編輯-Z

IPW65R150CFDA英飛凌MOS管參數(shù)：

型號(hào)：IPW65R150CFDA

連續(xù)漏極電流（ID）：72A

功耗（Ptot）：195.3W

貯存溫度和工作結(jié)溫（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：650V

柵極閾值電壓V(GS)th：4V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：1uA

柵源漏電流（IGSS）：100nA

漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)：0.135Ω

輸入電容（Ciss）：2340pF

輸出電容（Coss）：110pF

二極管正向電壓（VSD）：0.9V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：140ns

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IPW65R150CFDA提供了快速開(kāi)關(guān)SJ MOSFET的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)還提供了一個(gè)非?？焖俸蛨?jiān)固的體二極管。這種極低的開(kāi)關(guān)損耗、換向損耗和傳導(dǎo)損耗以及最高的穩(wěn)健性相結(jié)合，使得諧振開(kāi)關(guān)應(yīng)用更可靠、更高效、更輕、更酷。

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IPW65R150CFDA特征：

超快體二極管

極高的換向堅(jiān)固性

由于FOM Rdson*Qg和Eoss非常低，因此損失極低

易于使用/駕駛

符合AEC Q101

綠色包裝（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)），無(wú)鉛電鍍，模具化合物無(wú)鹵素

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IPW65R150CFDA應(yīng)用：

650V CooIMOS TM CFD特別適用于PC Silverbox、LCD TV、Lighting、Server、Telecom和Solar等的諧振開(kāi)關(guān)PWM級(jí)。

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強(qiáng)元芯電子原廠渠道代理各種車(chē)規(guī)級(jí)MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。