ASEMI三相整流模塊MDS50-16的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
編輯-Z
MDS50-16整流橋開(kāi)關(guān)模塊由六個(gè)超快恢復(fù)二極管芯片和一個(gè)大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連接后共同封裝在PPS(40%玻璃纖維)外殼中。MDS50-16模塊主要結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)如下:
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MDS50-16參數(shù)描述
封裝:MDS模塊
特性:工業(yè)機(jī)電三相整流模塊
電性參數(shù):50A1600V
芯片材質(zhì):GPP
正向電流(Io):50A
芯片個(gè)數(shù):6
正向電壓(VF):1.3V
浪涌電流Ifsm:460A
漏電流(Ir):5mA
工作溫度:-40~+150℃
引線數(shù)量:5
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1)鋁基導(dǎo)熱底板:其作用是為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,作為整個(gè)MDS50-16模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,它必須具有高的導(dǎo)熱性和可焊性。因?yàn)樾枰诟邷叵潞附拥紻BC基體上,除了使用磷和鎂摻雜的銅銀合金外,銅基板在焊接前必須用一定的弧度進(jìn)行預(yù)彎曲。這種具有一定弧度的焊接產(chǎn)品可以在模塊安裝在散熱器上時(shí)有足夠的接觸,從而降低了模塊的接觸熱阻,保證了模塊的出力。
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2)DBC基板:由氧化鋁或氮化鋁基板與銅箔在高溫下直接粘合而成。它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和可焊性,與硅材料接近的熱線膨脹系數(shù),可以直接焊接到硅片上,從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝,降低熱阻。同時(shí),DBC基板可以根據(jù)功率電路單元的要求蝕刻成各種圖案,作為主電路端子和控制端子的焊接支架,銅基板和電力半導(dǎo)體芯片彼此電絕緣,使MDS50-16模塊具有有效值絕緣耐壓2.5kV以上。
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3)電力半導(dǎo)體芯片:MDS50-16的超快恢復(fù)二極管和晶閘管芯片的PN結(jié)采用玻璃鈍化保護(hù),在模塊制造過(guò)程中涂RTV硅橡膠,灌封彈性硅膠和環(huán)氧樹(shù)脂。多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片性能穩(wěn)定可靠。根據(jù)三相整流橋電路共陽(yáng)極和共陰極的連接特性,MDS50-16芯片采用三片正燒(即芯片正面為陰極,反面為陽(yáng)極)三片是反燒(即芯片正面為陽(yáng)極,反面為陰極),并利用DBC基板的蝕刻圖案,簡(jiǎn)化焊接。同時(shí),主電極的引出端子全部焊接在DBC基板上,減少了連線,提高了模塊的可靠性。
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4)外殼:MDS50-16外殼采用高抗壓、抗拉、高絕緣強(qiáng)度和高熱變溫度的聚苯硫醚(PPS)注塑材料,并加油40%玻璃纖維制成??梢院芎玫慕鉀Q銅基板與主電極熱脹冷縮的匹配問(wèn)題,通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂澆注固化工藝或環(huán)氧樹(shù)脂板的間隔,實(shí)現(xiàn)上下殼的結(jié)構(gòu)連接,達(dá)到更高的保護(hù)強(qiáng)度和氣密密封,并為主電極引出提供支撐。