書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：集成微加工平臺各向異性腐蝕

編號：JFKJ-21-161

作者：炬豐科技

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摘要

? 本研究提出了一種批量微加工方法 ：?在單晶硅上的制造平臺。?制作平臺采用了垂直角補償結(jié)構(gòu)和概念保護結(jié)構(gòu)集成了各向異性蝕刻和DRIE工藝。?基于這些特點濕各向異性刻蝕和DRIE，各種MEMS 組件使用大塊microma貼合平臺進行演示。?例如，游離懸浮薄由形成的薄膜結(jié)構(gòu)和傾斜結(jié)構(gòu)采用濕法蝕刻法制備晶體平面。?在另一方面，有任意形狀的臺地和空腔以及不同高度(或深度)的結(jié)構(gòu)是由DRIE的特性來實現(xiàn)的。?自上述結(jié)構(gòu)可以制作和集成格柵使用提出的制作平臺，大量微加工工藝的應用將顯著增加。 ?

關(guān)鍵詞DRIE，濕各向異性刻蝕，本體微加工

介紹 ?

? 塊體硅微加工被認為是微加工的一種主要的MEMS制造技術(shù)。?在硅基板上刻蝕后，可得到多種密封加工結(jié)構(gòu)。?此外，凸角底切效應被廣泛應用于制備自由懸浮薄膜結(jié)構(gòu)。?目前, 高縱橫比器件越來越多在MEMS應用中非常重要。?例如，晶體硅片也被用作材料，以增加它們的慣性和剛度。?濕各向異性蝕刻和DRIE深反應離子蝕刻，兩種最常見的深硅蝕刻技術(shù)。然而，濕各向異性蝕刻的應用是僅限于硅襯底的晶面和凸角咬邊效應;?DRIE技術(shù)是不能制造自由懸掛結(jié)構(gòu)。?因此, 現(xiàn)有的大塊硅微加工工藝有限的可用元件成為強大的晶圓廠平臺。采用垂直角補償?shù)母拍罱Y(jié)構(gòu)，以防止在濕各向異性腐蝕表現(xiàn)中。?保護結(jié)構(gòu)也被用來保護非晶面。?因此，可以使用干濕各向異性蝕刻協(xié)助增加各種批量微加工MEMS器件。在DRIE的助手下，臺地和使用該方法可以制造任意形狀的空腔濕的各向異性腐蝕。?此外，這些臺地和空腔可以進一步與懸浮薄膜結(jié)合結(jié)構(gòu)體與結(jié)構(gòu)體形成傾斜 晶面。

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本文講述了概念和制造過程，原因，結(jié)論等問題