NPTB00004B

GaN 功率晶體管，28 V，5 W DC - 6 GHz

NPTB00004B GaN HEMT 是一款針對 DC - 6 GHz 操作優(yōu)化的功率晶體管。該器件支持 CW、脈沖和線性操作，輸出功率水平高達(dá) 5 W (37 dBm)，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝塑料封裝。

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特征

• 57% 漏極效率 @ 2.5 GHz

• GaN on Si HEMT D 模式晶體管

• 可調(diào)諧從 DC - 6 GHz

• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOIC 塑料封裝

• 28V操作

• 符合 RoHS* 標(biāo)準(zhǔn)

• 100 % 射頻測試

• 14.8 分貝增益 @ 2.5 GHz

• 28 伏操作

• 適用于線性和飽和應(yīng)用

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產(chǎn)品規(guī)格

• 零件號

• NPTB00004B

• 描述

• GaN 功率晶體管，28 V，5 W DC - 6 GHz

• 最小頻率(MHz)

• 0

• 最大頻率(MHz)

• 6000

• 電源電壓(V)

• 28

• PSAT(W)

• 5.0

• 增益（分貝）

• 14.8

• 效率

• >50

• 測試頻率(GHz)

• 2.50

• 包裹

• SOIC8

• 包裹類別

• 塑料

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