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聯(lián)電方面，同樣受到美國對華半導(dǎo)體政策的影響，該公司在中國大陸的幾家合資晶圓廠業(yè)務(wù)拓展受到較大影響，近兩年，聯(lián)電在其它國家和地區(qū)的業(yè)務(wù)拓展正在加速，特別是日本和新加坡，是該公司拓展的重點(diǎn)。進(jìn)入2023年以來，聯(lián)電深化日本和新加坡業(yè)務(wù)的消息頻頻傳來，例如，自從2022年2月宣布在新加坡Fab 12i廠擴(kuò)建一座新晶圓廠后，便開始啟動建廠作業(yè)，新廠第一期的月產(chǎn)能規(guī)劃為3萬片12英寸晶圓，預(yù)計(jì)將在2024年底量產(chǎn)。目前，聯(lián)電在新加坡的F12i P3廠規(guī)劃量產(chǎn)28nm和22nm制程芯片，總投資金額為50億美元，未來，聯(lián)電將把新加坡Fab 12i廠規(guī)劃成先進(jìn)特殊制程研發(fā)中心。

聯(lián)電在日本的業(yè)務(wù)也在加速前進(jìn)，最近，聯(lián)電日本子公司USJC與日本電裝（DENSO）合作建設(shè)的12英寸專線生產(chǎn)的IGBT進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)2025年每月產(chǎn)能達(dá)到10000片晶圓。USJC是聯(lián)電2019年完全收購富士通半導(dǎo)體旗下位于日本三重縣桑名市的12英寸晶圓廠后成立的。

近兩年，業(yè)界一直在傳聯(lián)電將在日本新建晶圓廠，聯(lián)電官方否認(rèn)了這些傳聞。然而，由于聯(lián)電在中國大陸的晶圓廠業(yè)務(wù)受美國政策的影響較大，再加上這兩年不斷拓展亞洲其它地區(qū)業(yè)務(wù)，聯(lián)電在日本的發(fā)展恐怕不止目前的這些。

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