說到MOS管的寄生參數(shù)，我們一般都只想到mos管各極間的寄生電容，很少會(huì)想到MOS管的寄生電感。

其實(shí)分立的MOS管它是存在寄生電感的，并且柵極，源極和漏極都存在。

在一些MOS的數(shù)據(jù)手冊(cè)會(huì)提到這個(gè)寄生電感。

那么MOS管寄生電感是怎么產(chǎn)生的呢？

其實(shí)MOS管是做在一塊晶粒上，這個(gè)晶粒其實(shí)是比較小的，然后MOS管的封裝外殼比這個(gè)晶粒的尺寸會(huì)大很多，封裝外殼的引腳與晶粒上的焊盤是通過導(dǎo)線連接的，正是這個(gè)導(dǎo)線引入了寄生電感，所以這個(gè)寄生電感也稱為引線電感。

MOS管的這個(gè)寄生電感感值一般是NH級(jí)別。

并且一般晶圓到源極的引線大于到漏極的引線，所以一般源極的寄生電感大于漏極的寄生電感。

MOS管寄生電感在一些MOS管開關(guān)電路中常常會(huì)產(chǎn)生振蕩和尖峰電壓，從而導(dǎo)致一些EMI問題，電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該注意。