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MOS管25N120廣泛應(yīng)用于各種電路中，MOS管的形狀類似于三極管、晶閘管、三端穩(wěn)壓器、IGBT，所以大家有時(shí)分不清MOS管是什么，下面我以MOS管25N120為例給大家做個(gè)詳細(xì)的介紹。

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25N120參數(shù)描述

型號：25N120

封裝：TO-247

特性：大電流MOS管

電性參數(shù)：25A 1200V

芯片材質(zhì)：GPP

集電極電流(Ic)：25A

脈沖集電極電流(ICM)：75A

G-E極閾值電壓(VGE)：5.5V

G-E極漏電流(IGES)：100na

工作溫度：-55~+150℃

引線數(shù)量：3

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MOS管25N120又稱場效應(yīng)管，我們首先介紹一個(gè)更簡單的器件——MOS電容，可以更好地理解MOS管25N120。這個(gè)裝置有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是外在硅（extrinsic Silicon），由一層薄薄的二氧化硅隔開。金屬極是GATE，半導(dǎo)體端是backgate或body。它們之間的絕緣氧化層稱為柵極電介質(zhì)。

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場效應(yīng)管（FET）主要包括結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET）；絕緣柵場效應(yīng)晶體管包括增強(qiáng)型和耗盡型；增強(qiáng)型和耗盡型分別包括N型和P型。我們常用的場效應(yīng)管25N120一般是指增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管，簡稱MOS管。

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MOS管25N120一般用作電路中的電子開關(guān)。在開關(guān)電源中，常用的是MOS管25N120的漏極開路電路，漏極與負(fù)載原樣連接，稱為開路漏極。在開漏電路中，無論連接到負(fù)載的電壓有多高，都可以導(dǎo)通和關(guān)斷負(fù)載電流，它是一種理想的模擬開關(guān)器件，這就是MOS管25N120作為開關(guān)器件的原理。當(dāng)然，MOS管25N120還有更多的電路形式作為開關(guān)使用。

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以上就是關(guān)于MOS管25N120-ASEMI是什么的詳細(xì)介紹。ASEMI產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：開關(guān)電源、LED照明、集成電路、移動通訊、計(jì)算機(jī)、工業(yè)自動化控制設(shè)備、汽車電子以及液晶電視、IoT、智能家居、醫(yī)療儀器、 電磁爐等大小家電。