書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：氮化鎵PIN紫外探測(cè)器芯片研究

編號(hào)：JFKJ-21-304

作者：炬豐科技

摘要

? 通過(guò)對(duì)氮化鎵基 PIN 紫外探測(cè)器不同外延結(jié)構(gòu)及芯片制備工藝的研究，發(fā)現(xiàn)探測(cè)器性能和外延層結(jié)晶質(zhì)量及芯片制備工藝有很大的關(guān)系。采用 ITO 擴(kuò)展電極制備的探測(cè)器反向漏電很大。光電流相對(duì) ITO 透明電極有一定程度的降低，但能保證較低的暗電流，防止器件漏電。

關(guān)鍵詞 ：探測(cè)器 ；紫外

引言

? 氮化鎵 (GaN) 基材料被稱為第三代半導(dǎo)體，其光譜范圍 覆蓋了近紅外到紫外多個(gè)波段，在半導(dǎo)體光電子學(xué)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。GaN 基紫外探測(cè)器在軍事和民用等方面具有廣泛的應(yīng)用 。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程

2 結(jié)果與討論

樣品暗電流性能比較與分析

? 圖 1 為不同工藝條件下的暗電流曲線，從圖中可以看出，條件 2、條件 4、條件 8 的暗電流較高，漏電較大。分析制備工 藝發(fā)現(xiàn)，這三個(gè)樣品都以 ITO 作為電流擴(kuò)展電極，其余均采用 Ni/Au 作為半透明電極。

結(jié)論 ????略