書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)、加工和表征

編號(hào)：JFSJ-21-088

作者：炬豐科技

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摘要：

本文章基于納米結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)、加工和表征。工作范圍在隨附的論文中進(jìn)行了總結(jié)，而介紹部分旨在向非專家（例如最近進(jìn)入該領(lǐng)域的博士生）介紹研究領(lǐng)域、實(shí)驗(yàn)技術(shù)和表征工具納米物理學(xué)，或?qū)υ擃I(lǐng)域有明顯興趣的人。引言還將概述在論文框架內(nèi)獲得的科學(xué)成果，并將與所包含的論文部分重疊。

固態(tài)材料可分為三類，絕緣體、半導(dǎo)體和導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料的研究始于十九世紀(jì)初。多年來，已經(jīng)研究了許多半導(dǎo)體材料，而硅一直是并且仍然是主要材料，這主要是由于高質(zhì)量的二氧化硅，它是一種非常好的絕緣體，可以在硅上熱生長(zhǎng)。此外，以二氧化硅和硅酸鹽形式存在的硅占地殼的?25%，這使得該材料與其他替代品相比非常便宜 。然而，許多由兩種或多種元素組成的所謂化合物半導(dǎo)體具有硅所不具備的光學(xué)和電學(xué)特性，這也引發(fā)了對(duì)更昂貴材料（例如?GaAs?和?InP）的深入研究。這些是具有直接帶隙的?III-V?族材料，從應(yīng)用的角度來看，這意味著它們是發(fā)光器件的絕佳候選材料。根據(jù)使用的材料，可以獲得不同波長(zhǎng)的發(fā)射光。最近，為了達(dá)到對(duì)應(yīng)于藍(lán)光的波長(zhǎng)，已經(jīng)采用了?GaN，通過組合來自多個(gè)光源的波長(zhǎng)，可以獲得白光 。

圖 中核殼結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微鏡圖像。a) 側(cè)視圖。b) 俯視圖。GaAs 晶須由 40 nm 直徑的 Au 顆粒生長(zhǎng)，然后 GaAs 納米晶須被 AlGaAs 沉積徑向覆蓋。在晶須的頂部可以看到金顆粒。在加蓋過程中形成的明顯的晶須底部。晶須側(cè)面是{-110}，如圖b)所示。正如 AFM 所證實(shí)的那樣，在底部，離晶須中心越遠(yuǎn)，陡度越低的刻面。

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