書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：半導(dǎo)體器件制造工藝

編號：JFSJ-21-127

作者：炬豐科技

摘要：

半導(dǎo)體器件制造工藝的成分：

1.塊狀材料，例如 Si、Ge、GaAs

2.創(chuàng)造的摻雜物 p- 和 n-類型區(qū)域

3.進(jìn)行接觸的金屬化

4.鈍化保護(hù)半導(dǎo)體表面免受電氣和化學(xué)污染

（1）背面接觸（通常為 P 擴(kuò)散或注入）——此處P摻雜多晶硅（稍后討論）

（2）在背面沉積二氧化硅

（3）頂面熱氧化

（4）二氧化硅的光刻和蝕刻

?（5）硼摻雜以形成 p 型電極并隨后去除背面氧化物

（6）鋁金屬化和圖案化以形成觸點(diǎn)

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