圖1是正常工作狀態(tài)下的信號放大圖。也就是說，加載在圖2輸入端的正弦交流信號可以正常放大ib->ic。

圖3則是出現(xiàn)了飽和失真。首先，我們注意到，圖2中的ic和uo是反相的，所以，飽和失真出現(xiàn)在u0的負(fù)半周，ic的正半周，它們的波峰都被截去了。

那么，飽和失真為什么出現(xiàn)在u0的負(fù)半周呢？

首先，三極管的飽和區(qū)是指發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏，同時Ib增大的時候，Ic增大不多或基本不變，則說明晶體管進(jìn)入飽和區(qū)域。

圖4說明，集電極電流IC的形成，是因為加載在集電極的正電壓對于電子的吸引形成的。如果集電極的正電壓很小，那么集電極就將失去這種能力。

圖3表明，在Q點很高的時候，uCEQ是很小的，由于發(fā)射極接地，uCEQ很小就等于集電極電壓很小，而圖3中加載在uCEQ之上的交流信號處于負(fù)半周的時候，就將進(jìn)一步減小集電極電壓，從而導(dǎo)致集電極電流失去隨基極電流產(chǎn)生變化的能力，因此，在uo的負(fù)半周出現(xiàn)了飽和失真。

同樣可以解釋圖5的截止失真。在Q點很低的時候，圖5（a）的IBQ已經(jīng)很小，而加載在IBQ之上的交流信號ib處于負(fù)半周的時候，就將進(jìn)一步減小基極電流，使得三極管進(jìn)一步截止，從而導(dǎo)致基極電流和集電極電流在負(fù)半周產(chǎn)生變化的能力，因此，在ic的負(fù)半周出現(xiàn)了截止失真。

可以簡單總結(jié)如下：

1：飽和失真出現(xiàn)在uo的負(fù)半周，ic的正半周

2：截止失真出現(xiàn)在uo的正半周，ic的負(fù)半周