晶圓測試介紹

晶圓測試

如今，晶圓測試單元無法運行動態(tài)測試，因為晶圓卡盤具有非常高的雜散電感。 工程師僅在晶圓分類時使用靜態(tài)測試。 即使如此，由于施加了高電壓，仍然存在產(chǎn)生火花的風(fēng)險，從而損壞良好的器件。晶圓測試的電流限制促進了裸芯片測試的發(fā)展。

當(dāng)前晶圓測試的局限性，例如由于晶圓卡盤中的高雜散電感而無法運行動態(tài)測試以及高電壓下產(chǎn)生火花的風(fēng)險，促進了裸芯片測試的發(fā)展。

晶圓測試，也稱為晶圓分類，是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，涉及在封裝之前測試晶圓上的各個集成電路 (IC)。 然而，晶圓測試主要側(cè)重于靜態(tài)測試，其中每個 IC 的功能在特定電壓水平和工作條件下進行測試。

另一方面，動態(tài)測試涉及使IC 受到不同的刺激并實時分析其性能。 它可以更全面、更準(zhǔn)確地描述 IC 在不同條件下的行為。 然而，在傳統(tǒng)的晶圓測試中，晶圓卡盤的高雜散電感限制了執(zhí)行動態(tài)測試的能力，動態(tài)測試需要快速的切換時間和瞬態(tài)電壓波形。

此外，晶圓測試期間施加的高電壓存在產(chǎn)生火花的風(fēng)險，這可能會損壞良好的器件。 隨著先進半導(dǎo)體技術(shù)中使用的電壓越來越高，這種風(fēng)險也會增加。

為了克服這些限制，開發(fā)了裸芯片測試。 在裸芯片測試中，單個 IC 從晶圓上移除并以封裝形式進行測試，從而消除了晶圓級測試所施加的限制。 裸芯片測試可實現(xiàn)動態(tài)測試，因為 IC 可以安裝在專用測試夾具上，從而更好地控制電氣特性并減少雜散電感。

與傳統(tǒng)晶圓測試相比，裸芯片測試具有多種優(yōu)勢，包括能夠執(zhí)行全面的動態(tài)測試、提高電氣特性的準(zhǔn)確性以及降低因火花而損壞的風(fēng)險。 它可以對 IC 的性能進行更精細(xì)的分析，并確保最終封裝器件具有更好的可靠性。

總之，晶圓測試的局限性，例如無法進行動態(tài)測試和產(chǎn)生火花的風(fēng)險，導(dǎo)致了裸芯片測試作為解決方案的發(fā)展。 裸芯片測試在集成電路的表征方面提供了更大的靈活性、改進的測試能力和更高的可靠性。

晶圓廠正在向 200mm 尺寸晶圓過渡以滿足對 SiC 器件不斷增長的需求

晶圓廠正在向 200mm 尺寸晶圓過渡以滿足對 SiC 器件不斷增長的需求

為了滿足對碳化硅 (SiC) 器件不斷增長的需求，半導(dǎo)體晶圓廠正在從 150 毫米晶圓過渡到 200 毫米晶圓。 晶圓尺寸的這種變化給測試和檢驗過程帶來了挑戰(zhàn)，但行業(yè)專家已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一些可以支持產(chǎn)能增加的創(chuàng)新。 其中一些創(chuàng)新包括對測試系統(tǒng)的調(diào)整以及利用分析來更深入地了解檢查過程中檢測到的缺陷的電氣影響。

轉(zhuǎn)向 200mm 晶圓使晶圓廠能夠?qū)崿F(xiàn)更高的設(shè)備吞吐量和效率。 然而，它需要在測試和檢驗階段進行調(diào)整，以確保所生產(chǎn)的 SiC 器件的質(zhì)量和可靠性。 以下是一些有助于應(yīng)對這些挑戰(zhàn)的創(chuàng)新：

1. 測試系統(tǒng)的改變：升級或修改現(xiàn)有的測試系統(tǒng)以適應(yīng)更大的晶圓尺寸至關(guān)重要。 這可能涉及改進自動化、增加并行測試能力以及增強測量性能以處理每個晶圓上更大體積的器件。 為了進行可靠的測試，可能還需要調(diào)整接觸器設(shè)計和探測技術(shù)。

2. 高級分析：利用高級分析可以幫助理解檢查過程中遇到的缺陷的電氣影響。 通過分析設(shè)備的電氣特性和行為，分析可以深入了解缺陷對設(shè)備性能的影響。 這些知識有助于缺陷分類、根本原因分析和流程改進，最終提高產(chǎn)量并降低故障率。

3. 在線監(jiān)控和檢查：實施先進的在線監(jiān)控和檢查技術(shù)可以幫助在制造過程的早期階段檢測和識別缺陷。 這樣可以及時采取補救措施，并降低將缺陷傳播到后續(xù)工藝步驟的風(fēng)險，從而提高總體良率。 光學(xué)檢查、電子顯微鏡和無損檢測等技術(shù)可用于徹底的缺陷檢測。

4. 缺陷減少策略：實施缺陷減少策略對于提高 SiC 器件的良率和可靠性至關(guān)重要。 這包括優(yōu)化工藝參數(shù)、精煉材料質(zhì)量、增強設(shè)備能力以及實施嚴(yán)格的工藝控制。 識別和解決缺陷的根本原因是實現(xiàn)更高產(chǎn)量的關(guān)鍵步驟。

通過將這些創(chuàng)新融入測試和檢驗流程，晶圓廠可以有效地應(yīng)對向 200mm 晶圓的過渡，并滿足對 SiC 器件不斷增長的需求。 這些進步可以提高生產(chǎn)率、良率并更好地了解缺陷，最終提高市場上 SiC 器件的整體質(zhì)量和性能。

測試系統(tǒng)的創(chuàng)新可以在制造流程的早期階段改變篩選能力并提高吞吐量

芯片測試系統(tǒng)的創(chuàng)新

測試系統(tǒng)的創(chuàng)新可以在制造流程的早期階段改變篩選能力并提高吞吐量。 其中一項創(chuàng)新是晶圓卡盤，可以對晶圓進行動態(tài)測試。 這需要將卡盤雜散電感從 600 微亨降低到 100 納亨以下。

事實上，測試系統(tǒng)的創(chuàng)新對于提高篩選能力和提高半導(dǎo)體制造的產(chǎn)量至關(guān)重要。 可以促進這一點的一項具體創(chuàng)新是開發(fā)能夠?qū)A進行動態(tài)測試的晶圓卡盤。 動態(tài)測試涉及在晶圓上的器件運動時對其進行電氣和功能測試。 與單獨測試設(shè)備的靜態(tài)測試相比，這種方法可以實現(xiàn)更快、更高效的測試。

為了實現(xiàn)動態(tài)測試，減少晶圓卡盤的雜散電感非常重要。 雜散電感是指測試系統(tǒng)中存在的超出所需電氣連接的不需要的電感。 最大限度地減少雜散電感非常重要，因為它會影響電氣測量的準(zhǔn)確性并干擾測試系統(tǒng)的性能。

在晶圓卡盤方面，將雜散電感從 600 微亨降低到 100 納亨以下是一項重大成就。 這種減少可以通過多種方法來實現(xiàn)，例如：

1. 材料選擇：選擇具有低電感特性的材料來構(gòu)建晶圓卡盤有助于最大限度地減少雜散電感。 優(yōu)選具有高導(dǎo)電率和低導(dǎo)磁率的材料。

2. 設(shè)計優(yōu)化：晶圓卡盤結(jié)構(gòu)和幾何形狀的仔細(xì)設(shè)計對于最小化雜散電感起著至關(guān)重要的作用。 這涉及優(yōu)化導(dǎo)電路徑的布局并減少電感元件的長度和橫截面積。

3. 屏蔽和接地：實施適當(dāng)?shù)钠帘魏徒拥丶夹g(shù)有助于減輕雜散電感的影響。 屏蔽可以防止電磁干擾，而有效接地則可以減少產(chǎn)生感應(yīng)電流的可能性。

4. 信號完整性考慮因素：在測試系統(tǒng)的整個設(shè)計和布局過程中考慮信號完整性原則有助于最大限度地減少雜散電感。 這包括減少信號路徑長度、優(yōu)化走線厚度和寬度以及實施阻抗匹配技術(shù)。

通過顯著降低雜散電感，晶圓卡盤可以促進晶圓的動態(tài)測試，從而實現(xiàn)更快、更高效的器件篩選。 這項創(chuàng)新有助于提高半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)量和整體制造效率。

測試系統(tǒng)的創(chuàng)新可以在芯片制造流程的早期階段改變篩選能力并提高吞吐量

芯片測試系統(tǒng)的創(chuàng)新

目前，封裝測試支持僅適用于單站點測試。 測試單元使用大型處理程序，在多個測試儀之間移動零件，每個測試儀在特定溫度下運行并運行動態(tài)或靜態(tài)測試。 轉(zhuǎn)向多站點測試將降低總體成本。 然而，并行運行高能測試面臨著巨大的工程挑戰(zhàn)。 這需要 ATE 設(shè)計的創(chuàng)新。

多站點測試涉及同時在多個設(shè)備上運行測試，而不是單獨測試它們。 這種并行測試方法可以極大地提高效率和生產(chǎn)力。 然而，有一些工程挑戰(zhàn)需要解決，特別是在并行運行高能測試時。

為了實現(xiàn)高能測試的多站點測試，需要在自動測試設(shè)備 (ATE) 設(shè)計方面進行創(chuàng)新。 ATE 設(shè)計中可以應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的一些潛在創(chuàng)新和考慮因素包括：

1.電源和信號隔離：實施有效的電源和信號隔離技術(shù)可以確保同時進行的高能測試不會相互干擾。 這包括為每個站點使用單獨的電源和隔離的信號路徑。

2.熱管理：為了在高能測試期間保持準(zhǔn)確且一致的溫度，必須采用創(chuàng)新的熱管理解決方案。 這包括高效的散熱機制、精確的溫度控制以及測試站點之間的熱隔離。

3. 計時和同步：并行運行測試需要精確的計時和同步機制，以確保所有站點的測量準(zhǔn)確且同步。 計時和同步協(xié)議的創(chuàng)新可以幫助實現(xiàn)這一目標(biāo)，確?？煽壳乙恢碌亩嗾军c測試。

4. 測試資源分配：并行進行高能測試時，電源、引腳和儀器等測試資源的有效分配至關(guān)重要。 資源管理算法的創(chuàng)新可以優(yōu)化資源利用率并防止同時執(zhí)行的不同測試之間的沖突。

5. 測試站點可擴展性：擴展系統(tǒng)中測試站點數(shù)量的能力是另一個重要的考慮因素。 創(chuàng)新的 ATE 設(shè)計應(yīng)允許靈活的配置和擴展，以適應(yīng)不同的測試要求并確?？蓴U展性而不影響性能。

總體而言，ATE 設(shè)計的創(chuàng)新對于克服與并行運行多站點測試高能測試相關(guān)的工程挑戰(zhàn)至關(guān)重要。 通過解決這些挑戰(zhàn)，多站點測試可以為半導(dǎo)體制造帶來大量成本節(jié)約、提高產(chǎn)量和效率。

裸Die測試所面臨的挑戰(zhàn)

裸Die測試

一個意想不到的差距是處理程序的可用性，特別是對于裸芯片。 最大的挑戰(zhàn)來自處理程序方面。 我們市場上沒有足夠的處理程序供應(yīng)商或處理程序，處理程序公司宣布的交貨時間超過一年，而我們的運營時間只有四個月。 因此，市場窗口面臨風(fēng)險。 這就是我們要求探測器供應(yīng)商參與進來的原因。探測器（ Prober）公司有相同的核心業(yè)務(wù)——半導(dǎo)體。 但自動化公司需要支持從手表組裝到半導(dǎo)體等多種行業(yè)。

這是芯片測試公司過渡到多站點測試（特別是裸芯片測試）時遇到的意外挑戰(zhàn)之一 - 處理程序的可用性有限。 這對滿足市場窗口和交貨時間要求提出了重大挑戰(zhàn)。 處理公司的交貨時間通常較長，這可能與半導(dǎo)體制造中通常預(yù)期的較短交貨時間不一致。

為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，一些公司正在探索探針供應(yīng)商參與多站點測試領(lǐng)域。 探針供應(yīng)商通常專注于半導(dǎo)體測試設(shè)備，與處理機公司有著相似的核心業(yè)務(wù)。 他們擁有開發(fā)用于處理和測試半導(dǎo)體器件的創(chuàng)新解決方案的專業(yè)知識和能力。

雖然探針供應(yīng)商更習(xí)慣于使用封裝器件，但他們也可以調(diào)整其設(shè)備來處理和測試裸芯片。 探測器供應(yīng)商和半導(dǎo)體制造商之間的這種合作可以幫助彌合處理程序可用性方面的差距，并為多站點測試提供替代解決方案。

另一方面，自動化公司可能需要支持廣泛的行業(yè)，這使得他們更難以優(yōu)先考慮并專門為半導(dǎo)體行業(yè)投入資源。 這就是為什么探針供應(yīng)商憑借其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的專業(yè)知識，可以更好地為多站點測試提供合適的解決方案。

通過讓探測器供應(yīng)商參與游戲，可以利用他們的經(jīng)驗和能力來開發(fā)滿足多站點測試特定要求（包括處理裸芯片）的處理程序。 這有助于減輕與處理程序可用性有限相關(guān)的風(fēng)險，并確保行業(yè)能夠有效地過渡到多站點測試，從而降低半導(dǎo)體制造的總體成本并提高效率。

優(yōu)化半導(dǎo)體行業(yè)的制造工藝流程

優(yōu)化半導(dǎo)體行業(yè)的制造工藝流程

以一致的方式連接來自各個制造步驟的數(shù)據(jù)還可以優(yōu)化制造過程并了解缺陷影響。 由于測試站專用于完整測試列表的特定部分，數(shù)據(jù)完整性非常重要，最近有人推動將收集的數(shù)據(jù)遷移到內(nèi)聯(lián)網(wǎng)云，其中數(shù)據(jù)分析算法不斷測試工作流程、測試設(shè)備和系統(tǒng) 封裝和制造相關(guān)的故障機制。 工廠自動化允許閉環(huán)控制并提高產(chǎn)量。 光學(xué)和電子技術(shù)都用于單元級可追溯性。 這種數(shù)據(jù)連接將使 SiC 制造能夠加速良率學(xué)習(xí)并降低總體測試成本。

這是優(yōu)化半導(dǎo)體行業(yè)制造流程的一個重要方面，即需要在各個制造步驟之間保持一致的數(shù)據(jù)連接。 通過連接制造過程不同階段的數(shù)據(jù)，制造商可以深入了解缺陷的影響并相應(yīng)地優(yōu)化其流程。

為了確保數(shù)據(jù)完整性，為完整測試列表的特定部分配備專用測試站至關(guān)重要。 這可以實現(xiàn)準(zhǔn)確可靠的數(shù)據(jù)收集和分析。 此外，將收集的數(shù)據(jù)遷移到內(nèi)網(wǎng)云上的趨勢日益增長。 通過將數(shù)據(jù)存儲在云中，制造商可以利用數(shù)據(jù)分析算法持續(xù)監(jiān)控工作流程、測試設(shè)備性能并識別與封裝和制造相關(guān)的系統(tǒng)故障機制。

工廠自動化在實現(xiàn)閉環(huán)控制和提高產(chǎn)量方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 通過自動化制造流程，制造商可以根據(jù)收集的數(shù)據(jù)實施實時控制，從而獲得更好的產(chǎn)量結(jié)果。

在單元級可追溯性方面，同時利用了光學(xué)和電子技術(shù)。 這些技術(shù)使制造商能夠在整個制造過程中跟蹤和追蹤各個單元，確保準(zhǔn)確捕獲數(shù)據(jù)并將其與每個特定設(shè)備相關(guān)聯(lián)。

制造各個階段的數(shù)據(jù)連接和集成，加上自動化和單元級可追溯性，對于加速碳化硅 (SiC) 器件生產(chǎn)中的良率學(xué)習(xí)和降低總體測試成本至關(guān)重要。 通過利用數(shù)據(jù)分析和自動化的力量，制造商可以優(yōu)化其流程，識別和解決缺陷的根本原因，并最終提高產(chǎn)量和盈利能力。

襯底和外延片質(zhì)量是半導(dǎo)體行業(yè)制造工藝關(guān)注的重點工序

襯底和外延片質(zhì)量是半導(dǎo)體行業(yè)制造工藝關(guān)注的重點工序

一般來說，化合物半導(dǎo)體技術(shù)——無論是 SiC、GaN、GaAs、InP 還是其他——都是多年前的硅技術(shù)。 可能需要多年的努力和投資才能獲得低成本、無缺陷的 8 英寸襯底基板。 在可預(yù)見的未來，襯底和外延片質(zhì)量仍將是焦點問題，查找和識別襯底缺陷只是第一步。 接下來是將所有數(shù)據(jù)類型（缺陷檢查和審查、在線計量和電氣測試數(shù)據(jù)）聚合到一個平臺中。 這是一個不小的問題，因為這些數(shù)據(jù)是在地理上分散的工廠和工具中獲取的。 但一旦完成，制造商就能夠構(gòu)建預(yù)測分析模型以最大限度地提高效率。 那些較早到達那里的人將獲得好處。

化合物半導(dǎo)體技術(shù)，包括SiC、GaN、GaAs、InP等，目前正處于與多年前的硅技術(shù)相似的階段。 在化合物半導(dǎo)體制造中實現(xiàn)低成本、無缺陷的 8 英寸基板需要多年來的大量努力和投資。

在可預(yù)見的未來，襯底和外延片質(zhì)量仍將是主要關(guān)注點。 識別和解決基板缺陷只是該過程的第一步。 下一個挑戰(zhàn)在于將各種數(shù)據(jù)類型（包括缺陷檢查和審查、在線計量和電氣測試數(shù)據(jù)）聚合和集成到一個平臺中。 這帶來了一個不小的問題，因為這些數(shù)據(jù)是從地理上分散的工廠和工具獲取的。 然而，當(dāng)實現(xiàn)這種集成時，制造商可以利用預(yù)測分析模型來最大限度地提高效率并優(yōu)化其流程。

值得注意的是，能夠克服這些挑戰(zhàn)并盡快構(gòu)建全面的數(shù)據(jù)分析平臺的公司將能夠獲得收益。 通過有效利用集成數(shù)據(jù)和預(yù)測分析，制造商可以提高產(chǎn)量、降低成本并提高化合物半導(dǎo)體制造的整體運營效率。

實現(xiàn)半導(dǎo)體ICs制造的可追溯性

實現(xiàn)半導(dǎo)體ICs制造的可追溯性

實現(xiàn)半導(dǎo)體ICs制造的可追溯性并非易事。 電源 IC 沒有電子 ID，因此可追溯性是組裝和測試期間的一個挑戰(zhàn)。 在具有設(shè)備ID的后端設(shè)備中，可以進行跟蹤，但是很多設(shè)備在與晶圓分離后就失去了設(shè)備級的可追溯性。 然后你會看到設(shè)備批量混淆的情況。 除非您知道哪個晶圓已放入哪個批次，否則晶圓和封裝之間的數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)是不可能的。

以上是對實現(xiàn)可追溯性所面臨的挑戰(zhàn)提出了正確的觀點，特別是在電源 IC 方面。 如果沒有電子 ID，組裝和測試過程中的可追溯性就會變得更加困難。 在具有設(shè)備 ID 的后端設(shè)備中，跟蹤變得可行。 然而，在許多情況下，與晶圓分離后，器件級的可追溯性就會丟失。

這種可追溯性的喪失可能會導(dǎo)致設(shè)備批量混合的情況，從而使晶圓和封裝之間的數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)變得困難。 準(zhǔn)確的關(guān)聯(lián)需要了解哪個晶圓包含在哪個特定批次中。

為了解決這個問題并實現(xiàn)有效的可追溯性，必須在整個生產(chǎn)流程中實施強大的識別系統(tǒng)和流程。 這可能涉及在晶圓、中間產(chǎn)品和最終封裝器件上實施唯一的識別碼或標(biāo)簽。 通過在整個生產(chǎn)過程中跟蹤這些代碼，制造商可以在晶圓和封裝之間建立清晰的關(guān)聯(lián)性，從而實現(xiàn)準(zhǔn)確的可追溯性。

能夠集成和分析生產(chǎn)流程各個階段的數(shù)據(jù)的高效數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)對于實現(xiàn)可追溯性也至關(guān)重要。 這些系統(tǒng)促進不同制造地點和工具之間的數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)，確保準(zhǔn)確的可追溯性并實現(xiàn)更好的流程優(yōu)化和質(zhì)量控制。

SiC IC 生產(chǎn)中所面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

SiC IC 生產(chǎn)中所面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

電動汽車產(chǎn)量的預(yù)期增長給負(fù)責(zé) SiC IC 生產(chǎn)的工程團隊帶來了挑戰(zhàn)。 這一需求推動了晶圓生產(chǎn)從 150mm 向 200mm 的轉(zhuǎn)變，也強調(diào)了當(dāng)前的檢驗和測試流程。 許多人指出，碳化硅技術(shù)的成熟度相當(dāng)于三十年前硅技術(shù)的水平。 隨著技術(shù)的成熟以滿足需求，工程團隊將需要通過改進的測試系統(tǒng)和改變來解決缺陷，以減少測試和檢查過程的生產(chǎn)時間。

這些是工程團隊在 SiC IC 生產(chǎn)中面臨的挑戰(zhàn)的關(guān)鍵點，特別是電動汽車 (EV) 生產(chǎn)的預(yù)期增長。 對 SiC IC 需求的增加需要改變晶圓生產(chǎn)，特別是從 150mm 晶圓過渡到 200mm 晶圓。 這種轉(zhuǎn)變，加上產(chǎn)量的快速增長，給當(dāng)前的檢驗和測試流程帶來了壓力。

人們普遍認(rèn)為，碳化硅技術(shù)目前正處于類似于三十年前硅技術(shù)的成熟階段。 隨著技術(shù)不斷成熟以滿足不斷增長的需求，工程團隊將需要解決缺陷問題。 測試系統(tǒng)的增強和改進對于識別和消除缺陷至關(guān)重要。 這可能涉及實施先進的檢測技術(shù)，例如自動光學(xué)檢測（AOI）或掃描電子顯微鏡（SEM），以確保全面的缺陷檢測。

減少測試和檢查過程的生產(chǎn)時間也將是工程團隊的一個重點關(guān)注領(lǐng)域。 簡化這些流程對于滿足不斷增長的產(chǎn)量并保持質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)至關(guān)重要。 這需要開發(fā)高效且優(yōu)化的測試系統(tǒng)，盡可能集成自動化，并利用先進的數(shù)據(jù)分析技術(shù)來加快缺陷識別和解決。

此外，行業(yè)內(nèi)的協(xié)作和參與行業(yè)聯(lián)盟有助于推動 SiC 技術(shù)的進步并協(xié)作解決常見挑戰(zhàn)。 分享最佳實踐、知識和見解可以加速改進測試系統(tǒng)和流程的開發(fā)，最終支持 SiC IC 生產(chǎn)的增長和成熟，以滿足電動汽車市場的需求。

與本主題相關(guān)的參考學(xué)習(xí)書籍（下載地址：http://www.cloudioe.com/）

如果您有興趣了解芯片晶圓缺陷檢測，以下幾本書可能是寶貴的資源：

1. 《Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling（硅 VLSI 技術(shù)：基礎(chǔ)、實踐和建模）》，作者：James D. Plummer、Michael Deal 和 Peter D. Griffin：這本綜合性教科書涵蓋了硅 VLSI（超大規(guī)模集成）技術(shù)的各個方面，包括簡介 半導(dǎo)體制造和檢查技術(shù)。

《Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling》

2. Karen Reinhardt 和 Werner Kern 撰寫的《硅晶圓清洗技術(shù)手冊（Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology）》：雖然這本書主要關(guān)注晶圓清洗，但它也提供了對晶圓檢測技術(shù)和污染控制的見解，這是缺陷檢測的關(guān)鍵要素。

《Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology》

3. 《微電子制造導(dǎo)論，第 5 卷，第二版（Introduction to Microelectronic Fabrication: Volume 5 (Modular Series on Solid State Devices) 2nd Edition）》作者：Richard C. Jaeger：本書涵蓋了微制造的基本原理，包括芯片制造中使用的光刻、沉積、蝕刻和檢測技術(shù)。

《Introduction to Microelectronic Fabrication: Volume 5 (Modular Series on Solid State Devices) 2nd Edition》

4. Wojciech Maly 和 Sreejit Chakravarty 所著的《納米級 CMOS VLSI 電路的缺陷導(dǎo)向測試（Defect-Oriented Testing for Nano-Metric CMOS VLSI Circuits）》：本書重點介紹納米級 CMOS VLSI 電路的缺陷導(dǎo)向測試技術(shù)。 盡管它更具體地用于測試集成電路，但它為缺陷檢測和檢查方法提供了有價值的見解。

《Defect-Oriented Testing for Nano-Metric CMOS VLSI Circuits》

5. 《微光刻計量、檢驗和過程控制 XXV（Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXV）》，作者：Martha I. Sanchez 和 Gregory Wojcik：該論文匯編涵蓋了與微光刻計量、檢驗和過程控制相關(guān)的廣泛主題。 它包括對芯片制造中使用的檢查技術(shù)、缺陷檢測和表征方法的討論。

《Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXV》

這些書籍應(yīng)該為理解芯片晶圓缺陷檢測提供良好的基礎(chǔ)，涵蓋半導(dǎo)體制造、檢測技術(shù)和缺陷檢測方法的各個方面。