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CuNi3Si1Mg-TR02 C7025-R620銅合金深沖性能好

2022-03-21 17:11 作者:東莞長安北鼎金屬材料  | 我要投稿

CuNi3Si1Mg-TR02 C7025-R620銅合金深沖性能好


ZHMn55-3-1 C86500 HTB1 - G-CuZn35Al1 (2.0592.01) HBSC2 CuZn35AlFeMn

ZHMn58-2-2 - - - - - -

ZHMn58-2 - - - - - -


CW004A、Cu-ETP、CW005A、Cu-FRHC

CW008A、Cu-OF、CW011A、CuAg0.04

CW012A、CuAg0.07、CW013A、CuAg0.1

CW014A、CuAg0.04P、CW015A、CuAg0.07P

CW016A、CuAg0.10P、CW017A、CuAg0.04(OF)


集成電路

微電子技術的核心是集成電路。集成電路是指以半導體晶體材料為基片(芯片),采用專門的工藝技術將組成電路的元器件和互連線集成在基片內(nèi)部、表面或基片之上的微小型化電路。這種微電路在結構上比zui緊湊的分立元件電路在尺寸和重量上小成千上萬倍。它的出現(xiàn)引起了計算機的巨大變革,成為現(xiàn)代信息技術的基礎。己開發(fā)出的很大規(guī)模集成電路,在比小姆指甲還小的單個芯片面積上,能做出的晶體管數(shù)目,己達十萬甚至百萬以上。國際著名的計算機公司IBM(國際商業(yè)機器公司),己采用銅代替硅芯片中的鋁作互連線,取得了突破性進展。這種用銅的新型微芯片,可以獲得30%的效能增益,電路的線尺寸可以減小到0.12微米,可使在單個芯片上集成的晶體管數(shù)目達到200萬個。這就為古老的金屬銅,在半導體集成電路這個zui新技術領域中的應用,開創(chuàng)了新局面 [1]? 。引線框架

為了保護集成電路或混合電路的正常工作,需要對它進行封裝;并在封裝時,把電路中大量的接頭從密封體內(nèi)引出來。這些引線要求有一定的強度,構成該集成封裝電路的支承骨架,稱為引線框架。實際生產(chǎn)中,為了高速大批量生產(chǎn),引線框架通常在一條金屬帶上按特定的排列方式連續(xù)沖壓而成??蚣懿牧险技呻娐房偝杀镜?/3~ l/4,而且用量很大;因此,必須要有低的成本

CW018A、CuAg0.07(OF)、CW019A、CuAg0.10(OF)

CW020A、Cu-PHC、CW021A、Cu-HCP

CW003A、Cu-ETP1、CW007A、Cu-OF1

CW006A、Cu-FRTP、CW023A、Cu-DLP

CW024A、Cu-DHP、CW303G、CuAl8Fe3


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