? ? ??我們上一章講到了米勒電容，它在MOSFET開通過程中，扮演著十分重要的角色。為什么呢？待會兒再來看。

我們先來研究一下MOSFET如何進行導(dǎo)通的。首先，它和三極管一樣，也有一個導(dǎo)通閾值。在模電里面，閾值的概念是必須要理解的。也就是說，任何器件的導(dǎo)通和關(guān)斷都要有一定的電壓，對應(yīng)的就是開通電壓 和 關(guān)斷電壓，我們把這個電壓叫做閾值。同樣的，MOSFET也有閾值電壓。

MOSFET導(dǎo)通電壓：4.5V 2V 1V。

這個電壓的高低在我們電路中，有多大的作用呢？我們知道了，MOSFET柵源之間是有壓差Vgs（導(dǎo)通閾值電壓），那么，由于布局等因素，GND上會有干擾存在，地上就會毛刺，所以，控制的信號線上也會有干擾毛刺吧，這些毛刺是疊加在有效的控制波形上的，比如說疊加在方波上。

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如上圖所示，比如說地上有了毛刺了，本來是不導(dǎo)通的，由于毛刺的存在，就會讓MOSFET誤導(dǎo)通。

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同樣的，在高電平時也可能會產(chǎn)生毛刺是吧。那么高的毛刺沒有關(guān)系，低的毛刺有可能造成誤關(guān)斷。上面講的誤關(guān)斷，誤開通，我們叫做誤觸發(fā)。

所以，從抗干擾角度來看：閾值電壓越高越好。當然，高閾值和低閾值都有它們各自的優(yōu)缺點。等我們把MOSFET導(dǎo)通原理講清楚了之后，再來分析閾值高低閾值導(dǎo)通電壓的各自優(yōu)勢劣勢，這涉及到器件選型。

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我們接下來來研究MOSFET的導(dǎo)通，就用比較經(jīng)典的4.5V導(dǎo)通閾值電壓來進行講解。

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我們看上面這幅圖。我們知道，對于N型的晶體管或者三極管來說，要想飽和導(dǎo)通，它的E極需要接地。但是對于MOSFET來說，要想導(dǎo)通，不一定非要接地，而是談它的GS之間的壓差，也就是GS壓差要大于4.5V（這是假設(shè)導(dǎo)通閾值是4.5V），換句話說，GS電容上兩端的電壓>4.5V，MOSFET就是導(dǎo)通的。這個和三極管還是有區(qū)別的。

所以，MOSFET的S源極也可以接地，也可以不接地，只要壓差大于4.5V，它就導(dǎo)通。不過，為了后面的討論方便，我們還是把S極接地，討論起來就相對方便。

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假設(shè)柵極加一個控制信號時：

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高電平肯定需要大于4.5V，這里我們?nèi)?2V。高電平，我們叫做ON，代表管子開通；低電平就是OFF了，為0V。

我們先看ON期間，管子是導(dǎo)通的是吧，來看一下它的回路是什么樣子的。

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分別有兩個回路，如上圖所示。當有了回路之后，還要分2種情況進行討論。

我們看GS之間的電阻和電容，它們的阻抗是一樣的嗎？需要討論在充電瞬間，電阻R2和電容C3的內(nèi)阻關(guān)系。

很明顯，剛開始電壓剛剛上電時，電容等效成短路，基本上電流都是從電容上走的。隨著給電容進行充電，這個時候電容上的電壓越來越高，電容的等效阻抗也會越來越高，那么，電阻也會流過電流。

GS電容充電過程分三個階段：

1.?GS電容的內(nèi)阻為0，幾乎所有的電流，從電容上走；

2.?GS電容沒有充滿的情況下，電流分別從電阻及電容流過，但主要的電流依舊 從電容走；

3.?電容充滿了，電流不從電容走，只有很小的電流從電阻走。

這個階段我們討論的是：GS電容和下拉電阻的回路分流問題。

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上圖就是GS電容的充電電壓波形示意。