一：《晶圓硅錠生產(chǎn)工藝》

二：《半導(dǎo)體制造中的化學(xué)分析》

三：《掩模清潔技術(shù)工藝》

四：《硅垂直濕蝕刻》

五：《電流耦合效應(yīng)的定義》

六：《晶圓超聲清洗技術(shù)》

七：《刻蝕均勻性技術(shù)研究》

八：《半導(dǎo)體設(shè)備制造發(fā)展》

九：《晶體濕化學(xué)蝕刻制備》

十：《薄膜沉積方法》

十一：《二氧化硅化學(xué)蝕刻工藝》

十二：《光刻膠工藝開發(fā)及應(yīng)用》

十三：《化合物半導(dǎo)體襯底加工》

十四：《晶圓制造工藝》

十五：《半導(dǎo)體制造知識(shí)》

十六：《光刻工藝》

十七：《超薄氮化硅技術(shù) 》

十八：《超薄硅片刻蝕技術(shù)》

十九：《MEMS簡(jiǎn)介》

二十：《單晶研磨工藝》

二十一：《InP電感耦合刻蝕》

二十二：《有機(jī)污染物分析》

二十三：《硅片各向異性化學(xué)刻蝕》

二十四：《光刻膠的氧化去除》

二十五：《硅表面的原子清潔》

二十六：《接觸式光刻技術(shù)》

二十七：《晶圓級(jí)封裝》

二十八：《半導(dǎo)體設(shè)備制造工藝》

二十九：《磷化銦光子集成電路技術(shù)與應(yīng)用》

三十：《掩膜錯(cuò)位和晶圓錯(cuò)位對(duì)硅V型槽蝕刻的影響》