《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵Micro-LED 顯示技術(shù)
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》
文章:氮化鎵Micro-LED 顯示技術(shù)
編號(hào):JFKJ-21-307
作者:炬豐科技
摘要
? ?現(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入信息化并向智能化方向發(fā)展,顯示是實(shí)現(xiàn)信息交換和智能化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在目前眾多顯示 技術(shù)中,Micro-LED 顯示技術(shù)被認(rèn)為是具有顛覆性的次世代顯示技術(shù),得到學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。Micro-LED 顯示技術(shù)是一種新自發(fā)光顯示技術(shù),具有對(duì)比度高、響應(yīng)快、色域?qū)?、功耗低及壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),可以滿足高級(jí)顯示應(yīng)用 的個(gè)性化需求。
關(guān)鍵詞: 氮化鎵; Micro-LED 顯示; 外延; Micro-LED 器件; 效率衰減; Micro-LED 全彩顯示
引言
? 現(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入信息化并向智能化方向發(fā)展,顯示是實(shí)現(xiàn)信息交換和智能化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在目前眾多顯示技術(shù)中,Micro-LED 顯示技術(shù)被認(rèn)為是具有顛覆性的下一代顯示技術(shù)。Micro-LED 是一種自發(fā)光顯示技術(shù),通過(guò)將陣列化的微米級(jí) 集 成在有源尋址驅(qū)動(dòng)基板上,以實(shí)現(xiàn)單獨(dú)控制和點(diǎn)亮,從而輸出顯示圖像。
應(yīng)用于 Micro-LED 的外延技術(shù)
襯底材料的選擇以及外延技術(shù)對(duì)于 Micro-LED 器件的性能有著至關(guān)重要的影響。
1 襯底材料
2 波長(zhǎng)均勻性

3 缺陷控制

Micro-LED 器件制備與效率衰減
Micro-LED 顯示技術(shù)的核心是微米級(jí) LED 發(fā)光器件( μLED) 。

Micro-LED 全彩顯示技術(shù) ?略
結(jié)論 ??略