NPT2024 第 4 代硅基氮化鎵 (GaN on Si) 晶體管
NPT2024
NPT2024 是一種寬帶晶體管,工作頻率范圍為 DC 至 2.7 GHz。它是第一款基于 MACOM 第 4 代硅基氮化鎵 (GaN on Si) 工藝開發(fā)的晶體管。該工藝提供的性能可與昂貴的碳化硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 相媲美,其預計批量生產成本結構低于現(xiàn)有 LDMOS 技術。NPT2024 支持 CW、脈沖和線性操作,輸出功率水平高達 200 W (53 dBm)。該器件采用 50 V 工作電壓,在 1.5 GHz 時提供 16 dB 增益的 CW 工作,以及 60% 的漏極效率。這種 GaN on Si HEMT D-Mode 晶體管非常適合國防通信、陸地移動無線電、航空電子設備、無線基礎設施、ISM 應用和 VHF/UHF/L/S 波段雷達。

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產品規(guī)格
產品詳情
零件號
NPT2024
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制造商
馬康
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描述
直流至 2.7 GHz GaN on Si 寬帶晶體管
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一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
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技術
硅基氮化鎵、氮化鎵
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應用行業(yè)
ISM、無線基礎設施、航空航天與國防、雷達
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應用
移動無線電、國防、通信、航空電子設備、WiMAX、WCDMA、LTE
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連續(xù)波/脈沖
脈沖,連續(xù)波
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頻率
20 MHz 至 3 GHz
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力量
47.24 分貝
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功率(W)
52.97 瓦
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獲得
16分貝
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電源電壓
50 伏
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包裝類型
法蘭
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包裹
TO272
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RoHS
是的
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