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英特爾這個(gè)「老實(shí)人」也開始學(xué)壞了？

2021-11-17 18:45 作者:WHYLAB 0人讀過 | 我要投稿

在其它品牌 X86 平臺(tái)和 ARM 平臺(tái)的圍剿下，Intel 英特爾似乎有點(diǎn)慌了，第 11 代發(fā)布不到一年的時(shí)間，就正式推出了第 12 代（桌面級(jí)）Core 處理器。

第 12?代?Core 桌面級(jí)處理器，特別是旗艦的 i9 引入了性能核以及能效核的混合架構(gòu)，擁有更大的 L2、L3 級(jí)緩存，支持更高速的 DDR5、擁有更高的超頻能力，桌面級(jí) Core 也正式來到了 10nm 制程工藝時(shí)代 —— 被網(wǎng)友戲稱一下擠了兩支牙膏。

值得注意的是，Intel 這次不再直接宣傳 10nm 制程，而是以「Intel 7」這名稱作制程工藝宣傳，就連 Intel 官網(wǎng)的新聞稿對(duì)「10nm」只字不提。

其實(shí)從這一代芯片開始，Intel 正式開始更改自家制程工藝的「命名方式」，這一代的 10nm （Enhanced SuperFin）制程工藝更名為「Intel 7」。不僅如此，還給后面的 7nm 工藝制程提前預(yù)定了「Intel 4」的名字，預(yù)計(jì)會(huì)在 2022 年到來；接著是 2023 年的 7nm 工藝制程升級(jí)版，命名為「Intel 3」，這將會(huì)成為 Intel 最后一代 FinFet 工藝，而后將進(jìn)入雙位數(shù) + A 命名時(shí)代，進(jìn)入 ? 埃米時(shí)代（1? = 10nm），「Intel 20A」預(yù)計(jì)將會(huì)在 2024 年面世。

問題來了：

Q1：為什么 Intel 要這樣改名呢？

Q2：為什么三星、臺(tái)積電都來到 5nm 時(shí)代了，Intel 還停留在 10nm 時(shí)代呢？

Q3：為什么又會(huì)有人說 Intel 的 10nm 制程工藝要遠(yuǎn)超于三星、臺(tái)積電的 7nm 工藝呢？

「制程」并非一切

首先，我們需要先了解這里的「nm」、「制程工藝」指的是什么 —— 我們都知道 nm，即「納米」，是個(gè)長(zhǎng)度單位；所謂的「制程工藝」主要反映的是「最小線寬」，而「線寬」也就是「芯片上形成互補(bǔ)氧化物金屬半導(dǎo)體磁場(chǎng)感應(yīng)晶體柵格管的寬度」，也就是「柵長(zhǎng)」 —— 有點(diǎn)拗口，但你只要知道，理論上越窄的「線寬」，一定空間下就能塞得進(jìn)更多的晶體管，芯片的理論性能就越高。

而事實(shí)上理論只是理論，直接用「線寬」、「柵長(zhǎng)」來衡量芯片的先進(jìn)程度還不算全面，「晶體管密度」其實(shí)更為重要。

然而各家（名稱上）相同制程的工藝，晶體管密度差距可能非常大 —— 根據(jù) Wikichip 的數(shù)據(jù)，以 10nm 制程為例，Intel 的晶體管密度能達(dá)到 100.76 MTr/mm2，而臺(tái)積電以及三星的 10nm 制程工藝分別只有 52.51 MTr/mm2 和 51.82 MTr/mm2；即使是臺(tái)積電和三星的 7nm 制程工藝也只有 91.2 MTr/mm2 和 95.08 MTr/mm2，還是低于 Intel 的 10nm 制程 —— 這也解釋了為什么「Intel 的 10nm 制程工藝要遠(yuǎn)超于三星、臺(tái)積電的 7nm 工藝」。

為什么差別那么大？這里面有故事可講。

制程「大躍進(jìn)」時(shí)代里的「老實(shí)人」

大概在 2015 年，三星將 20nm 制程工藝進(jìn)行了改進(jìn)，并以「12nm」的名號(hào)將其推向市場(chǎng)，完成了三星在工藝制程命名上的第一次「躍進(jìn)」，隨后臺(tái)積電、格芯等半導(dǎo)體廠商紛紛效仿，「加快」了晶圓制程的「發(fā)展」，唯有 Intel 仍老老實(shí)實(shí)地一步一個(gè)腳印推進(jìn)自家半導(dǎo)體制程的命名（研發(fā)） —— 臺(tái)積電、三星等廠商做法則延續(xù)至今，因此造成了 Intel 與其它廠商制程工藝名稱不同步的「囧」況，也解釋了 Intel 的制程工藝為什么總慢別人一整個(gè)拍子。