書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：硅集成電路工藝基礎

編號：JFKJ-21-006

作者：炬豐科技

集成電路工藝主要分為以下幾大類：

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?????????制膜工藝

????????????????????????氧化：干氧氧化、濕氧氧化、水汽氧化

?????????????????????????CVD：APCVD、LPCVD、PECVD

?????????????????????????PVD：蒸發(fā)、濺射

?????????????????????????外延

?????????摻雜工藝 ???????擴散

?????????????????????????離子注入

?????????圖形轉換

??????????????????????????光刻：紫外光刻、X射線光刻、電子束光刻

??????????????????????????刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕

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工藝集成：運用各類工藝技術形成電路結構的制造過程

集成電路中的隔離

自隔離：MOSFET源、漏極的導電類型相同，并與襯底導電類型相反，所以MOSFET本身就被pn結隔離，即自隔離(self-isolated)。

?????源漏電流只有在導電溝道形成后才能形成，只要相鄰晶體管之間不存在導電溝道，相鄰晶體管間便不會存在顯著的電流。

????只要維持源-襯底pn結和漏-襯底pn結的反偏，MOSFET便能維持自隔離。

MOS集成電路的晶體管之間不需要pn結隔離，可大大提高集成度。

寄生MOSFET ?????略

? 如圖所示，寄生的MOSFET以金屬引線為柵、引線下兩個MOSFET間的區(qū)域為寄生導電溝道、高摻雜區(qū)(2)和(3)為源漏。

因此，MOS集成電路中的隔離主要是防止形成寄生的導電溝道，即防止場區(qū)的寄生MOSFET開啟。

?側墻掩蔽隔離 ??略

OCOS隔離工藝的改進 --- 減小鳥嘴?

在亞微米集成電路制備中，對LOCOS隔離工藝進行改進，出現了減小鳥嘴，提高表面平坦化的隔離方法。

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1.?回刻的LOCOS工藝：???略

2.?多晶硅緩沖層的LOCOS工藝???略

3.?界面保護的局部氧化工藝????略

側墻掩蔽隔離

?側墻掩蔽隔離是一種無鳥嘴的隔離工藝

SiO2和Si3N4層的制備和普通的LOCOS工藝相同，但刻蝕時，除了刻蝕Si3N4和SiO2外還需要腐蝕硅層，腐蝕的硅層厚度約為場氧化層厚度的一半。通常采用KOH等各向異性腐蝕法，在<100>硅表面形成傾斜60度左右的側墻。略

淺槽隔離???略

雙極集成電路中的隔離???略

CMOS集成電路中的工藝集成??略

雙阱CMOS

2.?CMOS集成電路中的柵電極?略

3.?雙阱CMOS IC 工藝流程???略

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