石墨烯薄膜一般指通過(guò)cvd法制備的單層的石墨烯，因?yàn)槭菃螌?，所以?qiáng)度、導(dǎo)電率和透明度都比較好。

那么，高質(zhì)量石墨烯薄膜-實(shí)驗(yàn)用石墨烯薄膜是如何制備的?

CVD生長(zhǎng)石墨烯主要包括兩個(gè)路徑：

一是“直接生長(zhǎng)”，催化裂解出來(lái)的碳原子直接在催化劑表面成核、進(jìn)而生長(zhǎng)成石墨烯薄膜；

二是“迂回生長(zhǎng)”，催化裂解的表面碳原子滲透進(jìn)入體相溶解后，再在表面析出，成核生長(zhǎng)形成石墨烯薄膜。兩個(gè)平行生長(zhǎng)路徑的貢獻(xiàn)，取決于金屬催化劑的溶碳能力、金屬碳化物的生成及其在生長(zhǎng)溫度下的化學(xué)穩(wěn)定性。

CVD法制備石墨烯的基本過(guò)程是：

把基底金屬箔片放入爐中，通入氫氣和氬氣或者氮?dú)獗Ｗo(hù)加熱至1000℃左右，穩(wěn)定溫度，保持20min左右；然后停止通入保護(hù)氣體，改通入碳源（如甲烷）氣體，大約30min，反應(yīng)完成；切斷電源，關(guān)閉甲烷氣體，再通入保護(hù)氣體排凈甲烷氣體，在保護(hù)氣體的環(huán)境下直至管子冷卻到室溫，取出金屬箔片，得到金屬箔片上的石墨烯。

襯底是生長(zhǎng)石墨烯的重要條件。目前發(fā)現(xiàn)的可以用作石墨烯制備的襯底金屬有8～10個(gè)過(guò)渡金屬（如Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和合金（如Co-Ni，Au-Ni，Ni-Mo，不銹鋼）。過(guò)渡金屬在石墨烯的CVD生長(zhǎng)過(guò)程中既作為生長(zhǎng)基底，也起催化作用。微晶材料科技可制備：石墨烯薄膜、石墨烯粉體、導(dǎo)電油墨、導(dǎo)熱油墨、石墨烯熱輻射涂料、石墨烯抗菌、石墨烯透明導(dǎo)電膜等。

CVD石墨烯薄膜種類：

銅基底石墨烯薄膜

泡-取式石墨烯薄膜

單面生長(zhǎng)銅基底石墨烯薄膜

懸空自助轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜

氧化硅基底石墨烯薄膜

硅基底石墨烯薄膜

藍(lán)寶石基底石墨烯薄膜

PET基底石墨烯薄膜

石英基底石墨烯薄膜

鎳泡沫石墨烯薄膜（3D石墨烯）

自助轉(zhuǎn)移鎳泡沫石墨烯薄膜

CVD-石墨烯薄膜種類：

單層銅基底石墨烯薄膜

少層銅基底石墨烯薄膜

單層泡-取式石墨烯薄膜

少層泡-取式石墨烯薄膜

單層單面生長(zhǎng)銅基底石墨烯薄膜

少層單面生長(zhǎng)銅基底石墨烯薄膜

單層懸空自助轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜

少層懸空自助轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜

單層氧化硅基底石墨烯薄膜

少層氧化硅基底石墨烯薄膜

單層硅基底石墨烯薄膜

少層硅基底石墨烯薄膜

單層藍(lán)寶石基底石墨烯薄膜

少層藍(lán)寶石基底石墨烯薄膜

單層PET基底石墨烯薄膜

少層PET基底石墨烯薄膜

單層石英基底石墨烯薄膜

少層石英基底石墨烯薄膜