為了實現(xiàn)人工智能系統(tǒng)和自動駕駛系統(tǒng)，處理器必須能夠處理更多的數(shù)據(jù)。然而，基于硅的邏輯器件的局限性在于，由于小型化和集成化工藝不斷發(fā)展，處理成本和功耗也不斷增加。

為了克服上述問題，研究人員正在研究基于原子層級薄二維半導體的電子和邏輯器件。然而，與傳統(tǒng)的硅基半導體器件相比，通過摻雜二維半導體控制電氣特性更加困難。因此，用二維半導體實現(xiàn)邏輯器件在技術(shù)上非常具有挑戰(zhàn)。

韓國科學技術(shù)研究院（Korea Institute of Science and Technology，KIST）院長Seok-jin Yoon宣布一聯(lián)合研究小組實現(xiàn)了基于二維半導體的電子和邏輯器件，其電化學特性可以通過新的超薄電極材料（Cl-SnSe2）進行控制。該研究小組由KIST光電材料與器件中心的Do Kyung Hwang博士和國立群山大學（Kunsan National University）物理系的Kimoon Lee教授領(lǐng)導。

由于費米能級（Fermi-level）釘扎現(xiàn)象，傳統(tǒng)的二維半導體器件僅表現(xiàn)出N型或P型器件的特性，因此很難實現(xiàn)互補邏輯電路。相比之下，新的電極材料可以通過最大限度地減少與半導體界面的缺陷來自由控制N型和P型器件的特性。換言之，單個器件可同時執(zhí)行N型和P型器件的功能。因此，無需分別制造N型和P型器件。通過使用該器件，聯(lián)合研究團隊成功實現(xiàn)了一種高性能、低功耗、互補的邏輯電路，可以進行NOR、NAND等邏輯運算。

Hwang博士表示：“這一發(fā)展將有助于加速下一代系統(tǒng)技術(shù)的商業(yè)化，例如人工智能系統(tǒng)。由于傳統(tǒng)硅半導體器件的小型化和高集成度帶來的技術(shù)限制，這些技術(shù)一直難以在實際應(yīng)用中使用。新開發(fā)的二維電極材料非常薄，因此具有高透光率和柔韌性，可用于下一代柔性透明半導體器件。”

來源：上海錦町新材料科技整理自網(wǎng)絡(luò)

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