書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：氫氧化銨溶液中納米級(jí)圖案的超聲波和兆聲波清洗對(duì)顆粒去除和特征損傷的適用性

編號(hào)：JFKJ-21-001

作者：炬豐科技

在這項(xiàng)研究中，通常將方形或矩形壓電器件陣列粘合到基板上并盡可能靠近以進(jìn)行有效的兆聲波清潔，兆聲波清潔用于在硅蝕刻后清潔期間去除側(cè)壁顆粒。開發(fā)了一個(gè)系統(tǒng)，其中包含通過調(diào)整 NH4OH 中的功率產(chǎn)生的超聲波和兆聲波過程的不同措施。晶片和兆聲換能器之間間隙中的兆聲波確保整個(gè)晶片的聲能均勻。兆聲能促進(jìn)自由基的產(chǎn)生，從而在稀溶液中去除殘留物。與超聲波相比NH4OH 溶液中兆聲波清洗的特征損壞減少......

關(guān)鍵詞：兆聲波清洗、TSV清洗、盲孔清洗

1.?介紹

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由于產(chǎn)量損失和未能控制缺陷，顆粒殘留是 IC 中的一個(gè)主要問題；這限制了半導(dǎo)體制造的產(chǎn)品性能 [1]。然而，通過化學(xué)溶液輔助。

通過聲場(chǎng)（在 MHz 范圍內(nèi)），通?？梢詫?shí)現(xiàn)顆粒去除 [2]。超音速清潔是一種比聲流或聲空化更溫和的清潔機(jī)制。3, 4] 并廣泛用于器件制造過程中的晶圓表面清潔，通常是方形或矩形壓電器件陣列，它們粘合到基板上并間隔為盡可能靠近以進(jìn)行有效的兆聲波清潔的轉(zhuǎn)導(dǎo) [5]。生產(chǎn)線前端、生產(chǎn)線后端和高顆粒去除效率等工藝(預(yù)) 可以實(shí)現(xiàn) [6, 7]。最近，水平單一或堆疊 Gate-All-Around(GAA) 納米線/納米片由于其出色的短通道控制和靜電性能，已經(jīng)對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入研究[8, 9]，這對(duì)亞 5 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)有效 [10]。Si、GeSn、InGaAs 和 SiGe 堆疊溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 之前已經(jīng)研究過 [11]，并且在兆聲攪拌的幫助下，純鍺堆疊納米片 FET 首次被成功證明 [12]。

空化涉及持續(xù)幾個(gè)聲學(xué)周期的振蕩，并具有能量的內(nèi)爆釋放，最終導(dǎo)致氣泡破裂[3]?？栈瘡?qiáng)度被認(rèn)為是一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)[13, 14] 以及晶圓上特征損壞的重要指標(biāo)的表面 [15, 16]。 極端空化有利于去除顆粒，但會(huì)損壞晶圓特征 [17, 18]。由于穩(wěn)定的空化和微流，通過振蕩氣泡的聲流，從圖案化的晶片表面去除顆粒[19]。保持穩(wěn)定的空化和更小的節(jié)點(diǎn)，同時(shí)保持高去除效率并避免損壞晶圓表面是兆聲清洗的主要挑戰(zhàn)。20, 21]。

已經(jīng)提出使用多種力去除顆粒，包括微空化 [22], 聲壓梯度 [23] 和聲流 [24] 由兆聲波引起。這種流動(dòng)被認(rèn)為是基材兆聲清洗中的主動(dòng)過程[18]。由于其在表面清潔中的重要性，剪切應(yīng)力通過瞬態(tài)和穩(wěn)定的射流撞擊固體壁而表現(xiàn)為近壁空化。25, 26]。本研究旨在更好地確定兆聲清洗的有益效果。在這里，與兆聲換能器組裝在一起的兆聲波導(dǎo)管被制造到電源的兆聲系統(tǒng)中。為了確定兆聲波清潔性能，測(cè)量了聲壓，并對(duì)兆聲波和超聲波技術(shù)進(jìn)行了比較。

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2.?實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)

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數(shù)字 1(a) 顯示了本研究中的兆聲波清洗過程的示意圖，還顯示了晶片的位置。晶圓的兩面都進(jìn)行了超聲波清洗，背面和背面全功率單個(gè)晶片清潔板正面的衰減功率。旋轉(zhuǎn)清潔工具配備徑向換能器陣列，用于單晶片的兆聲波濕法清潔。兆聲波換能器（面積 323 毫米）旨在以 0.98 MHz 的頻率向自旋基板（通常為 0-50 rpm）施加均勻的聲能??????略

3結(jié)果和討論?????略

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4結(jié)論??????略 ?

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