編輯-Z

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）兩大類。

按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型和增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管都是耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管有耗盡型和增強(qiáng)型。

一般來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為四類：N溝道耗盡型和增強(qiáng)型；P溝道耗盡型和增強(qiáng)型。那么MOS管20N20-ASEMI三個(gè)極怎么判定？20N20是N溝道還是P溝道呢？

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20N20重要參數(shù)

封裝：TO-220F

電性參數(shù)：20A 200V

連續(xù)二極管正向電流(IS)：20A

脈沖二極管正向電流(ISM)：72A

漏源電壓(VDSS)：200V

柵極閾值電壓(VGS)：±30V

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on))：0.18Ω

二極管正向壓降(VSD)：1.5V

零柵極電壓漏極電流(IDSS)：10uA

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：158NS

工作溫度：-55~+150℃

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1、20N20三個(gè)極怎么判定

G極(gate)—柵極，不用說(shuō)，比較容易識(shí)別

S極(source)—源極，無(wú)論是P溝道還是N溝道，兩條線相交的為源極

D極(drain)—漏極，無(wú)論是P溝道還是N溝道，都是單獨(dú)引線的那邊

根據(jù)這個(gè)方法我們就能很好的判定出20N20的三個(gè)極

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2、20N20是N溝道還是P溝道

箭頭指向G極的是N溝道

箭頭背向G極的是P溝道

根據(jù)20N20的內(nèi)部電路圖可以看出它是N溝道的

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3、如何判斷20N20寄生二極管的方向

不管是N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底的箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S

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4、用萬(wàn)用表區(qū)分NMOS和PMOS

借助寄生二極管來(lái)區(qū)分。將萬(wàn)用表檔位撥到二極管位置，紅色表筆接S，黑色表筆接D，有數(shù)值顯示，反過(guò)來(lái)無(wú)數(shù)值，則表示為N溝道，若情況相反則是P溝道。