內(nèi)部消息：據(jù)說40系顯卡五納米好像是三星的七納米定制版本并非真五納米？

2021-02-23 01:35 作者:我的DIY之路 0人讀過 | 我要投稿

臺(tái)積電（臺(tái)灣）和? ? 三星? ?（韓國(guó)）半導(dǎo)體公司開始爭(zhēng)奪英偉達(dá)的份額

說之前我先來透露一下即將推出的3060顯卡他就要快來了??

想用3060挖礦的家伙還是醒醒吧?? 官網(wǎng)已經(jīng)發(fā)布最新驅(qū)動(dòng)并且直接聲稱減少了3060一半的挖礦效率（比特幣）所以大部分玩家買到卡的可能性還是比較大的?

但看樣子大部分等待的玩家呼吁嫌棄這塊位寬被砍到192位寬的顯卡

有的人說這就是塊智商檢測(cè)卡? 當(dāng)然也有人說這卡的性能實(shí)在是無敵下面我來科普一下位寬到底有啥用? ?位寬就相當(dāng)于是顯卡性能發(fā)揮的唯一路徑? 而路徑的大小也決定了顯卡是否能夠順利通過傳輸?shù)臄?shù)據(jù)的快慢? 這樣說起來我相信大家比較清楚了? ?什么你還不明白？

那我就舉個(gè)例子? ? ?開啟G -SY(英偉達(dá)顯卡技術(shù)刷新率)

8k分辨率下? 可以直觀的看見192位寬的會(huì)比256位寬的顯卡流暢度慢? ? ? ? ? ? ?

? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?回到標(biāo)題來

極壞的消息：據(jù)說40系列好像是三星的，很大幾率沒回臺(tái)積電

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NV那邊前段時(shí)間有兩個(gè)方案，一個(gè)是臺(tái)積電的N6，另外一個(gè)是三星的7nm Euv

貌似后者現(xiàn)在NV的意向更濃，因?yàn)槿?nm Euv給的報(bào)價(jià)很低，據(jù)說比臺(tái)積電的7nm Duv還要略低一些。
臺(tái)積電N6和N5效果沒的說，N6據(jù)說Zen+就要用，但是風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)NV也不知道情況。
N5目前確定GH100用MCM封裝，但是40系列AD是否用N5，目前【不能石錘，因?yàn)镹V那邊也在糾結(jié)】

而且RDNA3并不是MCM

?初步確定是這樣。
Navi22要夏季才能鋪貨。至少臺(tái)北電腦展。 Navi21基本暴死了，
AMD移動(dòng)端沒有Navi21，只有22。
按照這種趨勢(shì)，NV40系列基本壟斷了，用7nm Euv 頻率會(huì)提升到目前N7P級(jí)別。但是可能不如N5。但是AMD換N5也不會(huì)有什么本質(zhì)提升了。
除非AMD比NV更早進(jìn)入MCM

?但也不一定能一戰(zhàn)。畢竟N5密度也就那樣了。

用三星應(yīng)該挺好的，三星制程的能耗比能駕馭的廠商不多，老黃算是一個(gè)。正因如此，三星制程不用跟別人爭(zhēng)，價(jià)格和產(chǎn)能都沒問題。不得不感嘆老黃設(shè)計(jì)架構(gòu)的能力真心nb，通過架構(gòu)能耗比的提升來抵消制程能耗比的下降。做不到這樣的廠商，自然只能去爭(zhēng)搶制程能耗比優(yōu)秀的臺(tái)積電了。

是的，故事告訴我們【有實(shí)力的人，會(huì)選擇別人不能走，或者不愿意走的那條坎坷之路，而且這條路幾乎不會(huì)遇到任何競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，因?yàn)樘y走了，別人沒法走。所以NV做到相同的效果，付出的代價(jià)和成本更少，而且需要的時(shí)間以及阻力面更少，這樣慢慢時(shí)間積累下來，優(yōu)勢(shì)就會(huì)瞬間擴(kuò)大】

所以事實(shí)證明【投機(jī)取巧這種事情，是強(qiáng)者才能做的事情。如果弱者投機(jī)取巧，很大幾率會(huì)翻車砸了自己，因?yàn)槿跽邲]有走捷徑的實(shí)力，反而走捷徑就是賭命，就算成功了也不能翻盤，反而跌落就是萬丈深淵，而強(qiáng)者有實(shí)力走捷徑抄近路，可以更少成本做到相同的事情，把經(jīng)理更多投入其他領(lǐng)域

簡(jiǎn)單來說??弱者只能選擇穩(wěn)扎穩(wěn)打之路，不能歪門邪道的走別路尋求新的突破? 這或許也是AMD至今以來從未放棄過的一項(xiàng)重大決定

RDNA體系結(jié)構(gòu)

圖2-在rDNA體系結(jié)構(gòu)中相鄰的計(jì)算單元協(xié)作。

新的雙計(jì)算單元設(shè)計(jì)是rDNA體系結(jié)構(gòu)的精髓，它取代了GCN計(jì)算單元作為GPU的基本計(jì)算構(gòu)件。如圖2所示，雙計(jì)算單元仍然包含四個(gè)獨(dú)立操作的SIMD。然而，這種雙計(jì)算單元是專門為波32模式設(shè)計(jì)的；rDNA SIMD包括32個(gè)ALU，是前一代矢量ALU的兩倍，通過執(zhí)行高達(dá)2X的波前來提高性能。新的SIMD是為混合精度操作而建立的，并且使用各種數(shù)據(jù)類型進(jìn)行高效計(jì)算，以實(shí)現(xiàn)科學(xué)計(jì)算和機(jī)器學(xué)習(xí)。下面的圖3說明了新的雙計(jì)算單元如何利用簡(jiǎn)單示例著色器中的指令級(jí)并行性在SIMD上執(zhí)行，與上一代GCNSIMD相比，在32波模式下延遲減半，而波64模式的延遲減少44%。

一

指令發(fā)布示例

圖3--在示例代碼片段上執(zhí)行波形32和波形64。

RDNA體系結(jié)構(gòu)還重新定義了緩存和內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)，以增加圖形和計(jì)算的帶寬，降低功耗，并為未來提供更大的擴(kuò)展。早期的體系結(jié)構(gòu)采用了兩級(jí)緩存層次結(jié)構(gòu).通常，第一級(jí)緩存是每個(gè)GCN計(jì)算單元的私有級(jí)別，并側(cè)重于計(jì)算。第二級(jí)緩存是全球共享的L2，它與內(nèi)存控制器同時(shí)存在，并將數(shù)據(jù)提供給計(jì)算單元和圖形功能，如幾何引擎和像素管道。

爆料一下，AMD 從今年開始應(yīng)該是削弱公關(guān)費(fèi)了。因?yàn)榻衲暌?jì)劃開展大項(xiàng)目 RDNA之后的和Zen后的項(xiàng)目要2025才能看到了。

但是立項(xiàng)和投資計(jì)劃就是現(xiàn)在開始，所以今年的公關(guān)費(fèi)肯定不會(huì)很高，后續(xù)2022～2023會(huì)持續(xù)削減。一直到2025～2027才會(huì)重新增加廣告費(fèi)。

其實(shí)劇本是這樣的，AMD其實(shí)研發(fā)投入那幾年都是很低調(diào)的，比如2014～2016 。一直到2018年才開始巨大投入廣告費(fèi)。

AMD前幾年投資RDNA和Zen兩個(gè)大項(xiàng)目開銷了巨大資金鏈。

GCn架構(gòu)其實(shí)是2011年就完成的，但是2008～2010也是很低調(diào)的。尤其是6系列時(shí)候。

AMD投入巨大公關(guān)費(fèi)一般都是新架構(gòu)研發(fā)完成并且投入市場(chǎng)后。

但是RDNA和Zen今年馬上就要第三代了，Zen明年更是第四代，RDNA恐怕?lián)尾坏降谒拇屯甑傲恕?br>
所以架構(gòu)1234套路玩不動(dòng)了，工藝紅利吃完了。AMD這次必須加大投入，才能2024后續(xù)下一代新架構(gòu)不落后

否則AMD目前如果投入較少，那么2025～2028會(huì)陷入下一代架構(gòu)脫節(jié)的局面，導(dǎo)致了RDNA1234 ，Zen1234擠完牙膏無路可走地步。

后續(xù)麻煩還是很多的，現(xiàn)在投入必須加大了。

所以今年可能公關(guān)費(fèi)投入較少

，畢竟本時(shí)代架構(gòu)也快到了末期了。AMD也應(yīng)該是提出下一代全新架構(gòu)了。

現(xiàn)在Zen3開始基本進(jìn)入了推土機(jī)發(fā)布時(shí)代的性能，現(xiàn)在RDNA2也基本是GCn2.0時(shí)代的級(jí)別了。

畢竟GCn到了Vega那一代3.0以上就沒什么進(jìn)步了。

RDNA到3代也就是基本極限，不進(jìn)3nm 恐怕RDNA4都沒什么提升。

講說AMD顯卡這邊也就是吃了工藝（臺(tái)積電）的福? ?若臺(tái)積電斷了和AMD的合作? 我相信a卡可能用不了多久就要被世人所遺忘了 a卡本身就帶來的不穩(wěn)定性真的太差而且大家都知道a卡的驅(qū)動(dòng)非常的差勁不像英偉達(dá)的簡(jiǎn)單明了? 當(dāng)然au的存在也屬實(shí)夠看在新架構(gòu)zen3的加持下竟然可以和5g的i9一拼高下