(fā)式增長(zhǎng)，單機(jī)存儲(chǔ)需求量仍在逐年攀升，預(yù)計(jì)2023年存儲(chǔ)位元需求仍呈增長(zhǎng)之勢(shì)；供給端，原廠縮減資本開(kāi)支、降低產(chǎn)能利用率，行業(yè)庫(kù)存持續(xù)去化，本輪存儲(chǔ)供過(guò)于求的局面將逐步緩解，存儲(chǔ)價(jià)格有望于2023H2觸底，存儲(chǔ)底部漸近，復(fù)蘇可期。

根據(jù)IC sight數(shù)據(jù)，2011年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模為296億美金，而2022年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)758億美金，CAGR達(dá)8.9%。根據(jù)中金企信統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2025年全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到931.9億美元，2021年至2025年CAGR增速7.4%，其中三星依舊占領(lǐng)較大的市場(chǎng)份額，但還未形成絕對(duì)的寡頭地位。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)行業(yè)鏈公司有望持續(xù)發(fā)展，國(guó)產(chǎn)化替代空間廣闊。
以下我們將對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)具體展開(kāi)分析，從行業(yè)概況、當(dāng)前供需格局、產(chǎn)業(yè)周期復(fù)盤(pán)出發(fā)，對(duì)當(dāng)下國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)格局、技術(shù)趨勢(shì)、產(chǎn)業(yè)鏈及相關(guān)企業(yè)展開(kāi)具體論述，并以此為基礎(chǔ)對(duì)行業(yè)前景進(jìn)行展望，希望對(duì)大家全面了解存儲(chǔ)行業(yè)有所啟發(fā)。

01

行業(yè)概況

1、存儲(chǔ)器原理及分類(lèi)
原理：存儲(chǔ)器通過(guò)使用地址編址和電子靜態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)，通常被組織成一個(gè)二維矩陣，其中的每個(gè)單元稱(chēng)為一個(gè)存儲(chǔ)位置。在計(jì)算機(jī)需要讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)時(shí)，向存儲(chǔ)器發(fā)送地址信號(hào)，通過(guò)數(shù)據(jù)總線與存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳輸。
分類(lèi)：存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)可以分為光學(xué)存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器以及磁性存儲(chǔ)器。其中半導(dǎo)體存儲(chǔ)器主要基于半導(dǎo)體技術(shù)，通過(guò)電線控制電信號(hào)的流量來(lái)存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照掉電后數(shù)據(jù)是否保存，分為易失性存儲(chǔ)和非易失性存儲(chǔ)。易失性存儲(chǔ)主要以隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM為主，分為SRAM和DRAM兩類(lèi)，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）不需要周期性地刷新，速度比較快，但成本也較高，是利基產(chǎn)品。DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）需要周期性地刷新，它的速度較慢，但成本較低。目前市場(chǎng)上主流RAM產(chǎn)品是DDR4，廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器等計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
非易失性存儲(chǔ)最常見(jiàn)的是NAND Flash和NOR Flash。NAND Flash是Flash存儲(chǔ)器主流產(chǎn)品，占據(jù)近95%市場(chǎng)份額，具有容量大、成本低、速度快等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品，如手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)等。NOR Flash主要優(yōu)點(diǎn)是讀寫(xiě)速度快，主要應(yīng)用于特殊用途設(shè)備，如軍事、航空航天、工業(yè)控制。
2、行業(yè)發(fā)展演變
早期信息存儲(chǔ)以紙張、磁性媒介為主。早期的信息存儲(chǔ)主要依靠紙張，1725年法國(guó)人發(fā)明了打孔卡和打孔紙帶，這是最早的機(jī)械化信息存儲(chǔ)形式。1928年磁帶問(wèn)世，磁性存儲(chǔ)時(shí)代開(kāi)始，隨后在1932年，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器前身即磁鼓內(nèi)存問(wèn)世，存儲(chǔ)容量約62.5千字節(jié)。1936年，世界上第一臺(tái)電子數(shù)字計(jì)算機(jī)誕生，使用真空二極管處理二進(jìn)制數(shù)據(jù)，使用再生電容磁鼓存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但體積龐大。1946年，第一個(gè)隨機(jī)存取數(shù)字存儲(chǔ)器誕生，存儲(chǔ)容量4000字節(jié)，因體積過(guò)大后來(lái)被1956年IBM發(fā)明的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDD）替代。隨后，1965年只讀式光盤(pán)存儲(chǔ)器普及。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展已有半個(gè)世紀(jì)。1966年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）問(wèn)世，存儲(chǔ)器進(jìn)入半導(dǎo)體時(shí)代，最早單顆裸片（Die）容量為1kb，如今已達(dá)16Gb及以上。直到1980年，東芝發(fā)明了閃存（Flash），此后90年代，先后出現(xiàn)了USB、SD卡等多種Flash應(yīng)用。2008年，3D NAND技術(shù)萌芽，到2014年正式商用量產(chǎn)。由此看，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器發(fā)展已有55年，其中DRAM發(fā)展已有55年，F(xiàn)lash發(fā)展已有40年， 2D NAND和3D NAND技術(shù)差別巨大，實(shí)際上3D NAND發(fā)展歷史僅僅十余年，技術(shù)成熟度遠(yuǎn)不如DRAM。

3、成長(zhǎng)空間：數(shù)據(jù)量爆發(fā)驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)得益于人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、邊緣計(jì)算等新興技術(shù)在中國(guó)的快速發(fā)展，中國(guó)數(shù)據(jù)正在迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。據(jù)此前IDC預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)到2025年，中國(guó)數(shù)據(jù)圈將增長(zhǎng)至48.6ZB，占全球數(shù)據(jù)圈的27.8%，成為全球最大的數(shù)據(jù)圈。數(shù)據(jù)中心驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)。隨著數(shù)據(jù)量的大規(guī)模增長(zhǎng)，存儲(chǔ)設(shè)備在數(shù)據(jù)中心采購(gòu)的BOM中占比進(jìn)一步提升，美光曾提及，目前存儲(chǔ)芯片在數(shù)據(jù)中心采購(gòu)中比例約為40%，未來(lái)預(yù)計(jì)將提升至50%。數(shù)據(jù)中心將成為引領(lǐng)存儲(chǔ)市場(chǎng)增長(zhǎng)的重要引擎。

4、行業(yè)特性：存儲(chǔ)行業(yè)具有產(chǎn)品高度標(biāo)準(zhǔn)化、重資產(chǎn)、強(qiáng)周期、高度壟斷的特征產(chǎn)品高度標(biāo)準(zhǔn)化：存儲(chǔ)器的生產(chǎn)是對(duì)基本工作單元的重復(fù)生產(chǎn)，因此，存儲(chǔ)器有著產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化程度高、一致性強(qiáng)、用戶(hù)粘性弱、同類(lèi)產(chǎn)品可替代性強(qiáng)的屬性。從存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展的路線圖來(lái)看，NAND完成了從2D產(chǎn)品向3D產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化，技術(shù)上不再追求制程的突破，更加側(cè)重于疊層的增加；DRAM產(chǎn)品的制程進(jìn)展也呈放緩之勢(shì)，我們認(rèn)為10nm級(jí)的制程工藝，在未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)將是DRAM的主流工藝水平。盡管當(dāng)前存儲(chǔ)行業(yè)技術(shù)工藝依舊遵循摩爾定律，但整體先進(jìn)制程的進(jìn)展是趨緩的。重資產(chǎn)、強(qiáng)周期：存儲(chǔ)擁有著很強(qiáng)的技術(shù)和生產(chǎn)壁壘，而產(chǎn)品高度標(biāo)準(zhǔn)化、同類(lèi)產(chǎn)品可替代強(qiáng)（終端用戶(hù)使用品牌意識(shí)不強(qiáng)）的特征需要廠商在生產(chǎn)端形成規(guī)模優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，也能更加靈活的調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)；故存儲(chǔ)龍頭選擇以IDM的模式發(fā)展。從存儲(chǔ)行業(yè)的資本開(kāi)支可以看出，存儲(chǔ)資本開(kāi)支占營(yíng)收體量的30-40%左右，因此，存儲(chǔ)行業(yè)具有很強(qiáng)的重資產(chǎn)屬性。隨著數(shù)據(jù)量的持續(xù)膨脹，盡管存儲(chǔ)位元的需求在持續(xù)增長(zhǎng)，但由于供給端新增產(chǎn)能的集中釋放（新增產(chǎn)線往往需要兩年左右的時(shí)間周期）疊加庫(kù)存的擾動(dòng)，使得存儲(chǔ)價(jià)格呈現(xiàn)“暴漲—暴跌”的周期性波動(dòng)；而存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格的“暴漲—暴跌”變化使得存儲(chǔ)行業(yè)強(qiáng)周期。

高度壟斷：存儲(chǔ)行業(yè)是高度壟斷的行業(yè)。其中，DRAM市場(chǎng)以三星、美光、海力士三分天下，2022Q4四季度三大廠商占據(jù)了95%的市場(chǎng)份額；NAND市場(chǎng)以三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士五家公司壟斷市場(chǎng)（其中Kioxia和西部數(shù)據(jù)共用產(chǎn)線），2022Q4五家公司共占據(jù)97%的市場(chǎng)份額。

02

供需格局

1、供給側(cè)擴(kuò)產(chǎn)放緩，年內(nèi)有望現(xiàn)供需平衡拐點(diǎn)

（1）三大廠商資本開(kāi)支趨緩，關(guān)注減產(chǎn)進(jìn)度
美光、海力士、三星三大廠商預(yù)計(jì)資本開(kāi)支增速緩慢。2006年之后，美光、海力士、三星資本支出整體呈增長(zhǎng)趨勢(shì)，略有下降。2016-2020年出現(xiàn)較大波動(dòng)，2020年后波動(dòng)較小，整體增速放緩。

2022年后，三大廠商擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃放緩。2022年底美光宣布減產(chǎn)，2023年，DRAM的位元供應(yīng)量或?yàn)樨?fù)增長(zhǎng)，NAND的位元供應(yīng)量增長(zhǎng)率可能為個(gè)位數(shù)。2022年后可投產(chǎn)的新建工廠較少，三大廠商擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃整體放緩。
（2）DRAM產(chǎn)能釋放有限，年內(nèi)有望迎來(lái)價(jià)格拐點(diǎn)
DRAM供給增速慢于需求增速，23Q3有望達(dá)到平衡。隨著消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品去庫(kù)存、整體消費(fèi)能力和信心回升，2023年DRAM需求端有望重新恢復(fù)。DRAM供給端關(guān)注三星擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，我們認(rèn)為過(guò)度供給率將呈下降趨勢(shì)，將帶動(dòng)整體行業(yè)價(jià)格觸底回升。

2、需求側(cè)仍有增量，關(guān)注服務(wù)器及算力提升機(jī)會(huì)
智能手機(jī)、服務(wù)器和PC是存儲(chǔ)三大終端需求驅(qū)動(dòng)力。在三者中，2021年智能手機(jī)DRAM位元需求占比最大，約為42%；服務(wù)器DRAM位元需求占比為38%，略遜于智能手機(jī)；PC占比不足20%。在NAND Flash方面，據(jù)Trend Force預(yù)估，2023年，智能手機(jī)仍為NAND Flash市場(chǎng)終端第一大需求，占比38%；PC和服務(wù)器分別占比21%和23%；雖然2021年汽車(chē)存儲(chǔ)整體市場(chǎng)規(guī)模僅為手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)的十分之一，但在智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)發(fā)展大趨勢(shì)下，汽車(chē)存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展迅速，有望為存儲(chǔ)行業(yè)提供新的增長(zhǎng)動(dòng)能，根據(jù)預(yù)測(cè)，2021-2027年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)18.6%。

（1）服務(wù)器CPU平臺(tái)更新，拉動(dòng)未來(lái)DRAM需求增量
新一代服務(wù)器CPU平臺(tái)刺激換機(jī)需求，助推服務(wù)器需求增長(zhǎng)，拉動(dòng)DRAM需求未來(lái)增量。22Q3服務(wù)器出貨量同比下滑15%，但23年服務(wù)器CPU更新將再度拉升終端需求。Intel新一代代號(hào)為Sapphire Rapids、采用10nm+制程的第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，有望于23Q1規(guī)模量產(chǎn)，且亞馬遜、谷歌、Meta和微軟等科技公司計(jì)劃采購(gòu)基于Sapphire Rapids的新平臺(tái)，可預(yù)期Sapphire Rapids投放市場(chǎng)將會(huì)提振服務(wù)器DRAM的終端需求。另一廠商AMD新一款Zen4架構(gòu)Genoa處理器也于2022年底前出貨到OEM大廠，明年將推出針對(duì)原生云計(jì)算的Bergamo、技術(shù)及數(shù)據(jù)庫(kù)運(yùn)算的Genoa-X以及邊緣終端及電信基建的Siena等處理器，爭(zhēng)奪DDR5服務(wù)器市場(chǎng)份額。各大廠商陸續(xù)推進(jìn)換機(jī)進(jìn)程，有望進(jìn)一步推動(dòng)DRAM市場(chǎng)需求的增加。

DDR5滲透率的提高帶動(dòng)DRAM單臺(tái)服務(wù)器位元需求快速增長(zhǎng)，預(yù)估2022年增速約42%；由于NAND Flash相較于DRAM更具價(jià)格彈性，目前供過(guò)于求狀態(tài)下經(jīng)歷了均價(jià)連續(xù)多季下滑，可預(yù)期DDR5滲透率的提升將刺激服務(wù)器市場(chǎng)單臺(tái)位元需求增長(zhǎng)，TrendForce預(yù)估2023年enterprise SSD平均容量年成長(zhǎng)率為26%。
ChatGPT帶動(dòng)算力規(guī)模大幅提升，推動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求增長(zhǎng)。ChatGPT發(fā)布之后迅速引起全球范圍的廣泛關(guān)注，各大廠商也相繼宣布GPT模型開(kāi)發(fā)計(jì)劃。以GPT模型為代表的大模型訓(xùn)練和應(yīng)用帶來(lái)底層算力需求的顯著提升，相應(yīng)地，需要大量AI芯片為其提供算力支撐。訓(xùn)練AI模型需要規(guī)模龐大的數(shù)據(jù)集，在AI芯片中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)越多，訓(xùn)練大模型的速度就越快，訓(xùn)練準(zhǔn)確度也更高。因此，算力規(guī)模的提升，最終將帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片的需求增長(zhǎng)。
（2）智能手機(jī)、PC出貨量見(jiàn)頂，平均容量仍有增長(zhǎng)空間
隨手機(jī)容量規(guī)格提升，智能手機(jī)DRAM單機(jī)位元需求年成長(zhǎng)仍能維持一定增長(zhǎng)，據(jù)TrendForce預(yù)估，2023年mobile DRAM單機(jī)搭載容量年增速約5%；智能手機(jī)NAND Flash方面，5G智能手機(jī)滲透率逐步提升，疊加應(yīng)用面高像素拍攝需求帶來(lái)的更大存儲(chǔ)容量配置。同時(shí)iPhone產(chǎn)品組合仍全線向更高容量升級(jí)，Android高端機(jī)種也跟進(jìn)將512GB作為標(biāo)準(zhǔn)配備，中低端機(jī)種儲(chǔ)存空間則隨硬件規(guī)格持續(xù)升級(jí)而提高，整體智能手機(jī)市場(chǎng)平均位元需求仍有增長(zhǎng)空間，預(yù)估2023年NAND Flash單臺(tái)智能手機(jī)位元需求仍能維持22.1%的高水平增長(zhǎng)。

22Q4PC出貨量為6740萬(wàn)臺(tái)，同比下跌28.1%；全年銷(xiāo)量2.85億臺(tái)，比需求高峰（2021年）下滑16%，但與疫情前（2019年）相比全年出貨量增長(zhǎng)了7%，處于正常水平，但預(yù)期未來(lái)成長(zhǎng)空間較小。從各類(lèi)應(yīng)用來(lái)看，高通脹持續(xù)沖擊消費(fèi)市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫(kù)存是品牌的首要目標(biāo)，尤其前兩年面對(duì)疫情造成的上游零部件缺料問(wèn)題，品牌超額下訂，疊加渠道銷(xiāo)售遲緩，使得目前筆電整機(jī)庫(kù)存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。

PC DRAM方面，由于LPDDR5與DDR5持續(xù)滲透，DDR4與LPDDR4X于PC端應(yīng)用的比重將進(jìn)一步降低。但當(dāng)前DDR5的價(jià)格仍相對(duì)較高，高額的定價(jià)或?qū)⒊蔀橄拗芇C單機(jī)搭載容量成長(zhǎng)的一大因素，預(yù)估2023年P(guān)C DRAM單機(jī)搭載容量年增速約7%。但若明年DDR5原廠下調(diào)價(jià)格轉(zhuǎn)趨積極，則可能帶動(dòng)單機(jī)搭載容量年增長(zhǎng)上升至9%，取決于DDR5相較于DDR4的溢價(jià)空間能否有效收斂。
PC client SSD方面，預(yù)估平均搭載容量?jī)H小幅上升11%，為近三年來(lái)最低。主要是過(guò)去兩年疫情使筆電出貨大增，同時(shí)也帶動(dòng)SSD搭載率增加；單臺(tái)平均容量受過(guò)去SSD主控IC供應(yīng)吃緊影響，積極推升平均容量成長(zhǎng)。由于近兩年筆電整機(jī)成本受到零部件漲價(jià)而不斷提高，2023年P(guān)C品牌廠都規(guī)劃較為保守的SSD容量位元需求，預(yù)估PC方面NAND Flash單機(jī)平均位元需求增長(zhǎng)較小。
（3）智能電動(dòng)車(chē)帶來(lái)主流與利基型存儲(chǔ)第二曲線
2022年全球汽車(chē)銷(xiāo)量為8105萬(wàn)臺(tái)，同比下跌1.98%，TrendForce預(yù)估2023年全球汽車(chē)市場(chǎng)有望恢復(fù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，達(dá)8410萬(wàn)臺(tái)，實(shí)現(xiàn)年增長(zhǎng)率3.8%。

高等級(jí)自動(dòng)駕駛汽車(chē)，對(duì)車(chē)載存儲(chǔ)容量、密度和帶寬需求大幅提升。目前L1-L2級(jí)自動(dòng)駕駛汽車(chē)主要采用LPDDR3或LPDDR4，帶寬需求25-50GB/s，而對(duì)于L3級(jí)自動(dòng)駕駛，帶寬要求提升至200GB/s，L4級(jí)自動(dòng)駕駛，帶寬要求進(jìn)一步上升到300GB/s，L5級(jí)自動(dòng)駕駛，帶寬要求達(dá)到500GB/s以上，預(yù)計(jì)將選用更高帶寬的LPDDR5、GDDR6以簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
當(dāng)前車(chē)載市場(chǎng)中主要的存儲(chǔ)應(yīng)用包括DRAM（DDR、LPDDR）和NAND（eMMC和UFS等）。低功耗的LPDDR和NAND將成為主要增長(zhǎng)點(diǎn)，負(fù)責(zé)芯片啟動(dòng)的NOR Flash需求也將持續(xù)提升；智能駕駛等級(jí)提升對(duì)專(zhuān)門(mén)用于車(chē)載ADAS浮點(diǎn)計(jì)算芯片的RAM產(chǎn)品GDDR的需求量也將有直接影響；更加強(qiáng)大的傳感器和ADAS/AD集成系統(tǒng)、中央計(jì)算機(jī)和數(shù)字駕艙、事件記錄系統(tǒng)、端云計(jì)算、整車(chē)FOTA等，要求存儲(chǔ)空間走向TB級(jí)、存儲(chǔ)密度和帶寬大幅提升；自動(dòng)駕駛汽車(chē)內(nèi)外感知設(shè)備不斷增加，包括前置攝像頭、內(nèi)視攝像頭、高分辨率成像雷達(dá)、LiDAR等，也將大量使用高密度NOR Flash（QSPI、xSPI等，用于芯片啟動(dòng)）、DRAM（LPDDR3/4、LPDDR5、GDDR等），都為汽車(chē)存儲(chǔ)市場(chǎng)提供了強(qiáng)大的增長(zhǎng)動(dòng)能。據(jù)Counterpoint預(yù)測(cè)，未來(lái)十年，單車(chē)存儲(chǔ)容量將達(dá)到2TB-11TB，以滿(mǎn)足不同自動(dòng)駕駛等級(jí)的車(chē)載存儲(chǔ)需求。
2022年車(chē)規(guī)級(jí)和工業(yè)類(lèi)產(chǎn)品仍占據(jù)年度熱度較高的品類(lèi)，TI、Wolfspeed等半導(dǎo)體原廠巨頭均在22Q4日歷年的業(yè)績(jī)會(huì)上發(fā)表聲明稱(chēng)，“公司將會(huì)將未來(lái)的戰(zhàn)略重點(diǎn)放在工業(yè)和汽車(chē)產(chǎn)品上，我們的工業(yè)和汽車(chē)品類(lèi)客戶(hù)正在越來(lái)越多的轉(zhuǎn)向模擬技術(shù)和嵌入式技術(shù)，這種趨勢(shì)已經(jīng)導(dǎo)致并將繼續(xù)導(dǎo)致車(chē)載存儲(chǔ)位元需求的快速增長(zhǎng)，并可預(yù)計(jì)這種上漲將明顯快于其他市場(chǎng)的增長(zhǎng)?！卑雽?dǎo)體原廠與下游企業(yè)向汽車(chē)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略?xún)A斜，或許預(yù)示著汽車(chē)存儲(chǔ)將快速成長(zhǎng)為存儲(chǔ)行業(yè)終端需求的一大支柱，為主流存儲(chǔ)芯片和利基型存儲(chǔ)芯片帶來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力。

03

產(chǎn)業(yè)周期復(fù)盤(pán)

1、全球存儲(chǔ)行業(yè)復(fù)盤(pán)：大市場(chǎng)與強(qiáng)周期并存

存儲(chǔ)器為全球半導(dǎo)體第二細(xì)分市場(chǎng)，歷史表現(xiàn)與全球半導(dǎo)體周期走勢(shì)一致，但波動(dòng)性大于整個(gè)行業(yè)。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）的數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模為5559億美元，同比增長(zhǎng)26%。其中存儲(chǔ)器細(xì)分賽道的占比為28%，市場(chǎng)規(guī)模為1538億，同比增加31%。2023年全球半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到5566億美元，同比減少4%。其中存儲(chǔ)器細(xì)分賽道的占比將下滑到20%，市場(chǎng)規(guī)模將下降到1116億美元，同比減少17%。從歷史上看，半導(dǎo)體以及存儲(chǔ)細(xì)分賽道呈現(xiàn)出趨同的周期性，但存儲(chǔ)板塊在一定程度上放大了行業(yè)整體波動(dòng)性。2000年以來(lái)，全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)歷多輪周期，當(dāng)下我們正走在2021年以來(lái)的下行周期，周期底部漸行漸近。

半導(dǎo)體領(lǐng)域彈性最大的存儲(chǔ)板塊，有望在2023年下半年迎來(lái)止跌?；仡櫴澜绨雽?dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）披露的歷年全球半導(dǎo)體各板塊銷(xiāo)售同比增速，存儲(chǔ)行業(yè)的營(yíng)收增速?gòu)囊?jiàn)頂?shù)揭?jiàn)底通常為1-2年：2H2006-1H2008，2H2020-1H2011，2H2014-1H2016，2H2017-1H2019。從上一輪周期看，存儲(chǔ)板塊的銷(xiāo)售增速在2017年上半年見(jiàn)頂，2019年年中見(jiàn)底。本輪周期中，存儲(chǔ)的銷(xiāo)售增速在2021Q3見(jiàn)頂，2022年增速轉(zhuǎn)負(fù)，但隨著三大廠商陸續(xù)降價(jià)去庫(kù)、削減資本開(kāi)支等減少供給，同時(shí)汽車(chē)智能化快速推進(jìn)，高端制造信息化升級(jí)驅(qū)動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)、醫(yī)療等行業(yè)強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求，以及ChatGPT將大力推動(dòng)數(shù)據(jù)中心建設(shè)均將帶來(lái)大量存儲(chǔ)器需求，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)板塊有望在23Q3-23Q4迎來(lái)止跌。

2、全球存儲(chǔ)公司復(fù)盤(pán)：寡頭壟斷市場(chǎng)，業(yè)績(jī)兌現(xiàn)深受周期困擾
美光和海力士超過(guò)95%的營(yíng)收來(lái)自DRAM和NAND Flash，而三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)占比不足30%，因此我們以美光和海力士作為公司復(fù)盤(pán)的代表。
營(yíng)收和營(yíng)收增速比較：美光、海力士?jī)杉夜镜臓I(yíng)收通常以3-5年為一個(gè)周期，且呈現(xiàn)同漲同跌的趨勢(shì)，主要由于存儲(chǔ)產(chǎn)品同質(zhì)化程度較高，且市場(chǎng)價(jià)格較為透明。2011-2014年期間智能手機(jī)、平板電腦等各類(lèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品都處于滲透率提升初期，隨著滲透率提升大幅提高了存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求量，美光和海力士的營(yíng)收均實(shí)現(xiàn)大幅度增長(zhǎng)。隨著2015年產(chǎn)能逐漸釋放，市場(chǎng)供應(yīng)逐漸超過(guò)需求，存儲(chǔ)器價(jià)格開(kāi)始下跌，帶動(dòng)營(yíng)收增速開(kāi)始下滑。2016-2018年HPC、云計(jì)算、礦機(jī)等新應(yīng)用的爆發(fā)，使得存儲(chǔ)廠商迎來(lái)新一輪快速成長(zhǎng)的周期。2020年以來(lái)5G智能手機(jī)更換潮以及疫情下數(shù)據(jù)中心建設(shè)拉動(dòng)服務(wù)器需求上升，兩家公司營(yíng)收開(kāi)啟新一輪上升周期。2021年下半年開(kāi)始，智能手機(jī)、電腦等消費(fèi)電子需求持續(xù)疲軟，存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌，美光和海力士的營(yíng)收均出現(xiàn)大幅度下滑。

毛利率比較：存儲(chǔ)芯片具有大宗商品的屬性，供需錯(cuò)配導(dǎo)致存儲(chǔ)商品價(jià)格呈現(xiàn)周期性波動(dòng)，以美光和SK海力士為例，兩家公司毛利率受存儲(chǔ)價(jià)格強(qiáng)影響也呈現(xiàn)周期性波動(dòng)，走勢(shì)呈現(xiàn)高度趨同性。存儲(chǔ)產(chǎn)品制程的不斷演進(jìn)，也在不斷抬高每一輪周期的毛利率中樞，從2010年的10%到2016年的20%，再到最近的30%。從2021年開(kāi)始，三星及海力士都全面采用EUV光刻機(jī)來(lái)制造1-alpha DRAM，而美光仍堅(jiān)持使用193nm ArF浸潤(rùn)式光刻機(jī)，但美光也將在下一代DRAM產(chǎn)品中導(dǎo)入光刻機(jī)的使用。通常來(lái)看，EUV1-alphaDRAM傳輸速度在DDR4規(guī)格可至少提升到4266MT/s，在DDR5可至少提升到4800MT/s。而1-alpha的微縮制程工藝，可比1z制程工藝多生產(chǎn)25%的DRAM芯片。但由于1-alphaDRAM需要大約5-6EUV層，而每月處理10萬(wàn)的每個(gè)EUV1-alphaDRAM層就需要1.5－2臺(tái)EUV光刻機(jī)，那5-6EUV層就需要8-12EUV機(jī)臺(tái)，以每臺(tái)EUV售價(jià)1.5億美元來(lái)測(cè)算（遠(yuǎn)高于每臺(tái)193nm ArF浸潤(rùn)式光刻機(jī)的6000萬(wàn)美元），每個(gè)月10萬(wàn)片1-alphaDRAM的產(chǎn)能就要額外投資15億美元的EUV光刻機(jī)臺(tái)，EUV光刻機(jī)資本開(kāi)支的拉高，進(jìn)一步增高競(jìng)爭(zhēng)壁壘。因此，長(zhǎng)期來(lái)看，DRAM行業(yè)將加劇壟斷，抬高毛利率中樞。

歸母凈利潤(rùn)與凈利率比較：2010-2013年美光和海力士經(jīng)營(yíng)上持續(xù)虧損，2013年后隨著行業(yè)迎來(lái)拐點(diǎn)，兩家公司實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。但由于產(chǎn)品毛利率與行業(yè)景氣周期高度相關(guān)，公司盈利能力波動(dòng)較大。2013年美光收購(gòu)日本爾必達(dá)，迎來(lái)盈利高光時(shí)刻，三季度凈利潤(rùn)率高達(dá)60%。2018年由于高性能計(jì)算服務(wù)器、礦機(jī)等新應(yīng)用場(chǎng)景帶動(dòng)需求快速成長(zhǎng)，美光與海力士迎來(lái)凈利潤(rùn)以及利潤(rùn)率的歷史高點(diǎn)。本輪下跌周期起始于2021年下半年，隨著存儲(chǔ)芯片價(jià)格開(kāi)始一路下跌，美光在2022年第三季度凈利潤(rùn)轉(zhuǎn)為負(fù)，是自2012年第三季度以來(lái)的首次季度虧損。

資本開(kāi)支比較：從2010年開(kāi)始，美光和海力士的資本開(kāi)支隨著營(yíng)收規(guī)模的擴(kuò)大而不斷增加，但存在小周期內(nèi)波動(dòng)的現(xiàn)象。歷史數(shù)據(jù)來(lái)看，存儲(chǔ)廠商資本開(kāi)支的下調(diào)，往往標(biāo)志存儲(chǔ)器價(jià)格即將觸底。美光已公告削減資本開(kāi)支以應(yīng)對(duì)不斷惡化的供需情況，2022年12月美光宣布將2023年資本開(kāi)支下調(diào)到70-75億，較2022年7月的數(shù)據(jù)繼續(xù)下調(diào)5-10億，整體削減約40%資本開(kāi)支。海力士也宣布2023年將大幅度削減資本開(kāi)支。

04

產(chǎn)業(yè)格局

1、全球市場(chǎng)：國(guó)外廠商壟斷，行業(yè)高度集中

全球存儲(chǔ)市場(chǎng)絕大部分份額由國(guó)外廠商占有，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，行業(yè)集中度較高。根據(jù)statista數(shù)據(jù)，截至2022Q3，全球DRAM市場(chǎng)幾乎由三星、SK海力士和美光所壟斷，CR3超過(guò)95%，三星、海力士和美光分別占比41%、29%和26%。全球NAND flash市場(chǎng)前三大廠商分別為三星、鎧俠和海力士，2022Q3市場(chǎng)份額分別為31.4%、20.6%和13.0%，目前CR3市場(chǎng)份額達(dá)65%，CR6市場(chǎng)份額接近95%。

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)被海外企業(yè)壟斷。DRAM領(lǐng)域，三星、美光、SK海力士壟斷了近95%的市場(chǎng)份額，行業(yè)集中度高，寡頭明顯。NAND領(lǐng)域，競(jìng)爭(zhēng)格局較為分散，頭部企業(yè)為三星，愷俠、西部數(shù)據(jù)、美光科技、英特爾緊隨其后。NOR領(lǐng)域，中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)旺宏電子、華邦及大陸企業(yè)兆易創(chuàng)新，近五年來(lái)市占率位于全球前三，2022年三家公司合計(jì)市占率達(dá)到90.7%，NOR領(lǐng)域海外企業(yè)壟斷程度最低?？傮w而言，存儲(chǔ)芯片行業(yè)現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)者數(shù)量較少，行業(yè)集中度較高，在技術(shù)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)較為激烈，大部分市場(chǎng)被國(guó)外寡頭壟斷，國(guó)內(nèi)公司處于相對(duì)落后的位置，但已在各個(gè)細(xì)分市場(chǎng)展開(kāi)追趕。
三星、海力士、美光三大廠商在DRAM供給端占據(jù)龍頭地位。根據(jù)Gartner，三大廠商出貨量占比超過(guò)95%。三星占比最高，份額長(zhǎng)期在40%以上。海力士占比約為30%，美光占比超過(guò)20%。

NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)較DRAM更加激烈。NAND Flash供給端存在三星、鎧俠、美光、西部電子、海力士等多家廠商占據(jù)較大份額。三星占比最大，超過(guò)30%，其次為鎧俠，占比為20%左右。美光、西部電子、海力士占比相差較小，均為10%-15%，存在小幅波動(dòng)。
2、國(guó)內(nèi)市場(chǎng)：存儲(chǔ)行業(yè)布局在即，國(guó)產(chǎn)化迎來(lái)拐點(diǎn)
中國(guó)網(wǎng)信網(wǎng)公告對(duì)美光公司在華銷(xiāo)售進(jìn)行安全審查。根據(jù)2023年3月31日，中國(guó)網(wǎng)信網(wǎng)公告，為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，防范產(chǎn)品問(wèn)題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)，維護(hù)國(guó)家安全，依據(jù)《中華人民共和國(guó)國(guó)家安全法》《中華人民共和國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全法》，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室按照《網(wǎng)絡(luò)安全審查辦法》，對(duì)美光公司（Micron）在華銷(xiāo)售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查。我們認(rèn)為，隨我國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)布局逐步完善，國(guó)內(nèi)將對(duì)美光及一部分國(guó)外公司的依賴(lài)度逐漸降低，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)公司有望快速崛起。
國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)布局時(shí)刻。AI服務(wù)器帶來(lái)存力硬件需求上行：根據(jù)數(shù)據(jù)測(cè)算，人工智能服務(wù)器中DRAM內(nèi)容是普通服務(wù)器的8倍，NAND內(nèi)容將是普通服務(wù)器的3倍，而大容量存儲(chǔ)器將是算力數(shù)據(jù)迭代運(yùn)算的重要基礎(chǔ)。庫(kù)存邊際改善，價(jià)格修復(fù)在即：美光2023年Q2會(huì)計(jì)期末庫(kù)存約為81.29億美金，同比下降2.75%，有望持續(xù)改善。AI服務(wù)器有望帶動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)景氣度及需求快速提升，加速存儲(chǔ)行業(yè)庫(kù)存進(jìn)一步清出。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，美光及SK海力士在內(nèi)的部分供應(yīng)商已啟動(dòng)DRAM減產(chǎn)計(jì)劃，2023年第二季度DRAM價(jià)格跌幅將收窄至10%到15%。國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)布局時(shí)刻：國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈多元化布局，2023年有望完成產(chǎn)品結(jié)構(gòu)快速升級(jí)。
3、格局演變：NAND廠商開(kāi)啟并購(gòu)整合，未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)格局或向DRAM看齊
NAND Flash行業(yè)正在重復(fù)DRAM行業(yè)的并購(gòu)整合歷程。不同于DRAM市場(chǎng)，NAND Flash一直是相對(duì)集中的市場(chǎng)，2005年CR4為95.3%，CR6為98.7%，2019年CR4為80.3%，CR6為99.7%，而玩家間呈現(xiàn)一定的并購(gòu)整合態(tài)勢(shì)，美光、西部數(shù)據(jù)等并購(gòu)重組擴(kuò)大規(guī)模，三星的份額有所下降。2005-2010年，NAND Flash廠商共有10家，此后英飛凌存儲(chǔ)業(yè)務(wù)/奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)，Numonyx2010年被美光收購(gòu)，瑞薩、STV于2017年出售NAND業(yè)務(wù)，此后Cypress于2014年收購(gòu)飛索半導(dǎo)體（Spansion），SanDisk于2015年被西部數(shù)據(jù)收購(gòu)。到2017年，市場(chǎng)上主要廠商為三星電子、SK海力士、美光、東芝（鎧俠）、英特爾和西部數(shù)據(jù)6家，呈現(xiàn)群雄逐鹿的態(tài)勢(shì)。截至2020年，三星和SK海力士市占率為33%和12%，東芝+西部數(shù)據(jù)市占率為34%，美光市占率為11%，英特爾市占率9%，六家企業(yè)市占率合計(jì)98%以上。而長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為國(guó)產(chǎn)NAND Flash廠商于2017年成功研制中國(guó)第一顆3D NAND閃存芯片，2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層NAND Flash的量產(chǎn)，2019年64層NAND Flash的量產(chǎn)，2020年推出128層NAND Flash。

并購(gòu)整合是行業(yè)大勢(shì)，NAND行業(yè)格局有望向DRAM看齊。2021年，SK海力士已宣布將90億美元收購(gòu)英特爾NAND Flash及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)的協(xié)議。美光和西部數(shù)據(jù)也有意競(jìng)購(gòu)鎧俠，若收購(gòu)達(dá)成，主要廠商將減少為4家（不考慮中國(guó)大陸廠商），行業(yè)格局向DRAM市場(chǎng)看齊。

05

技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

1、DRAM：向高性能和低功耗發(fā)展，3D堆疊、先進(jìn)工藝、EUV等是未來(lái)趨勢(shì)

DRAM的工作原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit），具備運(yùn)算速度快、掉電后數(shù)據(jù)丟失的特點(diǎn)，常應(yīng)用于系統(tǒng)硬件的運(yùn)行內(nèi)存，主要應(yīng)用于服務(wù)器、PC和手機(jī)等。在結(jié)構(gòu)升級(jí)方面，DRAM分為同步和異步兩種，兩者區(qū)別在于讀/寫(xiě)時(shí)鐘與CPU時(shí)鐘不同。傳統(tǒng)的DRAM為異步DRAM，已經(jīng)被淘汰，SDRAM（Synchronous DRAM，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）為DRAM的一種升級(jí)，讀/寫(xiě)時(shí)鐘與CPU時(shí)鐘嚴(yán)格同步，主要包括DDR、LPDDR、GDDR、HBM等。
DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，雙信道同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫(xiě)兩次數(shù)據(jù)，使得傳輸數(shù)據(jù)加倍，目前已發(fā)展到第五代，每一代升級(jí)都伴隨傳輸速度的提升以及工作電壓的下降。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，隨著DDR5的上市，市場(chǎng)將快速進(jìn)行產(chǎn)品升級(jí)換代，預(yù)計(jì)2025年DDR5的份額將接近80%。

LPDDR（Low Power DDR，低功耗雙信道同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）通過(guò)與處理器緊鄰（焊接在主機(jī)板上而非插入或以封裝層疊技術(shù)直接堆在處理器上方）、減少通道寬度以及其他一些犧牲部分反應(yīng)時(shí)間的方法來(lái)降低體積和功耗。LPDDR內(nèi)存多用于智能手機(jī)、筆記本、新能源車(chē)上，而DDR多用于服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)、普通筆記本上。
GDDR（Graphics DDR，繪圖用雙信道同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）為專(zhuān)門(mén)適配高端繪圖顯卡而特別設(shè)計(jì)的高性能DDR儲(chǔ)存器。GDDR與一般DDR不能共用，時(shí)鐘頻率更高，發(fā)熱量更小，一般用于電競(jìng)終端和工作站。

高性能和低功耗是性能升級(jí)的兩大主要趨勢(shì)。一般來(lái)說(shuō)，繪圖用DRAM數(shù)據(jù)傳輸速度高于計(jì)算機(jī)用DRAM，計(jì)算機(jī)用DRAM高于手機(jī)用DRAM。近年來(lái)，各類(lèi)DRAM更新迭代快速，高性能和低功耗是兩大主要趨勢(shì)，目前DDR、LPDDR、GDDR已發(fā)展至第5~6代，較前一代傳輸速率大幅提升，功耗大幅度降低。手機(jī)DRAM方面，目前業(yè)內(nèi)已量產(chǎn)LDDR5；計(jì)算機(jī)用DRAM方面，目前已演進(jìn)至DDR5；繪圖用DRAM方面，最新一代的GDDR6已商用數(shù)年。

從2D架構(gòu)轉(zhuǎn)向3D架構(gòu)演變可能是未來(lái)DRAM的技術(shù)趨勢(shì)之一。2D DRAM內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè)，3D DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方，因此裸晶尺寸會(huì)變得比較小，每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量會(huì)更多，意味著3D DRAM在成本上具備優(yōu)勢(shì)。
DRAM從2D架構(gòu)轉(zhuǎn)向3D架構(gòu)演變的典型產(chǎn)品為HBM。HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬儲(chǔ)存器）是AMD和SK海力士推出的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高儲(chǔ)存器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合，如圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（交換機(jī)、路由器）等。HBM與GDDR都與GPU緊密整合，但HBM的位置不在GPU旁，而是在連接GPU與邏輯電路的中介層上。這些DRAM芯片具有大量的硅通孔（TSV），連接HBM內(nèi)的各個(gè)芯片，以及其底部的邏輯芯片。因此，DRAM顆?？梢韵嗷ザ询B，使得芯片在垂直面上能實(shí)現(xiàn)小面積和高容量。

DRAM工藝制程演進(jìn)至10+nm，將繼續(xù)向10nm逼近。DRAM的制程接近10nm，各廠家都處于10nm+階段。業(yè)界命名DRAM前三代10nm+制程分別為1X（16-19nm）、1Y（14-16nm）、1Z（12-14nm）。行業(yè)龍頭三星電子、SK海力士和美光在2016~2017年期間進(jìn)入1Xnm階段，2018~2019年進(jìn)入1Ynm階段，2020年后進(jìn)入1Znm階段。最新的1αnm仍處于10+nm階段，三星于2020年3月率先完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，美光和海力士緊隨其后，各家大廠將繼續(xù)向10nm逼近。

光刻技術(shù)由DUV轉(zhuǎn)向EUV。目前DRAM使用最為成熟的光刻技術(shù)是193nm的DUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)使用13.5nm波長(zhǎng)，可通過(guò)減少光罩次數(shù)來(lái)進(jìn)一步壓低成本，提高精度和產(chǎn)能。在工藝制程達(dá)到14nm后，采用EUV的經(jīng)濟(jì)性開(kāi)始顯現(xiàn)，而DUV需使用多重曝光（SAQP）技術(shù)才能形成更細(xì)線寬的電路，因此成本上處于劣勢(shì)。目前DRAM廠商仍可通過(guò)工藝改進(jìn)使用DUV生產(chǎn)10+nm DRAM，未來(lái)DRAM生產(chǎn)轉(zhuǎn)向EUV將是必然。三星、SK海力士分別于2020年和2021年引入EUV技術(shù)來(lái)制造DRAM，美光預(yù)計(jì)在2024年生產(chǎn)基于EUV的DRAM。目前EUV經(jīng)濟(jì)效益低于DUV，但EUV將帶來(lái)更簡(jiǎn)化的流程，且成本會(huì)隨著工藝完善而不斷降低。2、NAND：3D NAND商用時(shí)間短，高密度存儲(chǔ)、3D堆疊是未來(lái)趨勢(shì)20世紀(jì)80年代，2D NAND技術(shù)誕生并商業(yè)化，閃存行業(yè)獲得高速發(fā)展。1967年，Dawonhng和Simon S共同發(fā)明了浮柵MOSFET，這是所有閃存、EEPROM和EPROM的基礎(chǔ)。1984年，閃存之父Fujio Masuoka代表東芝在IEEE 1984綜合電子設(shè)備大會(huì)上正式介紹了閃存。1986年，英特爾推出了閃存卡概念，成立了SSD部門(mén)。1987年，Masuoka發(fā)明2D NAND，此后，英特爾、三星電子和東芝先后推出2D NAND產(chǎn)品。90年代初，閃存市場(chǎng)迅速擴(kuò)張，1991年產(chǎn)值僅1.7億美元，1995年達(dá)到18億美元,復(fù)合增速達(dá)80%。2001年，東芝與閃迪宣布推出1GB MLC NAND。2004年，基于同等密度，NAND的價(jià)格首次降至DRAM之下，成本效應(yīng)將閃存帶入計(jì)算領(lǐng)域。3D NAND于2014年開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn)，主流廠商基本實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品轉(zhuǎn)換。2007年，東芝最早推出BiCS類(lèi)型的3D NAND。2013年三星推出第一代V-NAND類(lèi)型的3D NAND。2014年，SanDisk和東芝宣布推出3D NAND生產(chǎn)設(shè)備，三星率先發(fā)售32層MLC 3D V-NAND，至此3D NAND市場(chǎng)開(kāi)始快速擴(kuò)張。

3D NAND存儲(chǔ)單元向TLC、QLC等高密度存儲(chǔ)演進(jìn)。NAND Flash根據(jù)存儲(chǔ)單元密度可分為SLC、MLC、TLC、QLC等，對(duì)應(yīng)1個(gè)存儲(chǔ)單元分別可存放1、2、3和4bit的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)單元密度越大，壽命越短、速度越慢，但容量越大、成本越低。目前NAND Flash以TLC為主，QLC比重在逐步提高。

3D堆疊大幅提升容量，相同單元密度下壽命較2D結(jié)構(gòu)延長(zhǎng)。3D NAND是一項(xiàng)革命性的新技術(shù)，首先重新構(gòu)建了存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)，并將存儲(chǔ)單元堆疊起來(lái)。3D NAND帶來(lái)的變化有：總體容量大幅提升；單位面積容量提高。對(duì)于特定容量的芯片，3D NAND所需制程比2D NAND要低得多（更大線寬），因而可以有效抑制干擾，保存更多的電量，穩(wěn)定性增強(qiáng)，例如同為T(mén)LC的3D NAND壽命較2D NAND延長(zhǎng)。

工藝制程演進(jìn)相對(duì)緩慢，3D堆疊層數(shù)增長(zhǎng)迅速。從2014年到2020年，各家廠商3D NAND堆疊層數(shù)從32層增長(zhǎng)至128層，大致3年層數(shù)翻一倍，而工藝制程在2D NAND時(shí)期就達(dá)到19nm，轉(zhuǎn)換成3D NAND工藝制程倒退至20-40nm，而后又逐步往更高制程演進(jìn)，制程演進(jìn)相對(duì)邏輯芯片較慢。從各廠商的技術(shù)藍(lán)圖來(lái)看，NAND Flash堆疊層數(shù)預(yù)計(jì)在2022年將達(dá)到2XX層，而工藝制程則可能停留在20-19nm左右。堆疊層數(shù)仍有較大提升空間。按照SK海力士的預(yù)測(cè)，3D NAND在發(fā)展到層數(shù)超過(guò)600層的階段時(shí)才會(huì)遇到瓶頸，目前市場(chǎng)上主流產(chǎn)品低于200層，未來(lái)技術(shù)升級(jí)空間較大。

主流廠商基本實(shí)現(xiàn)從2D NAND到3D NAND的產(chǎn)品轉(zhuǎn)換，三星電子領(lǐng)先1-2年。從2014年3D NAND量產(chǎn)開(kāi)始，到2018年主要NAND廠商基本完成從2D到3D的產(chǎn)品轉(zhuǎn)換。2018年NAND Flash廠商三星電子、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等原廠的3D NAND生產(chǎn)比重己超過(guò)80%，美光甚至達(dá)到90%。目前，各家廠家已實(shí)現(xiàn)128層（鎧俠和西部數(shù)據(jù)是112層）的量產(chǎn)，176層正成為主流，2XX層以上的研發(fā)和量產(chǎn)正在推進(jìn)，其中三星研發(fā)進(jìn)度最為領(lǐng)先，比其他廠商領(lǐng)先1-2年。3、新興技術(shù)：市場(chǎng)應(yīng)用有限，尚無(wú)法構(gòu)成實(shí)質(zhì)性替代除DRAM和NAND Flash以外，NOR Flash近年來(lái)受到越來(lái)越多的關(guān)注。NOR ?Flash制程迭代重啟，向55/40nm節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。1988年，Intel推出第一款NOR Flash商用產(chǎn)品，制程1.5um，2005年Intel推出65nm產(chǎn)品。然而，受市場(chǎng)萎縮的影響，NOR Flash制程進(jìn)展長(zhǎng)期停滯。但近年來(lái)隨著可穿戴設(shè)備、AMOLED/TDDI和汽車(chē)電子等需求增長(zhǎng)，NOR Flash行業(yè)自2016年以來(lái)恢復(fù)增長(zhǎng)。目前高密度NOR Flash產(chǎn)品的主流工藝從65nm節(jié)點(diǎn)向55nm/40nm節(jié)點(diǎn)推進(jìn)，而低密度NOR Flash產(chǎn)品仍在以65nm及以上節(jié)點(diǎn)制造。SPI接口NOR Flash為主流，具有體積小、功耗低、成本低和速率高等優(yōu)點(diǎn)。NOR Flash主要有兩種傳輸接口：SPI（串行外設(shè)接口）和I2C（并行存取接口）。相比于I2C，SPI僅需6個(gè)信號(hào)便可實(shí)現(xiàn)控制器和存儲(chǔ)器之間的通信，減少了設(shè)計(jì)復(fù)雜性，縮小了電路板面積，降低了功耗和系統(tǒng)總成本。SPI傳輸速度一般為幾十Mbps，而I2C的傳輸速率一般在400Kbps。使用SPI技術(shù)的NOR Flash一般被稱(chēng)為SPI NOR Flash，而使用I2C的被稱(chēng)為Parallel NOR Flash。目前國(guó)內(nèi)的NOR Flash廠商眾多，兩種接口的NOR Flash均有研發(fā)生產(chǎn)。

新興存儲(chǔ)技術(shù)應(yīng)用有限，預(yù)計(jì)市場(chǎng)份額將長(zhǎng)期處于低水平。根據(jù)Yole，目前市場(chǎng)上除DRAM、NAND Flash、NOR Flash，其他存儲(chǔ)技術(shù)的市場(chǎng)份額合計(jì)僅2%，預(yù)計(jì)到2026年新興的存儲(chǔ)技術(shù)，包括PCM、MRAM、RERAM等，份額仍將不到全市場(chǎng)的3%。

新型存儲(chǔ)發(fā)展方向均是將DRAM的讀寫(xiě)速度與Flash的非易失性結(jié)合起來(lái)，目前尚無(wú)方案可替代DRAM和NAND Flash。

06

產(chǎn)業(yè)鏈分析

1、產(chǎn)業(yè)鏈概況

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈分為四個(gè)環(huán)節(jié)，存儲(chǔ)晶圓顆粒、主控芯片制造、封裝測(cè)試及模組廠商集成。存儲(chǔ)晶圓顆粒是存儲(chǔ)器核心部分，存儲(chǔ)產(chǎn)品中的所有數(shù)據(jù)和信息均存儲(chǔ)在晶圓顆粒中，主控芯片是存儲(chǔ)器的控制中心，負(fù)責(zé)存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)操作，封裝測(cè)試是將存儲(chǔ)晶圓顆粒和主控芯片封裝在一起，并對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試和調(diào)試，模組廠商集成將存儲(chǔ)器與其他電子組件組合在一起，形成最終產(chǎn)品。

2、存儲(chǔ)晶圓在存儲(chǔ)器成本中占比較高，受技術(shù)迭代、上游晶圓原廠產(chǎn)能擴(kuò)張影響較大
存儲(chǔ)晶圓在存儲(chǔ)器的成本中占比較高，故存儲(chǔ)器的價(jià)格變動(dòng)趨勢(shì)一般與存儲(chǔ)晶圓的價(jià)格變動(dòng)相一致。同時(shí)，存儲(chǔ)器價(jià)格的上漲可能導(dǎo)致存儲(chǔ)器下游客戶(hù)短期內(nèi)加大采購(gòu)量，價(jià)格下跌可能導(dǎo)致下游客戶(hù)短期內(nèi)減少采購(gòu)量，從而對(duì)存儲(chǔ)器的供需產(chǎn)生影響，導(dǎo)致存儲(chǔ)器的市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)幅度高于上游存儲(chǔ)晶圓市場(chǎng)價(jià)格的波動(dòng)。
存儲(chǔ)晶圓的價(jià)格主要受存儲(chǔ)技術(shù)迭代、上游晶圓原廠產(chǎn)能擴(kuò)張的影響。若出現(xiàn)新的存儲(chǔ)技術(shù)，將有效降低存儲(chǔ)晶圓單位容量的成本，價(jià)格也將大幅下降；上游存儲(chǔ)原廠增加資本支出擴(kuò)張產(chǎn)能，導(dǎo)致供過(guò)于求，存儲(chǔ)晶圓的市場(chǎng)價(jià)格亦呈下降趨勢(shì)。短期來(lái)看，存儲(chǔ)晶圓的市場(chǎng)價(jià)格主要受下游需求波動(dòng)，或者由于不可抗力等導(dǎo)致的短期供應(yīng)波動(dòng)的綜合影響。
（1）晶圓制造
晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過(guò)研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國(guó)內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以8英寸和12英寸為主。
晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時(shí)加工1片或多片晶圓。隨著半導(dǎo)體特征尺寸越來(lái)越小，加工及測(cè)量設(shè)備越來(lái)越先進(jìn)，使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。同時(shí)，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時(shí)，空氣中的顆粒數(shù)對(duì)晶圓加工后質(zhì)量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數(shù)也出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。
近年，中國(guó)大陸地區(qū)晶圓產(chǎn)能得到了快速增長(zhǎng)，但在單位時(shí)間產(chǎn)量方面仍落后于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)、韓國(guó)和日本。2021年，中國(guó)大陸地區(qū)占全球晶圓代工廠市場(chǎng)份額為8.5%，同比增長(zhǎng)11.8%。2021Q4全球前十大晶圓代工廠中，大陸地區(qū)廠商占據(jù)三家，中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、晶合集成分別占據(jù)第五、第六、第十位。2021年我國(guó)晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模為2862億元，同比增長(zhǎng)11.8%。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)目前共有23座12英寸晶圓廠正在投入生產(chǎn)，總計(jì)月產(chǎn)能約為104.2萬(wàn)片，與總規(guī)劃月產(chǎn)能156.5萬(wàn)片相比，這些晶圓廠的產(chǎn)能裝載率僅達(dá)到66.58％，仍有較大擴(kuò)產(chǎn)空間。
為補(bǔ)足產(chǎn)能，預(yù)計(jì)未來(lái)五年中國(guó)還將新增25座12英寸晶圓廠，這些晶圓廠總規(guī)劃月產(chǎn)能將超過(guò)160萬(wàn)片。截至2026年底，中國(guó)12英寸晶圓廠的總月產(chǎn)能將超過(guò)276.3萬(wàn)片，相比目前提高165.1％。
（2）封裝測(cè)試
半導(dǎo)體封裝是指將通過(guò)測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程。封裝主要起到保護(hù)芯片、支撐芯片、將芯片電極與外界電路連通及保證芯片的可靠性等作用。半導(dǎo)體封裝測(cè)試工藝流程包括磨片、劃片、裝片、固晶、塑封等多個(gè)環(huán)節(jié)。
目前國(guó)內(nèi)能提供先進(jìn)封裝服務(wù)的主要封測(cè)廠商產(chǎn)品側(cè)重各不相同，區(qū)別也較大。長(zhǎng)電科技、華天科技及通富微電封裝測(cè)試的應(yīng)用范圍涉及廣泛，幾乎包括半導(dǎo)體行業(yè)的全品類(lèi)芯片封測(cè)，其中先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)主要由各自旗下子公司開(kāi)展，如國(guó)內(nèi)第一，全球第三的封測(cè)大廠長(zhǎng)電科技的晶圓級(jí)封裝技術(shù)是指WLP晶圓級(jí)封裝，使用Bumping工藝。

3、下游應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)拓展，呈蓬勃發(fā)展態(tài)勢(shì)
其產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)硬件、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等行業(yè)以及個(gè)人移動(dòng)存儲(chǔ)等領(lǐng)域。
隨著一系列國(guó)家戰(zhàn)略的持續(xù)深入實(shí)施，下游制造業(yè)的升級(jí)換代進(jìn)程加快，其中消費(fèi)電子、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等存儲(chǔ)器應(yīng)用的重要領(lǐng)域維持較快增速。下游市場(chǎng)處于蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)，直接推動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)擴(kuò)張，有利于維持存儲(chǔ)器行業(yè)需求端的規(guī)模增長(zhǎng)。
4、相關(guān)企業(yè)
（1）兆易創(chuàng)新：多產(chǎn)品線布局效果顯現(xiàn)，支撐公司業(yè)績(jī)快速增長(zhǎng)
公司存儲(chǔ)器產(chǎn)品分為三個(gè)部分，NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。公司NOR Flash產(chǎn)品，為市場(chǎng)提供全容量、高性能及高可靠性、低功耗、低電壓、小封裝等多樣化產(chǎn)品組合。NOR Flash產(chǎn)品提供512Kb至2Gb大容量的全系列產(chǎn)品，55nm工藝制程出貨量占比已接近70%。NAND Flash產(chǎn)品38nm、24nm工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并完成1Gb~8Gb主流容量全覆蓋。車(chē)規(guī)產(chǎn)品方面，公司GD25/55、GD5F全系列產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，實(shí)現(xiàn)了從SPINOR Flash到SPI NAND Flash車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品的全面布局，為車(chē)載應(yīng)用的國(guó)產(chǎn)化提供豐富多樣的選擇。目前公司車(chē)規(guī)級(jí)Flash產(chǎn)品已在國(guó)內(nèi)外多家知名汽車(chē)企業(yè)批量采用，可為車(chē)載輔助駕駛系統(tǒng)、車(chē)載通訊系統(tǒng)、車(chē)載信息及娛樂(lè)系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、DVR、智能駕艙、T-BOX等應(yīng)用提供大容量、高可靠性、性能優(yōu)異的產(chǎn)品及解決方案。公司豐富完善的Flash產(chǎn)品組合，可滿(mǎn)足不同客戶(hù)各種應(yīng)用場(chǎng)景需求，目前累計(jì)出貨量已超過(guò)190億顆。公司DRAM產(chǎn)品2021年實(shí)現(xiàn)自有品牌突破，量產(chǎn)首款4Gb DDR4（19nm制程）產(chǎn)品，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子（包括機(jī)頂盒、電視、智能家居等）、工業(yè)安防、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域。

（2）北京君正：汽車(chē)存儲(chǔ)領(lǐng)域龍頭
公司存儲(chǔ)芯片分為SRAM、DRAM和Flash三大類(lèi)別，主要面向汽車(chē)、工業(yè)、醫(yī)療等行業(yè)市場(chǎng)及高端消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)。全球大部分知名Tier1廠商及穿透后包括新能源車(chē)、燃油車(chē)、造車(chē)新勢(shì)力等在內(nèi)的大部分終端品牌車(chē)廠，均采用了公司的車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品。公司車(chē)規(guī)級(jí)SRAM和車(chē)規(guī)級(jí)DRAM在全球車(chē)規(guī)級(jí)細(xì)分市場(chǎng)均名列前茅，車(chē)規(guī)Flash芯片的市場(chǎng)銷(xiāo)售在快速提升中。隨著汽車(chē)智能化的不斷發(fā)展，存儲(chǔ)芯片的單車(chē)價(jià)值量預(yù)計(jì)將不斷提升，有望推動(dòng)公司存儲(chǔ)芯片在車(chē)規(guī)級(jí)市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)。
公司積極推廣DDR4、LPDDR4等產(chǎn)品，不同容量的DDR4和LPDDR4產(chǎn)品持續(xù)向更多客戶(hù)送樣。隨著公司車(chē)規(guī)級(jí)Flash產(chǎn)品在汽車(chē)市場(chǎng)的持續(xù)推廣，車(chē)規(guī)產(chǎn)品在Flash產(chǎn)品中的銷(xiāo)售比例不斷提升。公司持續(xù)向客戶(hù)提供各種容量的NOR Flash樣品，推動(dòng)該細(xì)分產(chǎn)品線的持續(xù)增長(zhǎng)。

（3）普冉股份：非易失性存儲(chǔ)芯片新星，工藝制程業(yè)界領(lǐng)先
公司存儲(chǔ)類(lèi)主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類(lèi)。公司NOR Flash產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域集中在藍(lán)牙、IOT、TDDI、AMOLED、工業(yè)控制等相關(guān)市場(chǎng)，40nm工藝制程下4Mbit到128Mbit容量的全系列產(chǎn)品均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先技術(shù)水平。公司EEPROM產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域集中在手機(jī)攝像頭模組、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、家電、計(jì)算機(jī)周邊等領(lǐng)域。公司已形成覆蓋2Kbit到4Mbit容量的EEPROM產(chǎn)品系列，95nm及以下工藝制程下產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于業(yè)界主流工藝制程。

（4）江波龍：聚焦存儲(chǔ)領(lǐng)域，營(yíng)收穩(wěn)定增長(zhǎng)
江波龍主要從事Flash及DRAM存儲(chǔ)器的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售，聚焦存儲(chǔ)產(chǎn)品和應(yīng)用，形成嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、移動(dòng)存儲(chǔ)及內(nèi)存條四大產(chǎn)品線，其中嵌入式存儲(chǔ)營(yíng)收占比最高，2021年達(dá)到49.04%；移動(dòng)存儲(chǔ)和嵌入式存儲(chǔ)系列毛利率較高，2021年兩者毛利率均超過(guò)20%。江波龍公司存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車(chē)電子以及個(gè)人移動(dòng)存儲(chǔ)等領(lǐng)域。

江波龍穩(wěn)定合作廠商包括華勤技術(shù)、聞泰科技、龍旗技術(shù)、天瓏移動(dòng)等行業(yè)領(lǐng)先的整機(jī)ODM廠商，行業(yè)類(lèi)存儲(chǔ)器客戶(hù)包括傳音控股、中興通訊、字節(jié)跳動(dòng)、螢石網(wǎng)絡(luò)、清華同方等行業(yè)龍頭，消費(fèi)類(lèi)存儲(chǔ)器客戶(hù)包括京東、亞馬遜、沃爾瑪、Best Buy、Office Depot等知名零售商。
江波龍營(yíng)業(yè)收入保持穩(wěn)定增長(zhǎng)，2019年-2021年，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為30.54%。江波龍毛利率、凈利率總體呈上升趨勢(shì)，2019年凈利率由負(fù)轉(zhuǎn)正。
（5）佰維存儲(chǔ)：專(zhuān)注于存儲(chǔ)芯片，嵌入式存儲(chǔ)占比大
佰維存儲(chǔ)專(zhuān)注于存儲(chǔ)芯片研發(fā)與封測(cè)制造，構(gòu)筑研發(fā)封測(cè)一體化的經(jīng)營(yíng)模式，主要業(yè)務(wù)包括嵌入式存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)、先進(jìn)封測(cè)服務(wù)四大板塊。江波龍存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)智能終端、PC、行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車(chē)、移動(dòng)存儲(chǔ)等信息技術(shù)領(lǐng)域，是國(guó)內(nèi)率先進(jìn)入全球科技巨頭供應(yīng)鏈體系的存儲(chǔ)器企業(yè)。

佰維存儲(chǔ)營(yíng)業(yè)收入穩(wěn)定上升，主營(yíng)業(yè)務(wù)收入主要來(lái)自嵌入式存儲(chǔ)和消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)。2019年，主要由于嵌入式存儲(chǔ)收入下降，公司營(yíng)業(yè)收入增速放緩。2019年-2021年，公司毛利率波動(dòng)上升，嵌入式存儲(chǔ)毛利整體較高。嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品2020年毛利率較2019年有所下降，主要由于新冠疫情影響下產(chǎn)品下游市場(chǎng)需求有所下降，公司執(zhí)行價(jià)格策略所致。（6）德明利：聚焦移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)，營(yíng)收整體增長(zhǎng)德明利為專(zhuān)業(yè)從事集成電路設(shè)計(jì)、研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。德明利主營(yíng)業(yè)務(wù)主要集中于閃存主控芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)，存儲(chǔ)模組產(chǎn)品應(yīng)用方案的開(kāi)發(fā)、優(yōu)化，以及存儲(chǔ)模組產(chǎn)品的銷(xiāo)售。德明利主要聚焦于移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)，銷(xiāo)售收入主要來(lái)自存儲(chǔ)模組，產(chǎn)品主要包括存儲(chǔ)卡、存儲(chǔ)盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)等存儲(chǔ)模組，其中存儲(chǔ)卡模組毛利率較高。德明利相關(guān)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工控設(shè)備、家用電器、汽車(chē)電子、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。德明利營(yíng)收整體呈增長(zhǎng)趨勢(shì)。2020年?duì)I收同比增加29.28%，由負(fù)轉(zhuǎn)正。德明利毛利均來(lái)自于主營(yíng)業(yè)務(wù)，2021年毛利率、凈利率均略有下降。

（7）瀾起科技：內(nèi)存接口芯片市占巨頭，產(chǎn)品獲業(yè)內(nèi)高度認(rèn)可瀾起科技成立于2004年，于2019年7月在上交所上市，是科創(chuàng)板首批上市企業(yè)之一，作為國(guó)際領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設(shè)計(jì)公司，瀾起科技致力于為云計(jì)算和人工智能領(lǐng)域提供高性能、低功耗的芯片解決方案。

目前公司的主要產(chǎn)品包括內(nèi)存接口芯片、津逮服務(wù)器CPU及混合安全內(nèi)存模組。其中，瀾起科技在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域深耕十余年，占據(jù)全球市場(chǎng)主要份額，市占率將近50%（全球第一），是全球可提供內(nèi)存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應(yīng)商。產(chǎn)品性能在業(yè)內(nèi)獲高度認(rèn)可，廣泛應(yīng)用于人工智能及云計(jì)算領(lǐng)域，營(yíng)收和毛利率均保持在較高水平。2018年公司產(chǎn)品“第二代DDR4內(nèi)存緩沖控制器芯片”榮獲“‘中國(guó)芯’年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎(jiǎng)，“津逮”服務(wù)器采用的“動(dòng)態(tài)安全監(jiān)控技術(shù)”獲評(píng)第五屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)“世界互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)先科技成果”。近些年來(lái)，瀾起科技營(yíng)收體量一直保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，2021年?duì)I收規(guī)模達(dá)25.62億元，同比增長(zhǎng)40.49%；另一方面，公司的毛利率近年來(lái)始終維持在45%以上，高于行業(yè)平均水平。

07

未來(lái)展望

1、市場(chǎng)需求持續(xù)擴(kuò)大

隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展，智能手機(jī)必將成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)有力的增長(zhǎng)動(dòng)力，同時(shí)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展，將帶來(lái)大數(shù)據(jù)、云存儲(chǔ)市場(chǎng)需求不斷提升，來(lái)自服務(wù)器領(lǐng)域的存儲(chǔ)需求也將成為主要?jiǎng)恿Α?/span>
未來(lái)人工智能、VRIAR、5G等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，必將再次帶動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求的進(jìn)一步發(fā)展，成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)新的增長(zhǎng)藍(lán)海。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）的首份《全球存貯界》（Global Storage Sphere）報(bào)告預(yù)測(cè)從2018到2023年，全球存儲(chǔ)裝機(jī)容量將翻一番，增長(zhǎng)到11.7ZB（Zettabyte澤字節(jié)）。存儲(chǔ)市場(chǎng)需求持續(xù)擴(kuò)大，必將引發(fā)全球新一輪的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)洗牌，也為我國(guó)帶來(lái)前所未有的發(fā)展契機(jī)。
2、我國(guó)正在承接第三次大規(guī)模的集成電路產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移
在區(qū)域方面，從全球范圍來(lái)看，集成電路產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生著第3次大轉(zhuǎn)移，即從韓國(guó)、臺(tái)灣向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移。近幾年，在下游通訊、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等電子產(chǎn)品需求拉動(dòng)下，我國(guó)集成電路市場(chǎng)需求持續(xù)快速增加，已經(jīng)成為全球最具影響力的市場(chǎng)之一。
我國(guó)集成電路行業(yè)的發(fā)展為存儲(chǔ)器芯片的研發(fā)制造提供基礎(chǔ)，為存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展帶來(lái)發(fā)展機(jī)遇。除了研發(fā)生產(chǎn)傳統(tǒng)型的DRAM和3D NAND存儲(chǔ)器以外；大數(shù)據(jù)、云計(jì)算和人工智能等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量快速存儲(chǔ)器的需求，催生出相變存儲(chǔ)器、磁阻存儲(chǔ)器、阻變存儲(chǔ)器等新型存儲(chǔ)器。我國(guó)企業(yè)在新型存儲(chǔ)器的研發(fā)生產(chǎn)上已進(jìn)入全球第一方陣，為未來(lái)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)業(yè)升級(jí)打下基礎(chǔ)。
3、發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已成為國(guó)家戰(zhàn)略
存儲(chǔ)器作為信息的核心載體，其自主化程度與自給率嚴(yán)重關(guān)乎國(guó)家安全。目前，我國(guó)存儲(chǔ)器幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口，存儲(chǔ)器已成為“卡脖子”的核心產(chǎn)品之一。2016年國(guó)務(wù)院批復(fù)同意國(guó)家存儲(chǔ)器基地落戶(hù)湖北武漢。這一世界級(jí)存儲(chǔ)器基地，將為我國(guó)打破主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟(jì)跨越發(fā)展提供重要支撐。同時(shí)國(guó)家存儲(chǔ)器基地依托長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯等龍頭企業(yè)的牽引作用，將帶動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈資源聚集，激活產(chǎn)業(yè)投資的乘數(shù)效應(yīng)，以促進(jìn)國(guó)內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。通過(guò)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈資源聚集，進(jìn)一步將武漢打造為世界存儲(chǔ)之都，促進(jìn)與國(guó)際存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)互聯(lián)互通、共生共榮。
NAND Flash閃存芯片和DRAM內(nèi)存芯片是當(dāng)前國(guó)際市場(chǎng)中最為重要的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，中國(guó)是全球最大的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，存儲(chǔ)器對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的塑造更為直接。隨著5G、AI、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求將呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。在下一代信息產(chǎn)業(yè)和數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展中，存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)性功能作用將更加凸顯，誰(shuí)掌握了存儲(chǔ)器研發(fā)和生產(chǎn)的核心技術(shù)，誰(shuí)將在新一輪的信息產(chǎn)業(yè)和數(shù)字經(jīng)濟(jì)競(jìng)爭(zhēng)中掌握主導(dǎo)權(quán)。