MOS管的開關(guān)損耗

為了最大化省流,我不插時間點(對應(yīng)圖時間位置,之前的筆記有的)

完全導通:很簡單,歐姆定律,固有電阻產(chǎn)生壓降乘通過電流(方便計算得出該式子)
開關(guān)損耗:在升降壓電路中開關(guān)場效應(yīng)管的損耗,一開一關(guān)總消耗能量乘開關(guān)頻率(就是單位時間開關(guān)次數(shù))
驅(qū)動損耗:柵級電荷乘驅(qū)動電壓乘開關(guān)頻率

柵級驅(qū)動輸出方波信號,上圖是導通過程
vcc是漏極電壓,vgs(on)是電壓曲線,因為存在米勒電容導致bc段電壓不變。隨著米勒電容充滿,輸出電流達到最大


該公式忽略開關(guān)損耗(這里相當于一個電阻)
Vds就是場效應(yīng)管壓降

關(guān)斷過程 不同顏色的線代表參考導通過程
因為存在Cgd,導致直到時間位點d還在導通。Cgd放完電到Cgs幫忙,導致Vgs雖然下降但基本無損耗。但到了米勒電容放電 ,壓降開始變大直到所有寄生電容放完電
關(guān)斷過程和啟動一樣,不上圖
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(還是加個坐標)
16:16
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極限情況就是Id最大Vcc下降
公式直接導(電壓電流單位時間,形成三角)
關(guān)斷公式一樣但時間單位是Toff(實際和啟動時間不一樣,畢竟有電路快速關(guān)閉)
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20:08
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這個電阻也要小(解決振鈴)



另外查過數(shù)據(jù)手冊的,電壓越大寄生電容會適當減少
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